导读:本文包含了表面陷阱论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:辐照损伤,表面,偏聚,湮灭
表面陷阱论文文献综述
郝丛宇[1]（2019）在《钨表面累积的空位和自间隙原子对表面缺陷阱功能的影响》一文中研究指出钨作为未来最有前景的面对等离子体材料,在中子诱导的离位损伤作用下,材料内部会产生大量的点缺陷,如空位(vacancies,Vs)和自间隙原子(self-interstitial atoms,SIAs)。这些缺陷除了可以在块体中聚集形成活性低的缺陷团簇(Vn/SIAn),如孔洞、气泡和位错环之外,还会偏聚到表面,改变表面的形态。这些缺陷不仅改变了表面与块体中缺陷的相互作用,同时也不可避免地影响了氢氦在钨近表面处的行为。除此之外,离位损伤还会进一步影响表面作为空位和自间隙原子等缺陷的缺陷阱作用。本文综合采用分子静力学(molecular statics,MS)、分子动力学(molecular dynamics,MD)和实体动力学蒙特卡罗(object kinetic Monte Carlo,OKMC)计算模拟方法,对钨表面空位和自间隙原子团簇对表面形态和表面缺陷阱作用的影响进行了研究。全文主要分为两个部分。一.钨表面空位和间隙原子团簇对表面形态的影响采用MS、MD和OKMC模拟方法研究了在W的两个低指数(100)和(1 10)表面V/SIA的聚集,目的是为了揭示聚集有V/SIA的表面对表面附近后续V/SIA的偏聚和湮灭的影响。研究结果为:(1)MS和MD计算结果表明:Vn/SIAn可以在(1 0 0)和(1 1 0)表面形成。原因是V/SIA成团过程中的能量释放以及V/SIA在Vn/SIAn附近扩散能垒的降低,分别提供了能量学和动力学的驱动力。然而,相对于(10 0)表面,Vn/SIAn更容易在(1 1 0)表面聚集成团,主要是由于V与Vn(或者SIA和SIAn)结合能较大,而且在(1 1 0)表面上V/SIA的扩散能垒较低。同时表面空位团簇能促进近表面处空位向表面的偏聚。(2)1000K时的OKMC模拟研究结果表明:在累积的辐照条件下,V/SIA团簇在(110)表面形成,而在(10 0)表面倾向于存在SIA团簇和点空位。因此,在(1 0 0)表面倾向于形成凸起结构,而在(1 1 0)表面容易形成凹凸结构。二.钨表面空位和间隙原子团簇对表面缺陷阱功能的影响研究结果表明:两个表面上大的空位团簇结构可以发展成为局域的凹陷结构,其行为与完美表面相似,而小空位团簇依然保持着缺陷的特点。同时,表面上大空位团簇的凹陷处与表面的交界可以作为V和SIA的缺陷阱,从能量学和动力学上来看都有利于交界处附近的V和SIA向交界处扩散。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-04-23）
罗潘,徐曼,王绍辉,李鹏,张艺涵[2]（2018）在《MCM-41表面改性及MCM-41/环氧树脂复合材料陷阱特性》一文中研究指出在复合材料MCM-41/环氧树脂的制备中,采用硅烷偶联剂对MCM-41颗粒进行表面改性,同时采用热失重、傅里叶红外光谱、小角X衍射、氮气吸附-脱附等手段对表面修饰前后的MCM-41颗粒表面结构进行表征。随后利用原位聚合的方法制备表面改性后不同MCM-41含量的MCM-41/环氧树脂复合材料。在复合材料性能表征中,首先利用动态热机械分析法对其玻璃化转变温度的变化趋势进行研究,实验结果显示随着MCM-41添加量增加,复合材料玻璃化转变温度呈先增加后降低的变化趋势;其次,采用热刺激去极化电流对复合材料中内部的陷阱分布变化进行研究,结果显示随着MCM-41的添加,复合材料内部陷阱深度变浅,陷阱电荷总量降低。实验结果说明在偶联剂的作用下MCM-41能够与环氧树脂基体形成有效的化学键连接,提高复合材料的动态热机械特性,减少复合材料内部的物理或者化学缺陷。(本文来源于《电工技术学报》期刊2018年10期）
刘孟佳,周福升,陈铮铮,李建英,闵道敏[3]（2016）在《采用等温表面电位衰减法表征LDPE与HDPE内陷阱的分布特性》一文中研究指出空间电荷积聚对直流电缆的使用寿命和运行安全有重要影响,研究聚乙烯材料内陷阱电荷的分布特性并进一步分析其内部陷阱分布特性,对抑制聚合物材料中空间电荷积聚、提高直流电缆运行的可靠性具有重要意义。通过考虑聚合物材料内电荷的脱陷规律,提出了一个计算聚合物内陷阱分布的等温表面电位衰减(isothermal surface potential decay,ISPD)模型。通过测量低密度聚乙烯(low-density polyethylene,LDPE)和高密度聚乙烯(high-density polyethylene,HDPE)试样分别在正、负电晕放电充电条件下的表面电位衰减特性,获得其相应的陷阱分布规律,并根据2种试样不同的形态学特性进行分析。结果表明:LDPE与HDPE内陷阱主要以深陷阱为主,陷阱密度近似为1021 m~(-3),与其它文献报道的相一致;HDPE内电子深陷阱多于LDPE内电子深陷阱,电子浅陷阱少于LDPE内电子浅陷阱;LDPE内电子深陷阱多于空穴深陷阱,电子浅陷阱少于空穴浅陷阱。分析认为:LDPE与HDPE独特的聚集态结构,以及电子和空穴电导的差异对陷阱电荷分布产生重要影响。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2016年01期）
欧阳本红,赵健康,周福升,李建英,闵道敏[4]（2015）在《基于等温表面电位衰减法的直流电缆用低密度聚乙烯和交联聚乙烯陷阱电荷分布特性》一文中研究指出空间电荷积聚是影响直流电缆安全运行的重要原因,定量表征直流电缆用聚乙烯材料内陷阱电荷的分布特性并分析其内部陷阱产生的根源,对抑制空间电荷积聚、加强直流电缆安全可靠运行具有重要意义。为此,采用直流电晕充电法对低密度聚乙烯(low-density polyethylene,LDPE)和交联聚乙烯(crosslinked polyethylene,XLPE)薄膜试样进行了充电,以模拟直流加压时电荷的注入过程。通过考虑材料内入陷电荷的出陷规律,建立了1个等温表面电位衰减(isothermal surface potential decay,ISPD)模型。通过分析LDPE和XLPE薄膜试样的ISPD数据,获得了其内部陷阱电荷的分布特性,并进一步分析了LDPE与XLPE形态学特性和添加剂对陷阱形成的影响。结果表明:LDPE和XLPE中分别存在2个陷阱中心,即浅陷阱中心和深陷阱中心;LDPE中与XLPE中空穴深陷阱电荷密度都高于空穴浅陷阱电荷,即2者空穴陷阱电荷主要以深陷阱为主;XLPE中空穴浅陷阱电荷与空穴深陷阱电荷之间的数量差距减少,XLPE中空穴浅陷阱高于LDPE中空穴浅陷阱。交联副产物对XLPE内部陷阱的形成产生重要影响,且添加剂形成的空穴类型陷阱的深度并不完全相同。(本文来源于《高电压技术》期刊2015年08期）
胡少光,贺永宁,张鹤,苗治聪,张玉航[5]（2013）在《镀银表面微陷阱结构抑制微放电效应研究》一文中研究指出提出并研究了掩膜离子束刻蚀在微波部件镀银表面形成微陷阱结构抑制二次电子发射的方法。利用金属掩膜法离子束刻蚀在镀银表面形成初步的纳米陷阱结构,在此基础上利用硝酸铁溶液进行扩孔,得到更大孔隙率的陷阱结构表面。利用电流法测试试样表面处理前后的二次电子发射特性,结果表明这种结构确能显着抑制金属表面二次电子发射系数。利用CST软件仿真,具有该微陷阱结构的镀银微波部件微放电阈值获得了提高。因此,该方法为抑制由二次电子发射引起的微波部件微放电效应提供了一种新方案。(本文来源于《2013年全国微波毫米波会议论文集》期刊2013-05-21）
高宇,李莹,崔劲达,杜伯学[6]（2012）在《伽玛线辐射对环氧树脂表面陷阱分布的影响》一文中研究指出环氧树脂绝缘材料在核电站、宇宙航天等核辐射环境下的电气电子设备中广泛应用,了解高能辐射对其表面陷阱分布的影响对保障绝缘安全具有重要意义。本文以经伽玛线辐射的环氧树脂为试样,通过直流电晕向其表面注入电荷,采用静电电位计测量表面电位衰减特性,基于等温衰减电流理论计算材料表面陷阱分布,分析总辐射量的影响。结果表明,表面陷阱存在双能级中心;随着总辐射量的增大,陷阱密度先减小后增大,陷阱能级变浅。伽玛线辐射引发的化学反应使试样表层化学结构发生变化,是导致陷阱分布改变的主要原因。(本文来源于《电工技术学报》期刊2012年12期）
张发云[7]（2012）在《多晶硅表面陷阱坑形貌的光学性能模拟》一文中研究指出采用COMSOL Multiphysics 3.5a有限元分析软件中的RF模块对3种硅片绒面的陷阱坑形貌(轻度腐蚀、正常腐蚀和过度腐蚀)的光学性能进行了数值模拟.通过求解麦克斯韦方程组和材料本构方程,获得了3种陷阱坑的表面电场z分量、表面磁场y分量和反射率的变化规律.结果表明:当波长为600nm时,轻度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最小,反射率最高(约为35%);正常腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量其次,反射率约为17%;过度腐蚀陷阱坑的表面电场z分量和表面磁场y分量的数值最大,反射率最低(约为10%).通过实验和模拟结果对比可知,模拟值和试验值的反射率变化趋势基本一致,两者吻合较好,可为实际生产和试验提供理论参考.(本文来源于《光子学报》期刊2012年09期）
钱勇,冯仕猛[8]（2012）在《亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响》一文中研究指出酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使多晶硅表面能布满蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度比传统的酸刻蚀的陷阱坑深,而且密度分布比较均匀,样品平均反射率下降到23.5%,与传统配方酸刻蚀液刻蚀的多晶硅表面相比,平均反射率下降了8%左右。(本文来源于《半导体光电》期刊2012年01期）
钱勇,冯仕猛[9]（2012）在《多晶硅表面陷阱坑形貌对表面光反射率的影响》一文中研究指出利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。理论分析表明:多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。如绒面由V字型槽或坑构成,则绒面反射率比较高;如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化,这种结构构成的绒面反射率低。实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面,用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图,测量了其表面反射率,分析表面结构形貌与反射率的关系。实验结果与理论分析相吻合。(本文来源于《光学学报》期刊2012年02期）
周骏,孙永堂,孙铁囤,刘晓,宋伟杰[10]（2011）在《非晶硅光伏电池表面高效光陷阱结构设计》一文中研究指出提出一种应用于非晶硅光伏电池表面的光陷阱结构,该结构主要由衍射光栅、低折射率MgF2膜层、高折射率ZnS膜层及金属Ag反射镜组成.在标准测试条件(AM1.5,100mW/cm2和25℃)下,运用严格耦合波理论,通过计算400—1000nm波段内的1μm厚非晶硅光伏电池的吸收光子数加权平均ξAM1.5,优化光陷阱结构的设计参数.结果表明:对于电池前表面减反射结构,在衍射光栅周期为800nm、高度为160nm、占空比为0.6125、MgF2和ZnS膜层厚度分别为90和55nm时,ξAM1.5达到74.3%;在电池背表面沉积ZnS/Ag膜层后,ξAM1.5增大到76.95%.因此,该光陷阱结构可以大幅度提高非晶硅光伏电池的光电转换效率.(本文来源于《物理学报》期刊2011年08期）
表面陷阱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在复合材料MCM-41/环氧树脂的制备中,采用硅烷偶联剂对MCM-41颗粒进行表面改性,同时采用热失重、傅里叶红外光谱、小角X衍射、氮气吸附-脱附等手段对表面修饰前后的MCM-41颗粒表面结构进行表征。随后利用原位聚合的方法制备表面改性后不同MCM-41含量的MCM-41/环氧树脂复合材料。在复合材料性能表征中,首先利用动态热机械分析法对其玻璃化转变温度的变化趋势进行研究,实验结果显示随着MCM-41添加量增加,复合材料玻璃化转变温度呈先增加后降低的变化趋势;其次,采用热刺激去极化电流对复合材料中内部的陷阱分布变化进行研究,结果显示随着MCM-41的添加,复合材料内部陷阱深度变浅,陷阱电荷总量降低。实验结果说明在偶联剂的作用下MCM-41能够与环氧树脂基体形成有效的化学键连接,提高复合材料的动态热机械特性,减少复合材料内部的物理或者化学缺陷。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
表面陷阱论文参考文献
[1].郝丛宇.钨表面累积的空位和自间隙原子对表面缺陷阱功能的影响[D].中国科学技术大学.2019
[2].罗潘,徐曼,王绍辉,李鹏,张艺涵.MCM-41表面改性及MCM-41/环氧树脂复合材料陷阱特性[J].电工技术学报.2018
[3].刘孟佳,周福升,陈铮铮,李建英,闵道敏.采用等温表面电位衰减法表征LDPE与HDPE内陷阱的分布特性[J].中国电机工程学报.2016
[4].欧阳本红,赵健康,周福升,李建英,闵道敏.基于等温表面电位衰减法的直流电缆用低密度聚乙烯和交联聚乙烯陷阱电荷分布特性[J].高电压技术.2015
[5].胡少光,贺永宁,张鹤,苗治聪,张玉航.镀银表面微陷阱结构抑制微放电效应研究[C].2013年全国微波毫米波会议论文集.2013
[6].高宇,李莹,崔劲达,杜伯学.伽玛线辐射对环氧树脂表面陷阱分布的影响[J].电工技术学报.2012
[7].张发云.多晶硅表面陷阱坑形貌的光学性能模拟[J].光子学报.2012
[8].钱勇,冯仕猛.亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响[J].半导体光电.2012
[9].钱勇,冯仕猛.多晶硅表面陷阱坑形貌对表面光反射率的影响[J].光学学报.2012
[10].周骏,孙永堂,孙铁囤,刘晓,宋伟杰.非晶硅光伏电池表面高效光陷阱结构设计[J].物理学报.2011