导读:本文包含了受主能级论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:远红外吸收谱,Raman光谱,光致发光光谱,Be受主能态结构
受主能级论文文献综述
郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳[1]（2019）在《掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁》一文中研究指出通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘(100) GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S_(3/2)Γ_8基态到它的叁个激发态2P_(3/2)Γ_8, 2P5/2Γ_8和2P5/2Γ_7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S_(3/2)Γ_8基态到2S_(3/2)Γ_8激发态的两空穴跃迁的发光峰,从而间接地找到了两能级之间的跃迁能量.在Raman光谱中,清楚地分辨出来了Be受主从1S_(3/2)Γ_8基态到2S_(3/2)Γ_8激发态偶宇称跃迁的拉曼散射峰,直接得到了两能级间的跃迁能量.对比发现,分别直接和间接得到的1S_(3/2)Γ8基态到2S_(3/2)Γ8激发态跃迁能量结果是一致的.(本文来源于《物理学报》期刊2019年18期）
周星[2]（2013）在《Mg-F-N共掺实现具有低受主能级的稳定p型ZnO》一文中研究指出ZnO是一种多功能的化合物晶体材料，其特性决定了它在光电、压电、铁磁、气敏、光敏等领域具有广阔的应用前景，特别是作为蓝/紫外光电器件的优选材料被寄予厚望，基于其在光电器件LED及LD等的应用前景，ZnO同质结的实现一直以来备受关注。ZnO与大多数的宽禁带半导体材料类似，其在p型或n型掺杂特性方面呈现单极性，ZnO表现为其p型特性极难实现，主要原因是：p型ZnO受主能级偏高；受主元素在ZnO中的固溶度低；p型特性稳定性差无法长时间保持；本征施主缺陷的补偿。直到目前稳定有效的p型ZnO的获得依然制约着其应用。而有效的p型ZnO的实现对ZnO在光电领域的应用具有十分重要意义。本文介绍了密度泛函理论的量子力学基础及基本理论框架，以及基于这一理论的第一性原理计算软件CASTEP，在密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法下，对氧化锌的p型掺杂做了研究，设计了通过镁氟氮叁元素共掺杂氧化锌来实现有效稳定的p型氧化锌。论文以N作为受主元素，通过F及Mg的引入提高N在ZnO中的固溶度及降低N受主元素能级来实现稳定有效的p型ZnO。通过研究N单掺，N-Mg共掺，F-N共掺及F-Mg-N共掺ZnO的能带结构及态密度来分析F、Mg的引入对N掺杂的影响的内部机理，进一步计算了各体系下N的受主能级，缺陷形成能及杂质元素间的结合能。以此来判断体系的稳定性，以及p型掺杂的有效性。研究发现采用Mg、F、N叁种元素共掺ZnO能够增加体系结构的稳定性同时降低ZnO中N的受主能级，从而实现稳定有效的p型掺杂。(本文来源于《燕山大学》期刊2013-05-01）
王超,张义门,张玉明,王悦湖,徐大庆[3]（2008）在《钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文)》一文中研究指出借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eV处,其电子俘获截面分别为7.0×10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4 H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.16eV处。结果表明,在n型4 H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年02期）
颜永美[4]（1991）在《硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究》一文中研究指出本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受主能级在hv=0.63eV光照下的光离化截面σ_i=6×10~(18)cm~2,及其对自由空穴的俘获截面σ_p=4×10~(15)cm~2.(本文来源于《半导体学报》期刊1991年01期）
傅春寅,鲁永令,曾树荣[5]（1989）在《硅n~+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象》一文中研究指出在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。(本文来源于《电子科学学刊》期刊1989年03期）
李名复,陈建新,姚玉书,白光[6]（1985）在《Si中Au受主能级的流体静压力移动》一文中研究指出用恒温的瞬态电容法测量了各向同性流体静压力P下,Si中Au受主能级E_T的压力系数。在0—8kbar压力范围内,(E_c-E_T)/P=-1.9meV/kbar。该能级对电子俘获截面在实验误差范围内与压力无关。以上数据与文献[13]报道的Si中Au受主深能级在单轴应力下的压力系数作了比较。结果说明该深能级缺陷势不具有T_d对称性,因此Si中Au受主能级看来并不来源于简单的Si中Au替位或间隙组态。(本文来源于《物理学报》期刊1985年08期）
姚秀琛,秦国刚,曾树荣,元民华[7]（1984）在《硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究》一文中研究指出用恒定温度下瞬态电容法研究了硅中金受主能级在沿〈100〉,〈110〉,〈111〉晶向单轴应力作用下的能级移动。考虑到硅的导带在单轴应力下的分裂,导出了单轴应力下深中心中电子发射率的公式。根据该式和发射率的实验数据以及切变畸变势常数,求出了金受主能级激活能随应力的改变。在实验应力范围内(0—9kbar),激活能与应力成线性关系。当应力平行于〈110〉〈111〉晶向时,激活能随应力改变的斜率分别为α_(<110>)=-3.2±0.6meV/kbar,α_(<111>)=-0.3±0.6meV/kbar;当应力平行于〈100〉晶向,若取Ξ_u=9.2eV,α_(<100>)=-5.8±0.8meV/kbar,若取Ξ_=11.4eV,α_(<100>)=-5.3±0.8meV/kbar,α表现出强烈的各向异性。进一步确定了金受主能级相对于零压力下导带底的绝对移动的压力系数。若取Ξ_u=9.2eV,这些系数分别为S_(<100>)=-1.3±0.8meV/kbar,S_(<110>)=0.7±0.6meV/kbar,S_(<111>)=-0.7±0.6meV/kbar。如取Ξ=11.4eV,则S_(<100>)=-3.5±0.8meV/kbar,S_(<110>)=0.0±0.6meV/kbar,S_(<111>)=-1.0±0.6meV/kbar。同一组的叁个绝对移动值之间的偏离都超过了实验误差这一事实,说明了金中心具有立方对称性,同时中性金与带负电的金的基态都是非简并的可能性很小。(本文来源于《物理学报》期刊1984年03期）
B,Schlicht,李鸿勋[8]（1982）在《n型HgCdTe的热力学不稳定性和p型HgCdTe的受主能级、输运性质和寿命》一文中研究指出n型HgCdTe晶体在室温下或者在受热的情况下存放一段时间后会变成p型HgCdTe晶体。实验表明:这种在输运性质和寿命方面的不稳定性也同样是引人注目的;Hg空位是引起变化的原因。实验还证明了,在价带之上有一个5毫电子伏特的受主能级。(本文来源于《红外技术》期刊1982年06期）
受主能级论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
ZnO是一种多功能的化合物晶体材料，其特性决定了它在光电、压电、铁磁、气敏、光敏等领域具有广阔的应用前景，特别是作为蓝/紫外光电器件的优选材料被寄予厚望，基于其在光电器件LED及LD等的应用前景，ZnO同质结的实现一直以来备受关注。ZnO与大多数的宽禁带半导体材料类似，其在p型或n型掺杂特性方面呈现单极性，ZnO表现为其p型特性极难实现，主要原因是：p型ZnO受主能级偏高；受主元素在ZnO中的固溶度低；p型特性稳定性差无法长时间保持；本征施主缺陷的补偿。直到目前稳定有效的p型ZnO的获得依然制约着其应用。而有效的p型ZnO的实现对ZnO在光电领域的应用具有十分重要意义。本文介绍了密度泛函理论的量子力学基础及基本理论框架，以及基于这一理论的第一性原理计算软件CASTEP，在密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法下，对氧化锌的p型掺杂做了研究，设计了通过镁氟氮叁元素共掺杂氧化锌来实现有效稳定的p型氧化锌。论文以N作为受主元素，通过F及Mg的引入提高N在ZnO中的固溶度及降低N受主元素能级来实现稳定有效的p型ZnO。通过研究N单掺，N-Mg共掺，F-N共掺及F-Mg-N共掺ZnO的能带结构及态密度来分析F、Mg的引入对N掺杂的影响的内部机理，进一步计算了各体系下N的受主能级，缺陷形成能及杂质元素间的结合能。以此来判断体系的稳定性，以及p型掺杂的有效性。研究发现采用Mg、F、N叁种元素共掺ZnO能够增加体系结构的稳定性同时降低ZnO中N的受主能级，从而实现稳定有效的p型掺杂。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
受主能级论文参考文献
[1].郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳.掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁[J].物理学报.2019
[2].周星.Mg-F-N共掺实现具有低受主能级的稳定p型ZnO[D].燕山大学.2013
[3].王超,张义门,张玉明,王悦湖,徐大庆.钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文)[J].半导体学报.2008
[4].颜永美.硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究[J].半导体学报.1991
[5].傅春寅,鲁永令,曾树荣.硅n~+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象[J].电子科学学刊.1989
[6].李名复,陈建新,姚玉书,白光.Si中Au受主能级的流体静压力移动[J].物理学报.1985
[7].姚秀琛,秦国刚,曾树荣,元民华.硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究[J].物理学报.1984
[8].B,Schlicht,李鸿勋.n型HgCdTe的热力学不稳定性和p型HgCdTe的受主能级、输运性质和寿命[J].红外技术.1982