导读:本文包含了电子陷阱论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:空间辐射环境,空间电荷特性,陷阱分布,电声脉冲法
电子陷阱论文文献综述
李国倡,李盛涛[1]（2019）在《空间电子辐射环境中绝缘介质电荷沉积特性及陷阱参数研究综述》一文中研究指出空间电子辐射环境中绝缘介质充放电特性与介质表面电荷交换过程或内部电荷迁移过程密切相关.介质表面/内部电荷运动很大程度上取决于材料的微观特性,空间电荷与陷阱是反映绝缘介质微观特性的重要参数.本文综述了电子辐射环境中绝缘介质内部空间电荷和陷阱的形成、作用机理、测量方法、存在的问题及国内外研究现状.首先,简要介绍了入射电子与介质材料的相互作用机理及沉积电荷的形成;分析了电子束辐射下介质内部电荷迁移模型,辐射诱导电导模型(RIC模型)和电子-空穴对的产生/复合模型(GR模型)的优缺点;对比分析了经典电声脉冲法(PEA)以及适用于电子束辐射下空间电荷测量的"短路PEA"和"开路PEA",并总结了电子辐射下PEA装置设计中存在的主要技术难点;其次,简要介绍了电子束辐射下陷阱的形成及作用机理,分析了聚合物介质陷阱参数的提取方法,如热刺激电流法、表面电位衰减法(电晕注入方式或电子辐射方式)、空间电荷衰减法,指出在同一真空环境中完成电子注入和表面电位测量的方法较适合空间介质材料陷阱参数的表征,并以聚酰亚胺为例,进行了陷阱参数提取;最后,从理论模型、参数表征和测量技术等方面,展望了空间绝缘介质亟需解决的科学问题.(本文来源于《物理学报》期刊2019年23期）
张苇杭[2]（2018）在《高压GaN基电力电子器件制备与陷阱电学特性研究》一文中研究指出由于在开关速度、转换效率和开关损耗等方面表现卓越,GaN基电力电子器件的商业化应用越来越广泛。但是,目前的商用GaN基电力电子器件的额定电压均低于650V,因此,国际上提出并报道了很多技术手段,如基于GaN自支撑衬底和多晶AlN衬底的外延技术,用于提高器件击穿电压,扩展其应用范围。但是,如何在提高击穿电压的同时,保持较低的关态漏电以及导通电阻仍然是目前面临的最大困难之一。高压下热效应带来的可靠性问题以及材料中的陷阱对器件电学特性的影响均需要深入研究。本文基于前人的研究成果,首先采用AlGaN/GaN/AlGaN双异质结用于改善器件的击穿特性以及高温特性。相比于AlGaN/GaN单异质结器件,双异质结结构具有更好的载流子限域性,减小了缓冲层漏电。但是其缓冲层和背势垒层的结晶质量可能会恶化,因此,在提升双异质结材料结晶质量的同时,需要深入分析材料中的陷阱对器件电性的影响。众所周知,电容-频率和电导-频率测试技术已经广泛地应用在叁五族异质结的陷阱态分析中。但是,目前对于双异质结器件中的陷阱态在高温下的电性问题,还没有进行系统的研究和报道。依据现有的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构,如何在提高击穿电压的同时,抑制其关态漏电,保证较低的关态功率损耗,也是本文重点解决的问题之一。为了保持较低的关态损耗,对于击穿电压在1000V以上的器件,通常采用1μA/mm的关态漏电作为器件击穿的判定依据。但是,目前极少可以实现1500V以上击穿电压的同时,又保持1μA/mm以下的关态漏电。相比于GaN材料,AlGaN具有更高的本征击穿场强,因此,AlGaN沟道HEMTs器件具有极大的潜力进一步提升器件的击穿电压,扩展GaN基电力电子器件在高压领域的应用范围。但是,AlGaN材料和异质衬底之间存在更严重的晶格失配,很难获得具有高结晶质量的高Al组分AlGaN沟道异质外延材料。因此,受外延材料结晶质量的限制,器件的击穿特性并没有得到大幅改善,其击穿场强远远低于理论值。到目前为止,国际上还没有报道过击穿电压在2000V以上的AlGaN沟道HEMTs器件。由于GaN材料可外延在直径高达200mm的硅衬底上,同时可采用CMOS兼容的器件制备工艺,使得成本大大降低,因此,硅基GaN成为目前最适合商业化应用的技术之一。考虑到电力电子系统对常关型器件的需求,本文同时研究了常关型硅基GaN器件。由于GaN和Si之间存在较严重的晶格失配和热失配,因此,硅基GaN技术仍面临较大挑战。外延生长初始的AlN成核层对AlGaN/GaN异质结的结晶质量起着决定作用,在MOCVD外延生长过程中,较高生长温度使得成核层中的Al原子作为受主扩散到Si衬底中高达50-100nm,在界面处形成的p+Si将成为一个漏电通道,严重地影响了器件的输运和击穿特性。另外,由于SOI衬底可实现GaN单片集成,因此,基于SOI衬底的GaN外延技术在电力电子系统中越来越具有吸引力。但是,由于应力不均匀以及其他相关因素的影响,SOI衬底中的Si器件层会表现出与硅体材料衬底不一样的问题。因此,深入研究SOI衬底中Si器件层的陷阱状态、陷阱对反型层的形成以及对SOI衬底上GaN器件漏电机理的影响极为重要。基于以上问题,本文首先研究了单异质结和双异质结器件中陷阱态的高温行为以及其对器件漏电的影响。然后,制备了高压AlGaN沟道HEMTs器件以及高性能AlGaN/GaN/AlGaN双异质结器件。随后,基于蓝宝石衬底上的研究成果和p-GaN技术,在硅衬底上制备了常关型p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN和p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N器件,并深入研究了p-Si和p-SOI衬底上AlN成核层的漏电机理。详细的研究内容以及成果如下:1.首先介绍了用于表征器件陷阱态的电容-频率和电导-频率分析技术。采用该技术,在单异质结中探测到一种快态陷阱,而在双异质结器件中探测到两种陷阱态:快态和慢态陷阱。而且随着沟道层厚度的减小,双异质结器件显示出更深的陷阱能级。在14nm沟道层厚度的双异质结器件中,测得其室温下的快态陷阱分布在0.273eV~0.277 eV能级处,其态密度从4.6×10~122 cm~(-2)eV~(-1)增加到1.9×10~133 cm~(-2)eV~(-1),慢态陷阱分布在0.384 eV~0.423 eV能级处,其态密度从2.4×10~133 cm~(-2)eV~(-1)减少到8.7×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。相比于单异质结器件,双异质结器件中的深能级陷阱在栅漏电方面起到抑制作用。随着测试温度的升高,可以探测到更深能级的陷阱,而在双异质结器件中,随测试温度升高,探测到的陷阱能级依然深于单异质结器件,这种现象说明了双异质结在抑制高温栅漏电方面具有较大优势。2.设计了一种AlGaN沟道HEMTs,通过结合新型欧姆/肖特基混合漏结构,最终实现器件击穿电压超过2200V,这是国际上首次报道击穿电压超过2200V的AlGaN沟道器件。另外,在器件制备过程中,通过在干法刻蚀后采用TMAH湿法处理工艺,使得该器件获得了高达7×10~9的开关比和64mV/dec的亚阈值摆幅。同时,器件的高温特性和动态特性也得到了改善,这些优异的结果使得该器件具有极大的潜力应用在1200V级的功率开关中。3.采用10 nm厚的GaN沟道和10%Al组分的AlGaN背势垒,实现了一种高性能的AlGaN/GaN/AlGaN HEMTs。相比于AlGaN沟道器件,本章中的器件得益于材料迁移率的改善,在实现超过2000V击穿电压的同时,具有较小的特征导通电阻。另外,在本章详细研究了刻蚀工艺后引入的TMAH处理对器件漏电的改善作用,最终实现了极低的关态漏电流,获得高达10~(10)的开关比和63 mV/dec的亚阈值摆幅。同时,在高温下,该器件在开关比、亚阈值摆幅和击穿电压等方面均表现优异,使得其在高温、高压下的电力电子应用中具有极大的应用潜力。4.基于前文蓝宝石衬底上获得高性能GaN基电力电子器件的研究成果,本论文最后开展了基于商用硅衬底的硅基GaN技术研究。首先制备出两种常关型器件:p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN和p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N器件,发现AlGaN沟道常关型器件具备更高的阈值电压和击穿电压。随后,针对目前p-Si和p-SOI衬底中Al扩散引起的电性陷阱影响器件漏电和击穿特性的问题,通过在两种衬底上MOCVD淀积AlN成核层,采用不同温度以及不同电场下的电学表征手段,分析AlN/p-Si和AlN/p-SOI结构中的载流子输运机理。最终,在两种衬底中均发现反型沟道的形成。对于半垂直结构的AlN/p-SOI,其具有与AlN/p-Si一致的漏电机制,但是,在较低的正向和反向偏压下,需考虑到表面漏电的影响。对于上述两种结构,在较低正向偏压下,载流子漏电机制服从欧姆定律;随着正向偏压的增加,漏电机制转变为从陷阱之间的V-R跃迁;然后受限于Si耗尽区的SRH少子产生,最后变为FN直接隧穿,直至器件击穿。在反向偏压下,漏电流受限于肖特基发射电子;而随着反向栅压增加,载流子漏电机制变成了PF隧穿;最终转变为FN直接隧穿,直至器件失效。该研究成果为以后研究基于p-Si和p-SOI衬底的异质结结构的载流子纵向输运和击穿机理的研究奠定了基础。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-12-01）
周幸叶,吕元杰,谭鑫,王元刚,宋旭波[3]（2018）在《基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理》一文中研究指出陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断缩小,对小尺寸器件中深能级陷阱的表征变得越发困难.本文制备了超短栅长(Lg=80 nm)的AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT),并基于脉冲I-V测试和二维数值瞬态仿真对器件的动态特性进行了深入研究,分析了深能级陷阱对AlGaN/GaN MOSHEMT器件动态特性的影响以及相关陷阱效应的内在物理机制.结果表明,AlGaN/GaN MOSHEMT器件的电流崩塌随着栅极静态偏置电压的增加呈非单调变化趋势,这是由栅漏电注入和热电子注入两种陷阱机制共同作用的结果.根据研究结果推断,可通过改善栅介质的质量以减小栅漏电或提高外延材料质量以减少缺陷密度等措施达到抑制陷阱效应的目的,从而进一步抑制电流崩塌.(本文来源于《物理学报》期刊2018年17期）
佚名[4]（2017）在《看好“电子钱包” 警惕网络陷阱》一文中研究指出信息科技的发展改变了人们的生活,如今,越来越多的人使用智能手机,在享受网络带来便捷的同时,还要有网络安全意识,警惕各种各样的网络陷阱和骗局。二维码不要随便扫微信扫描二维码如今已是再普通不过的事,然而你所不知的是,这里面或许也会有猫腻有一些不法分子,将有病毒程序的网址粘贴到生成器上,生成"有毒"的二维码,利用这些二维码将木马植入被害人手机并自动提取私人信息因此,切忌为了蝇头小利,到处扫描二维码(本文来源于《致富天地》期刊2017年02期）
邓文[5]（2016）在《警惕网络陷阱 看好“电子钱包”》一文中研究指出信息科技的发展改变了人们的生活。如今,越来越多的农民朋友开始使用智能手机,享受网络为生活带来的各种便捷。然而,不可忽视的是,当我们在享受这种便捷的同时,还要有网络安全意识,警惕各种各样的网络陷阱和骗局。本期,我们整理了生活中常见的一些网络陷阱,希望能对大家规避风险有所帮助。(本文来源于《农村百事通》期刊2016年10期）
吴磊[6]（2015）在《警惕电子商务方式确立贸易合同关系中的“陷阱”》一文中研究指出中国信保专家在工作中发现,有的买家借助电子商务形式设置贸易"陷阱",让许多中国出口企业深受其害。本文通过一起典型的案例,向大家展示一些国外买家如何利用电子商务设置"陷阱"坑害企业,提示广大的出口企业在新型贸易形式中要审慎交易、防范风险随着信息技术的发展和互联网在人们生活中的广泛应用,电子商务也越来越普遍地进入到人们的生活。在国际贸易领域,借助其独特的便捷性、易操作性,电子商务这种新型的(本文来源于《国际融资》期刊2015年12期）
薛舫时[7]（2015）在《GaN HFET中的陷阱和局域电子气》一文中研究指出研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰在其两侧产生巨大能带畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。运用这一局域电子气新概念解释了目前实验中观察到的各类陷阱实验,说明目前陷阱研究把高密度局域电子气误认为"陷阱"而引入的各种误解。提出了从局域电子气研究来解决GaN HFET电流崩塌和可靠性难题的新途径。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2015年03期）
罗达玲,唐强,郭竞渊,张纯祥[8]（2015）在《MSO_4:Eu~(2+)(M=Mg,Ca,Sr,Ba)的等电子陷阱与热释光特性》一文中研究指出在硫酸盐掺入稀土元素的研究中,得到了几种掺入Eu2+的碱土金属硫酸盐磷光体MSO4:Eu2+(M=Mg,Ca,Sr,Ba),这组磷光体具有与掺入叁价稀土离子(Tm3+,Dy3+,Eu3+)的碱土金属硫酸盐截然不同的热释光特性,热释光叁维发光谱中只呈现一个热释光峰,对γ和β辐射的热释光剂量响应为线性-亚线性响应.结果清楚地显现出Eu2+对碱土金属阳离子的等价取代而形成的等电子陷阱对这些磷光体的热释光特性起了关键性的作用,Eu2+等电子陷阱与基质中的本征缺陷SO42形成的缺陷复合体作为热释光多阶段过程的基本作用单元,基本上产生一次作用热释光事件.Sr SO4:Eu2+是一种典型的等电子陷阱发光的磷光体,它具有相当高的热释光和光释光发光效率.(本文来源于《物理学报》期刊2015年08期）
杜峰[9]（2015）在《春节抢电子红包谨防陷阱》一文中研究指出电子红包因为方便好玩受到越来越多年轻人的青睐。临近春节，红包大战愈演愈烈。微信2月9日宣布，春节期间将联合各类商家推出春节“摇红包”活动，将送出金额超过5亿元的现金红包(单个最大红包为4999元)，以及超过30亿元卡券红包。支付宝方面，继红包分享功能被微(本文来源于《通信信息报》期刊2015-02-11）
周邱林[10]（2014）在《农资电商是未来还是陷阱?——访农一电子商务(北京)有限公司总经理 张福宽》一文中研究指出随着行业的发展,农资也迈入到高大上的电商领域。近几年大家逐渐达成一个共识,电子商务不是能不能做的问题,而是能不能做好的问题。物流、团队、资金、产品、客户群开发等一个个难题摆在农资人面前。而农资行业又是一个极为特殊行业,扎根于农村,服务中国土地,这给涉农的电子商务带来不少困难。农村人口的老龄化、物流的县级单元化(很多快递只到县级)、弃耕抛荒问题严重化,更让很多希望发力农村市场的电子商务望而却步。目前越炒越热的农资电子商务,到底是未来还是陷阱?9月13日,在第七届中国农药发展高层论坛上,农一电子商务(北京)有限公司高调亮相,筹划近一年的农一网是否能担当起农资电商的重任?《农资与市场》杂志社专访农一网总经理张福宽,探寻农资电商的破局之道。(本文来源于《营销界(农资与市场)》期刊2014年21期）
电子陷阱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于在开关速度、转换效率和开关损耗等方面表现卓越,GaN基电力电子器件的商业化应用越来越广泛。但是,目前的商用GaN基电力电子器件的额定电压均低于650V,因此,国际上提出并报道了很多技术手段,如基于GaN自支撑衬底和多晶AlN衬底的外延技术,用于提高器件击穿电压,扩展其应用范围。但是,如何在提高击穿电压的同时,保持较低的关态漏电以及导通电阻仍然是目前面临的最大困难之一。高压下热效应带来的可靠性问题以及材料中的陷阱对器件电学特性的影响均需要深入研究。本文基于前人的研究成果,首先采用AlGaN/GaN/AlGaN双异质结用于改善器件的击穿特性以及高温特性。相比于AlGaN/GaN单异质结器件,双异质结结构具有更好的载流子限域性,减小了缓冲层漏电。但是其缓冲层和背势垒层的结晶质量可能会恶化,因此,在提升双异质结材料结晶质量的同时,需要深入分析材料中的陷阱对器件电性的影响。众所周知,电容-频率和电导-频率测试技术已经广泛地应用在叁五族异质结的陷阱态分析中。但是,目前对于双异质结器件中的陷阱态在高温下的电性问题,还没有进行系统的研究和报道。依据现有的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构,如何在提高击穿电压的同时,抑制其关态漏电,保证较低的关态功率损耗,也是本文重点解决的问题之一。为了保持较低的关态损耗,对于击穿电压在1000V以上的器件,通常采用1μA/mm的关态漏电作为器件击穿的判定依据。但是,目前极少可以实现1500V以上击穿电压的同时,又保持1μA/mm以下的关态漏电。相比于GaN材料,AlGaN具有更高的本征击穿场强,因此,AlGaN沟道HEMTs器件具有极大的潜力进一步提升器件的击穿电压,扩展GaN基电力电子器件在高压领域的应用范围。但是,AlGaN材料和异质衬底之间存在更严重的晶格失配,很难获得具有高结晶质量的高Al组分AlGaN沟道异质外延材料。因此,受外延材料结晶质量的限制,器件的击穿特性并没有得到大幅改善,其击穿场强远远低于理论值。到目前为止,国际上还没有报道过击穿电压在2000V以上的AlGaN沟道HEMTs器件。由于GaN材料可外延在直径高达200mm的硅衬底上,同时可采用CMOS兼容的器件制备工艺,使得成本大大降低,因此,硅基GaN成为目前最适合商业化应用的技术之一。考虑到电力电子系统对常关型器件的需求,本文同时研究了常关型硅基GaN器件。由于GaN和Si之间存在较严重的晶格失配和热失配,因此,硅基GaN技术仍面临较大挑战。外延生长初始的AlN成核层对AlGaN/GaN异质结的结晶质量起着决定作用,在MOCVD外延生长过程中,较高生长温度使得成核层中的Al原子作为受主扩散到Si衬底中高达50-100nm,在界面处形成的p+Si将成为一个漏电通道,严重地影响了器件的输运和击穿特性。另外,由于SOI衬底可实现GaN单片集成,因此,基于SOI衬底的GaN外延技术在电力电子系统中越来越具有吸引力。但是,由于应力不均匀以及其他相关因素的影响,SOI衬底中的Si器件层会表现出与硅体材料衬底不一样的问题。因此,深入研究SOI衬底中Si器件层的陷阱状态、陷阱对反型层的形成以及对SOI衬底上GaN器件漏电机理的影响极为重要。基于以上问题,本文首先研究了单异质结和双异质结器件中陷阱态的高温行为以及其对器件漏电的影响。然后,制备了高压AlGaN沟道HEMTs器件以及高性能AlGaN/GaN/AlGaN双异质结器件。随后,基于蓝宝石衬底上的研究成果和p-GaN技术,在硅衬底上制备了常关型p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN和p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N器件,并深入研究了p-Si和p-SOI衬底上AlN成核层的漏电机理。详细的研究内容以及成果如下:1.首先介绍了用于表征器件陷阱态的电容-频率和电导-频率分析技术。采用该技术,在单异质结中探测到一种快态陷阱,而在双异质结器件中探测到两种陷阱态:快态和慢态陷阱。而且随着沟道层厚度的减小,双异质结器件显示出更深的陷阱能级。在14nm沟道层厚度的双异质结器件中,测得其室温下的快态陷阱分布在0.273eV~0.277 eV能级处,其态密度从4.6×10~122 cm~(-2)eV~(-1)增加到1.9×10~133 cm~(-2)eV~(-1),慢态陷阱分布在0.384 eV~0.423 eV能级处,其态密度从2.4×10~133 cm~(-2)eV~(-1)减少到8.7×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。相比于单异质结器件,双异质结器件中的深能级陷阱在栅漏电方面起到抑制作用。随着测试温度的升高,可以探测到更深能级的陷阱,而在双异质结器件中,随测试温度升高,探测到的陷阱能级依然深于单异质结器件,这种现象说明了双异质结在抑制高温栅漏电方面具有较大优势。2.设计了一种AlGaN沟道HEMTs,通过结合新型欧姆/肖特基混合漏结构,最终实现器件击穿电压超过2200V,这是国际上首次报道击穿电压超过2200V的AlGaN沟道器件。另外,在器件制备过程中,通过在干法刻蚀后采用TMAH湿法处理工艺,使得该器件获得了高达7×10~9的开关比和64mV/dec的亚阈值摆幅。同时,器件的高温特性和动态特性也得到了改善,这些优异的结果使得该器件具有极大的潜力应用在1200V级的功率开关中。3.采用10 nm厚的GaN沟道和10%Al组分的AlGaN背势垒,实现了一种高性能的AlGaN/GaN/AlGaN HEMTs。相比于AlGaN沟道器件,本章中的器件得益于材料迁移率的改善,在实现超过2000V击穿电压的同时,具有较小的特征导通电阻。另外,在本章详细研究了刻蚀工艺后引入的TMAH处理对器件漏电的改善作用,最终实现了极低的关态漏电流,获得高达10~(10)的开关比和63 mV/dec的亚阈值摆幅。同时,在高温下,该器件在开关比、亚阈值摆幅和击穿电压等方面均表现优异,使得其在高温、高压下的电力电子应用中具有极大的应用潜力。4.基于前文蓝宝石衬底上获得高性能GaN基电力电子器件的研究成果,本论文最后开展了基于商用硅衬底的硅基GaN技术研究。首先制备出两种常关型器件:p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN和p-GaN/Al_(0.2)Ga_(0.8)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N器件,发现AlGaN沟道常关型器件具备更高的阈值电压和击穿电压。随后,针对目前p-Si和p-SOI衬底中Al扩散引起的电性陷阱影响器件漏电和击穿特性的问题,通过在两种衬底上MOCVD淀积AlN成核层,采用不同温度以及不同电场下的电学表征手段,分析AlN/p-Si和AlN/p-SOI结构中的载流子输运机理。最终,在两种衬底中均发现反型沟道的形成。对于半垂直结构的AlN/p-SOI,其具有与AlN/p-Si一致的漏电机制,但是,在较低的正向和反向偏压下,需考虑到表面漏电的影响。对于上述两种结构,在较低正向偏压下,载流子漏电机制服从欧姆定律;随着正向偏压的增加,漏电机制转变为从陷阱之间的V-R跃迁;然后受限于Si耗尽区的SRH少子产生,最后变为FN直接隧穿,直至器件击穿。在反向偏压下,漏电流受限于肖特基发射电子;而随着反向栅压增加,载流子漏电机制变成了PF隧穿;最终转变为FN直接隧穿,直至器件失效。该研究成果为以后研究基于p-Si和p-SOI衬底的异质结结构的载流子纵向输运和击穿机理的研究奠定了基础。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子陷阱论文参考文献
[1].李国倡,李盛涛.空间电子辐射环境中绝缘介质电荷沉积特性及陷阱参数研究综述[J].物理学报.2019
[2].张苇杭.高压GaN基电力电子器件制备与陷阱电学特性研究[D].西安电子科技大学.2018
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