本文主要研究内容
作者何安林,郭刚,沈东军,刘建成,史淑廷（2019）在《65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估》一文中研究指出：质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%～86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。
Abstract
zhi zi chan li zi xiao ying shi na mi gong yi ji cheng dian lu kong jian ying yong mian lin de zhu yao fu she wen ti zhi yi 。ben wen kai zhan le yi kuan shang ye ji 65 nmgong yi 4 M×18 bitsui ji jing tai cun chu qi (SRAM)zhi zi chan li zi fan zhuai shi yan yan jiu 。zhen dui de qiu tong bu gui dao 、di de qiu gui dao ,shi yong Space Radiation 7.0cheng xu ,yu gu le di neng zhi zi 、gao neng zhi zi he chong li zi yin qi de cuo wu lv 。cuo wu lv yu gu fen xi jie guo biao ming ,bu tong gui dao ji huan jing mo xing xia di neng zhi zi cuo wu lv zhan zong cuo wu lv de bi li fan wei wei 1%～86%,ji zhong tai yang zhi zi shi jian 、de qiu fu huo dai deng huan jing mo xing zhong di neng zhi zi chan li zi fan zhuai yin qi de cuo wu lv zhan zhu dao ,jian yi kong jian ying yong de yuan qi jian dui di neng zhi zi bu min gan 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自原子能科学技术的何安林,郭刚,沈东军,刘建成,史淑廷，发表于刊物原子能科学技术2019年02期论文，是一篇关于质子单粒子翻转论文,空间辐射环境论文,错误率预估论文,原子能科学技术2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自原子能科学技术2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。