导读:本文包含了数控衰减器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:衰减器,高精度,低附加相移
数控衰减器论文文献综述
陈隆章,袁波,谢卓恒,王强[1]（2019）在《24～30 GHz高精度低附加相移数控衰减器》一文中研究指出基于0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一种5位高精度低附加相移数控衰减器。该衰减器的衰减动态范围为15.5 dB,步进为0.5 dB。采用了T型衰减结构和SPDT型衰减结构的衰减网络。采用了悬浮栅和悬浮衬底,提高了衰减精度,减小了插入损耗。采用了相位补偿网络,有效降低了衰减器的附加相移。测试结果表明,在24～30 GHz频带范围内,衰减步进为0.5 dB,插入损耗小于8 dB,衰减误差均方根(RMS)小于0.45 dB,附加相移小于±5°。芯片尺寸为1.2 mm×0.3 mm。(本文来源于《微电子学》期刊2019年03期）
秦建峰,谢晓宇,涂明,蔡宏[2]（2019）在《CINRAD/SA型天气雷达射频数控衰减器的电路原理及故障维修》一文中研究指出文章详细介绍了CINRAD/SA型天气雷达射频数控衰减器的结构与组成、电路原理,并结合1次故障实例,介绍了射频数控衰减器的故障诊断与器件维修的具体方法,特别是提出了一种基于数据分析的故障诊断方法。维修实例表明了数据分析法与硬件测试方法相结合,可使射频数控衰减器的故障诊断与维修工作事半功倍。(本文来源于《气象水文海洋仪器》期刊2019年02期）
刘凡,熊翼通,刘志伟[3]（2018）在《一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器》一文中研究指出提出了一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器。采用一种改进型开关T型衰减网络,实现了2dB与4dB的衰减位。网络在整个带宽内具有良好的附加相位特性。其他各衰减位采用了基于传输线的相位补偿结构。该6位单片数控衰减器基于0.25μm GaAs工艺进行流片与验证,芯片面积为(2.2×1.4)mm~2。测试结果表明,在整个带宽内,该数控衰减器的插损小于4.1dB,输入输出回波损耗小于-10.7dB,RMS幅度误差小于0.26dB,RMS相位误差小于2.4°。(本文来源于《微电子学》期刊2018年02期）
王康睿[4]（2017）在《0-4GHz MMIC集成串并转换数控衰减器芯片研制》一文中研究指出数控衰减器是有源相控阵雷达T/R模块中的关键部件。为了实现相控阵雷达T/R模块小型化、轻量化和高可靠性的需求,本论文研制了一款集成串并转换功能的数控衰减器芯片。该芯片将数控衰减器和输入信号串并转换模块集成到一块MMIC芯片上,从而减小了 T/R模块的尺寸、重量和成本,减少了组件难度,同时也提高了 T/R模块的可靠性。本文从数控衰减器技术指标和衰减器拓扑结构、微波开关原理、GaAs数字电路等方面,深入研究了 MMIC集成串并转换功能的数控衰减器的设计,形成了减小附加相移、降低插入损耗等关键指标的设计技术,并采用0.5um GaAs E/D pHEMT工艺设计了 一款集成串并转换功能的数控衰减器芯片。在设计过程中,串并转换模块使用直接耦合场效应逻辑结构并进行了原理图仿真验证。数控衰减器采用了改进T性拓扑结构和开关型拓扑结构来减小参考态插入损耗和芯片整体附加相移。对芯片整体版图进行了电磁仿真验证,确保了芯片的整体综合指标满足设计要求,并且插入损耗、衰减精度等关键指标性能优异。芯片测试采用了基于探针台、矢量网络分析仪、PXI机箱的小信号测试系统,并使用自动测试程序对实际制作的集成串并转换功能的数控衰减器芯片进行了全面电性能测试评估。测试结果表明该芯片在0-4GHz工作带宽内:参考态插入损耗4GHz时为-2.3dB,rms衰减精度小于0.3dB,整体附加相移小于2。,所有态输入输出反射系数小于-14dB,芯片尺寸为2.00mmX 1.70mm。(本文来源于《浙江大学》期刊2017-12-30）
张林,赵晨曦,刘辉华,吴韵秋,康凯[5]（2017）在《基于CMOS工艺的毫米波低相移4位数控差分衰减器》一文中研究指出本文介绍了一种具有低传输相移的4位数控步进差分衰减器,此衰减器采用了开关式Pi/T型结构衰减器,在其并联支路中引入了一种新型的相位补偿电路,以减小参考态和衰减态的相位差。此衰减器采用0.18μm CMOS工艺设计与集成,核心电路所占芯片面积为0.46?0.48 mm2。在测试中,15-17GHz频段内,此衰减器的插损为10-10.2 d B,衰减RMS精度误差最大为0.94d B,传输相位RMS误差小于3.2°。同样在15-17 GHz频段内,此衰减器回波损耗大于10d B,衰减步进为1.2d B,最大衰减量为18d B,共有16个状态。(本文来源于《2017年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2017-05-08）
徐艳蒙[6]（2016）在《一种X波段低插损5位数控衰减器设计》一文中研究指出该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配.仿真结果显示,该衰减器的插损小于5.0 d B;所有状态的相移小于7°;输入端口回波损耗小于-15.7 d B,输出端口回波损耗小于-16.65 d B.(本文来源于《天津理工大学学报》期刊2016年04期）
张滨,李富强,杨柳,魏洪涛,方园[7]（2016）在《带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计》一文中研究指出采用GaAs增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年07期）
张博,赵晶,张晗,李金蕾[8]（2016）在《高性能25～30GHz 6位单片数控衰减器》一文中研究指出采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款高性能25~30GHz 6位单片数控衰减器芯片。电路采用6个基本衰减单元级联结构,通过控制不同衰减位导通状态组合形成64个衰减状态,给出在衰减电阻上并联的衰减结构。仿真结果表明,所设计的数控衰减器具有0.5dB的衰减步进和31.5dB的最大衰减范围;插入损耗小于5.7dB,回波损耗优于-10dB;所有状态衰减精度小于+0.5dB,附加相移小于-6.0°,衰减幅度均方根误差小于0.21dB,芯片尺寸为2.0mm×1.0mm,可提高衰减精度。(本文来源于《西安邮电大学学报》期刊2016年02期）
姚万仞[9]（2015）在《S波段数控衰减器芯片设计与实现》一文中研究指出采用0.5μm Ga As PHEMT工艺设计了一款工作于2.7GHz~3.5GHz的3bit数控衰减器芯片,经过测试通态插入损耗<0.7d B,最大衰减量5.6d B,衰减步进0.8d B,衰减平坦度≤0.1d B,衰减精度±0.2d B,全态输入/输出电压驻波比系数<1.25,全态衰减附加相移在-3°~2°之间,芯片面积1.04mm×1.2mm。(本文来源于《电子制作》期刊2015年24期）
甄建宇[10]（2014）在《一种低插损大衰减量的MMIC 6位数控衰减器》一文中研究指出随着微波通信的不断发展,通信系统中不断的需要高性能、小型化集成电路来满足用户越来越复杂的要求。而砷化镓微波单片集成电路的出现正是顺应了这样的要求。单片电路器件的密度高、重量小、设计方便、可靠性强、工作频带宽及耗电非常少等优点。而对于微波数控衰减器,它可以通过给定的控制电平来实现对射频信号幅度的调节。数控衰减器的主要指标包括衰减精度、动态范围、插入损耗以及驻波等,其性能的好坏往往直接影响到整个电路系统中的性能指标。针对上述问题,本论文以设计低插损、大衰减量、高的衰减精度、端口驻波好为基本内容,此外为了实现正的TTL电平控制,集成了驱动电路,最终实现了数模混合的设计。本文的主要内容如下:首先,介绍了本课题的发展背景及意义、MMIC的发展概况和研究进展。对数控衰减器的基本原理以及结构分类做了详细的描述及分析。给出了单片电路中的有源器件以及无源器件的模型分析,并介绍了pHEMT的模型参数提取方法。然后,基于以上模型和理论,仿真设计了一款低插损大衰减量数控衰减器。为了更加方便应用,还设计了一个驱动器将其转化为正电控制衰减器。并分别给出了衰减器和驱动器的仿真曲线以及整个电路版图。最后,将仿真好的版图加工成实物并利用矢网进行了测试和分析。本文所选择的单片流片工艺,是国内中国电子科技集团第十叁研究所的E、D工艺。结合了工艺线提供的元件库,完成了指标优良的MMIC数控衰减器,最后交由工艺线生产。对样本测试结果满足设计要求。在DC~2GHz的工作频带内,六位数控衰减器芯片的最大衰减量达到了63dB,以1dB为衰减步进。各个主要态的封装测试结果如下:1dB±0.15d B(1dB位):2d B±0.15dB(2d B位):4dB±0.1dB(4dB位):8d B±0.4dB(8dB位):16dB±1dB(16dB位):32dB±2d B(32d B位)。插入损耗小于2.2dB。芯片尺寸为3mm×2mm。(本文来源于《电子科技大学》期刊2014-04-01）
数控衰减器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
文章详细介绍了CINRAD/SA型天气雷达射频数控衰减器的结构与组成、电路原理,并结合1次故障实例,介绍了射频数控衰减器的故障诊断与器件维修的具体方法,特别是提出了一种基于数据分析的故障诊断方法。维修实例表明了数据分析法与硬件测试方法相结合,可使射频数控衰减器的故障诊断与维修工作事半功倍。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
数控衰减器论文参考文献
[1].陈隆章,袁波,谢卓恒,王强.24～30GHz高精度低附加相移数控衰减器[J].微电子学.2019
[2].秦建峰,谢晓宇,涂明,蔡宏.CINRAD/SA型天气雷达射频数控衰减器的电路原理及故障维修[J].气象水文海洋仪器.2019
[3].刘凡,熊翼通,刘志伟.一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器[J].微电子学.2018
[4].王康睿.0-4GHzMMIC集成串并转换数控衰减器芯片研制[D].浙江大学.2017
[5].张林,赵晨曦,刘辉华,吴韵秋,康凯.基于CMOS工艺的毫米波低相移4位数控差分衰减器[C].2017年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2017
[6].徐艳蒙.一种X波段低插损5位数控衰减器设计[J].天津理工大学学报.2016
[7].张滨,李富强,杨柳,魏洪涛,方园.带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计[J].半导体技术.2016
[8].张博,赵晶,张晗,李金蕾.高性能25～30GHz6位单片数控衰减器[J].西安邮电大学学报.2016
[9].姚万仞.S波段数控衰减器芯片设计与实现[J].电子制作.2015
[10].甄建宇.一种低插损大衰减量的MMIC6位数控衰减器[D].电子科技大学.2014