导读:本文包含了双多晶发射极论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:双多晶自动准,NPN晶体管,发射极尺寸,剂量率效应
双多晶发射极论文文献综述
刘默寒,陆妩,贾金成,施炜雷,王信[1]（2018）在《发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响》一文中研究指出为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的NPN型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率。同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强。(本文来源于《核技术》期刊2018年11期）
郑若成,顾爱军[2]（2012）在《多晶发射极结构叁极管抗总剂量能力研究》一文中研究指出文章通过分析总剂量辐照机理和叁极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构总剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+薄氧化层的结构,该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧化层辐照效应的影响,而普通结构EB之间则是厚氧化层结构,总剂量辐照能力弱。在对多晶发射极结构总剂量辐照关键部位的分析过程中,对多晶发射极叁极管局部结构进行了进一步优化设计,最后给出了多晶发射极结构叁极管的辐照实验结果,并对实验结果进行了分析。(本文来源于《电子与封装》期刊2012年07期）
郑若成,刘丽艳,徐政[3]（2004）在《Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀》一文中研究指出在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。(本文来源于《电子与封装》期刊2004年02期）
章从福[4]（2003）在《上海贝岭开发成功双极型1.2微米多晶发射极工艺平台》一文中研究指出"双极型1.2微米多晶发射极晶体管工艺平台开发"是上海贝岭公司列入市一级科技研发项目。经过项目组成员和工程师们的不懈努力,业已开发成功。已经对外提供FOUNDRY服务,进入批量生产。双极型1.2微米多晶发射极晶体管工艺平台开发成功,填补了国内空白,达到国外先进水平。(本文来源于《半导体信息》期刊2003年05期）
刘志农,熊小义,黄文韬,李高庆,张伟[5]（2003）在《多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)》一文中研究指出研制成功了可商业化的 75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料 .研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件 ,其性能为 :β =60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指 ,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷 ,该工艺总共只有 6步光刻 ,与CMOS工艺兼容且 (因多晶发射极 )无需发射极外延层的生长 ,这些优点使其适合于商业化生产 .利用 60指和 1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器 .60指功放在 90 0MHz和 3 5V/ 0 2A偏置时在 1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE =2 2dBm/ 1 1dB/ 2 6 1 % .1 2 0指功放 90 0MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE =33 3dBm (2 1W ) / 1 0 3dB/ 33 9% @1 1V/ 0 52A .(本文来源于《半导体学报》期刊2003年09期）
张全,朱恩均[6]（1981）在《多晶发射极超增益晶体管》一文中研究指出用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管,当I_c从1mA减小到20nA时,h_(FE)始终保持在2000左右。(本文来源于《电子学报》期刊1981年02期）
双多晶发射极论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
文章通过分析总剂量辐照机理和叁极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构总剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+薄氧化层的结构,该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧化层辐照效应的影响,而普通结构EB之间则是厚氧化层结构,总剂量辐照能力弱。在对多晶发射极结构总剂量辐照关键部位的分析过程中,对多晶发射极叁极管局部结构进行了进一步优化设计,最后给出了多晶发射极结构叁极管的辐照实验结果,并对实验结果进行了分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双多晶发射极论文参考文献
[1].刘默寒,陆妩,贾金成,施炜雷,王信.发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响[J].核技术.2018
[2].郑若成,顾爱军.多晶发射极结构叁极管抗总剂量能力研究[J].电子与封装.2012
[3].郑若成,刘丽艳,徐政.Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀[J].电子与封装.2004
[4].章从福.上海贝岭开发成功双极型1.2微米多晶发射极工艺平台[J].半导体信息.2003
[5].刘志农,熊小义,黄文韬,李高庆,张伟.多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT(英文)[J].半导体学报.2003
[6].张全,朱恩均.多晶发射极超增益晶体管[J].电子学报.1981