导读:本文包含了高电介质薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:高电介质材料,脉冲激光沉积,光电子能谱
高电介质薄膜论文文献综述
高宝龙[1]（2017）在《原位同步辐射X射线光电子能谱研究高k电介质薄膜层的电子结构》一文中研究指出在超高真空条件下,利用脉冲激光沉积技术在衬底为300℃的硅片上面沉积不同厚度的Er_2O_3、La_2O_3、Al_2O_3、LaAlO_3高电介质薄膜,制成不同体系的多层薄膜结构。在原位条件下,利用同步辐射光电子能谱研究了在氧气中,不同退火温度下,硅与高k氧化物界面层的电子结构。在Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构中,Al_2O_3作为势垒层,XPS研究了Er_2O_3与Si的界面电子层结构:无论是在相同势垒层的厚度,不同退火温度下,还是在相同退火温度,不同势垒层厚度下,Al_2O_3中Al的2p峰在低、高温退火前后没有变化;Er 4d峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒。衬底硅的芯能级峰在沉积Al_2O_3时没有变化,但在沉积Er_2O_3薄膜时和退火过程中,有硅化物生成,而且同一温度下,随着Al_2O_3厚度的增加,其硅化物中硅的峰强减弱,含量减少,说明势垒层起到了很好的阻挡扩散的作用。这就表明Al_2O_3从沉积到退火,不参与任何反应,与Si界面很稳定;但在沉积Er_2O_3或者在退火过程中,它就会与通过势垒层的间隙式扩散硅反应,形成硅酸盐,其与硅的界面不太稳定。在La_2O_3/LaAlO_3/Si多层膜结构中,XPS研究了LaAlO_3作为势垒层的La_2O_3与Si的界面电子结构。结果显示,LaAlO_3中Al的2p峰在沉积和退火前后没有变化;衬底硅的芯能级峰在沉积LaAlO_3时没有变化,但在沉积La_2O_3薄膜和退火过程中,硅峰变弱;O的1s芯能级的峰由多种不用的氧化物薄膜层和反应物中的氧杂化而成。结果表明:LaAlO_3从沉积到退火当中,不参与任何反应,Si与LaAlO_3界面相当稳定;在体系中,阻挡层La AlO3起到阻挡硅扩散的作用,进一步表明La_2O_3与硅的界面不太稳定。比较两种结构,其热稳定性随着势垒层厚度的增加而增加,在等效氧化层厚度不变的情况下,其物理厚度就会沉积的越厚,即减小了漏电流,又提高了器件的稳定性。(本文来源于《新疆大学》期刊2017-06-30）
杨瑞琪[2]（2017）在《高热稳定性聚芳醚腈电介质薄膜的制备与性能研究》一文中研究指出随着电子信息产业的飞速发展对设备集成化、小型化及可携带化的要求,这就对目前的材料行业提出了新的课题,制备更先进的材料来满足先进设备制造对材料的要求。对于电子产品来说电介质材料是直接影响元器件性能的因素。聚芳醚腈是一种具有杰出性能的特种功能材料,能够应用于社会生活生产的许多方面,高绝缘性、高热稳定性以及优异的介电性能使其在电容器及储能薄膜电容器等电子元器件制造方面有巨大的应用潜力。因此为了拓宽聚芳醚腈的应用,本文通过化学及物理方法对聚芳醚腈基材料的性能进行优化以期能实现在上述方面的实际应用。首先,本文合成了可交联型聚芳醚腈。由于链端邻苯二甲腈在加热或催化条件下会发生成环反应,因此我们通过热交联及加入叁官能度邻苯二甲腈作交联剂制备了交联聚芳醚腈薄膜。并通过DSC、TGA、DMA及TMA证明了其具有介电性能-频率、温度、时间以及工作循环稳定性,并证明其能够在宽频范围(100 Hz-200kHz)、宽温度范围(20-350 oC)以及长时间使用并具有优异的可靠性。铁电性测试证明交联聚芳醚腈是典型的线性电介质并且在高温下具有稳定的储能特性。其次,由于聚芳醚腈交联条件苛刻限制了其的制备及应用,因此通过水热法制备了纳米氧化锌晶须(ZnO-nws)并将其作为交联催化剂加入到聚芳醚腈基体中,并研究了其对聚芳醚腈交联反应的催化剂作用以及对交联聚芳醚腈薄膜的交联度、热稳定性、力学性能、介电性能以及储能特性等的影响。通过研究发现纳米氧化锌晶须对交联反应有明显的催化作用可以有效的优化交联工艺并且可以在保证介电性能-温度稳定性的前提下提高介电常数,实现更高的储能密度。最后,为提高交联聚芳醚腈薄膜的介电常数,我们制备了核壳锆酸铅包裹钛酸钡纳米粒子,并作为高介电填料制备了复合高介电聚芳醚腈薄膜。通过对交联度、热稳定性、介电性能及储能特性的研究发现纳米粒子加入不会破坏薄膜的热稳定及介电性能-温度稳定性,并且在提高介电常数的同时保持击穿强度最终实现交联薄膜储能密度的提高,使其在优化的交联工艺条件下得到高介电的交联薄膜。通过本研究表明,交联聚芳醚腈具有极其优异的综合性能,特别是介电性能-温度稳定性以及通过改性使其具有优异的加工性及高介电常数与储能密度使其在薄膜电容器以及储能薄膜电容器方面具有巨大的应用潜力。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-03-01）
任国伟[3]（2013）在《多层金属—电介质薄膜结构超分辨聚焦技术研究》一文中研究指出近年来，超分辨技术的研究越来越引起科研工作者的注意，并得到了迅速发展，许多新型的人工电磁材料和超透镜结构被提出来。特别是多层金属-电介质薄膜结构，由于其具有异常的色散特性和通过与表面等离子体的结合传输倏逝波的能力，在超分辨技术中有着重要的地位。本论文基于多层金属-电介质薄膜结构的特殊光学性质，设计了一系列新型超分辨聚焦和成像器件，从而对其超衍射特性进行了研究和讨论。论文的主要研究内容和成果如下：1.基于多层金属-电介质薄膜结构的单缝菲涅尔超聚焦元件设计。通过研究多层银-碳化硅纳米薄膜结构的色散特性和超衍射能力，以及菲涅尔波带片的聚焦性质，设计出了一种单缝超分辨聚焦元件，它结合了多层膜对倏逝波的传输能力和菲涅尔半波带的聚焦能力，并通过数值模拟和实验设计证明了其超聚焦的效果。与传统设计相比，该器件工作在365nm波长下，理论分辨极限可达32nm，大约为波长十一分之一，远远超过了衍射极限。该器件在纳米光刻、显微技术和光存储等方面有着潜在的应用价值。2.利用双曲色散人工电磁材料的多缝超聚焦透镜设计及其在离轴照明下的聚焦特性分析。利用菲涅尔半波带片对入射光位相的调制，及MIM波导阵列对表面等离子体激发效率的提升，设计了一种基于双曲色散人工电磁材料的多缝超分辨聚焦元件。该元件相对于传统的菲涅尔波带聚焦元件，进一步提升了分辨力，而且改善了焦斑旁瓣的大小。接着用解析的方法分析了其在离轴照明下的聚焦特性，同时运用有限元方法数值模拟验证。根据分析和数值模拟结果，解释了双曲色散人工电磁材料的离轴聚焦产生像差的原因，以及减小像差并增加聚焦视场的条件。本工作为进一步研究多物点、大视场超分辨成像和聚焦技术提供了有用的支持。3.利用等离子体反射银膜的hyperlens缩小成像器件研究。利用等离子体反射层对倏逝波的放大和增强作用，设计了一种新型的hyperlens器件，其能运用于亚波长缩小成像和光刻。通过一个简单的模型结构分析了光的偏振特性对于hyperlens分辨力的影响，最终优化设计出半宽分辨力为15nm、间距为30nm的缩小成像hyperlens器件。(本文来源于《中国科学院研究生院（光电技术研究所）》期刊2013-05-01）
陈阳,杨春,曹景磊,孙尧[4]（2009）在《聚合物电介质薄膜的能量归一化光激电流谱》一文中研究指出为了利用光激电流谱准确地表征聚合物电介质材料中的电荷陷阱密度按能量分布的情况,需要将原始光激电流谱对光激发能量进行归一化。依据光激电流强度与陷阱电荷释放量以及激发光强的关系,给出了能量归一化光激电流谱的定义及其测量原理。根据这一原理设计了实际的测量系统,该系统由波长可调谐的激光器、光能量计、静电计和测试样品室构成。系统由基于LabVIEW开发的软件控制,实现激发光波长的线性扫描和电流与光能量信号的实时采集。利用该系统测量了聚酯薄膜的能量归一化光激电流谱,测量结果发现在聚酯薄膜中电荷陷阱能量主要分布在4.08~5.17 eV之间,在4.22 eV处具有陷阱态密度最大值,并计算出该能量附近的电荷陷阱密度为5×1014cm-3数量级。(本文来源于《电机与控制学报》期刊2009年S1期）
何稀[5]（2009）在《电介质薄膜材料微波性能参数测试方法研究》一文中研究指出随着科学技术的发展,电路和元器件正朝着薄膜化、集成化的方向发展。电介质薄膜材料作为薄膜材料,正因顺应这一发展趋势而得以广泛地研制和应用。目前电介质薄膜材料的应用已进入微波频段,因此,在微波频段准确地测试电介质薄膜材料微波电磁参数对薄膜材料的研制和微电子器件、电路的设计是至关重要的。本文对电介质薄膜材料的测试技术进行了系统的研究,提出了相应的测试方法。主要研究工作如下:1.通过对国内外相关技术的分析,依据电介质薄膜的物理特性,确定了共面波导结构测试方案,并对测试过程中出现的几种共面波导结构进行了准静态分析。2.在谐振法上,确定了测试夹具的等效复介电常数与测试参数之间的关系,并从测试夹具的等效复介电常数中提取出电介质薄膜材料的复介电常数。建立了由矢量网络分析仪、转接头、测试电路、耦合装置、加压装置和固定装置组成的谐振法测试系统。并在在1～4GHz的频率范围内,对多个电介质薄膜材料进行了测量。3.在传输法上,采用去嵌入方法确定了测试夹具的等效复介电常数和散射矩阵的关系式,建立了由矢量网络分析仪、连接器和测试夹具组成的测试系统,并对传输法测试进行了仿真计算。谐振法测试结果表明,谐振法测试理论是正确和准确的。传输法仿真结果表明,传输法测试理论在理论上是正确和准确的。(本文来源于《电子科技大学》期刊2009-04-01）
徐文彬[6]（2008）在《高k电介质薄膜制备研究与集成薄膜电容探讨》一文中研究指出随着无线通信的飞速发展,电子器件越来越朝着微型化、薄膜化、集成化的方向发展,作为电路基本元件的电容也因此受到科技界的广泛关注。本文主要对薄膜电容进行研究,研究工作从两个方面展开:a.以MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)结构栅电容为应用背景的高介电常数电介质薄膜的研究;b.基于MIM(Metal-Insulator-Metal)结构和共面电极结构的集成薄膜电容研究。本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。取得了如下研究成果:1.研究了O_2/N_2/Ar混合气氛中SiO_xN_y薄膜的反应溅射沉积。通过对反应溅射机理研究和建模分析,找出了反应气体流量配比同溅射速率、薄膜成分间的关系;据此结合溅射系统的实际条件,确定了由1.0sccm氮气和9.5sccm氩气组成预置气体流量,再通过微调氧气流量对SiO_xN_y薄膜成分进行有效控制。这一混合气体控制方案实现了低温条件下溅射速率和成分控制之间的较好协调,在500W射频功率下SiO_xN_y薄膜的平均溅射速率达到15nm/min,并实现了对薄膜成分(氧原子比O/(O+N约0.3～0.8)和介电常数(4.3～6.7)的有效控制。实验结果优于现有报道的水平,相关成果已发表在SCI英文期刊上。2.系统研究了工艺条件对TiO_2薄膜晶格结构的影响。研究表明,衬底温度影响薄膜结构,随着衬底温度的提高,薄膜逐步从锐钛矿相结构向热稳定性更好的金红石相为主的结构转变;溅射功率和溅射气压则通过影响衬底的离子流轰击强度作用于薄膜结构,轰击强度的增大也有助于金红石相比重的提高,但离子流轰击强度对薄膜晶格结构的影响是非线性的,溅射功率和气压增大到一定程度后,金红石结构的生长反而受到了抑制。文中同时研究了后续退火对TiO_2薄膜晶格结构的影响。薄膜的介电常数基本上是和金红石相的含量成正比的,当薄膜制备工艺(包括沉积和退火)倾向于促进薄膜的金红石结构生长时,介电常数会有相应的提高。所采取的制备条件有效地将TiO_2薄膜介电常数控制在30～80以内。3.根据上述研究,以MOS电容栅介质为应用背景,系统研究了TiO_2、TiO_2/SiO_2、TiO_2/SiO_xN_y等不同结构电介质的电学性能。TiO_2/SiO_2、TiO_2/SiO_xN_y结构栅介质的漏电流分别比单纯TiO_2作栅介质时降低了50%和70%,同栅介质电荷相关的栅压偏移量也减少了1V以上,说明了层迭结构中SiO_2、SiO_xN_y等人工界面层在改善电学质量方面的作用。而同SiO_2相比,SiO_xN_y作界面层时栅介质电荷密度更低(栅压漂移量减小了0.2V左右),积累态电容值也高出了17%,但界面电学质量却是前者更具优势,我们认为这主要源于不同界面层作用下TiO_2层的不同扩散程度。SiO_xN_y中的N成分在抑制TiO_2层扩散方面的作用更显着,栅介质电荷密度因而更低,但N成分导致的界面化学键过约束状态则使得界面质量略显不足。这一区别也反映在漏电机制上,TiO_2/SiO_2的漏电机制倾向于体缺陷主导的Poole-Frankel机制,而TiO_2/SiO_xN_y的漏电机制倾向于界面缺陷主导的Schottkey Emission机制。总体而言,TiO_2/SiO_xN_y结构栅介质的综合性能更佳,有较好的发展前景。这一系统性研究工作对TiO_2等高k电介质薄膜的应用有重要意义。本文第二部分研究了基于MIM(Metal-Insulator-Metal)结构和共面电极结构的集成薄膜电容,相关研究成果如下:1.在陶瓷基片上制备了MIM结构集成薄膜电容,并研究了后续退火和偏压溅射对电容性能的影响。沉积后退火处理可以减少由粗糙衬底和沉积工艺造成的孔洞、缺陷及不连续状态,从而增大绝缘强度,减小电导损耗机制作用下的损耗因子。退火后电容最高击穿场强在10~7v/m以上,5MHz下损耗因子在0.01以下,但过度的热处理却破坏了原有的连续膜层,导致电容电学性能的恶化。偏压溅射通过高能离子轰击促进介质膜致密度的提高,改善电容性能。但离子轰击也导致了薄膜缺陷密度的增大,出现了电导损耗和弛豫损耗共同作用的损耗机制。强度过大的偏压溅射还可能造成破坏型离子轰击和衬底反溅,加剧电容性能的恶化。偏压溅射后电容击穿场强也可达到10~7v/m,5MHz下损耗因子在0.015左右,并具有在线增强的优势。2.叉指电容和分形电容是新近出现的电容结构,本文分别从理论设计和实验制备两个方面对这两种新型共面电极结构的平面电容进行了探索性的研究。以保角变换为基础的静态电容提取解析法研究表明,影响叉指形电容静态电容值的主要因素是叉指电极长度,增大电极宽度/电极间距比(宽距比)也有助于电容密度的增大。而以叉指结构为基础的分形电容,其静态电容值的提高也需要对叉指电极长度、宽距比等因素进行协调;仿真分析和去耦测试研究表明,影响叉指电容高频特性的主要因素是电极宽距比,增大电容宽距比后,电极间距相对减小,电极间的耦合增大,相应的寄生电感也增大。分形结构可以在保证电极间距(同电极工艺精度直接关联的参数)不变的情况下,改善电容的高频性能;本文还创造性的采用激光刻蚀工艺在20mm*30mm陶瓷片上成功制备了分形结构为主的平面电容,电容值在1～7pF之间,容性阻抗维持频率在2.5GHz以上,显示了较好的可调性和高频特性,这一探索性研究为设计制备高频电容提供了一种新的途径。(本文来源于《浙江大学》期刊2008-04-01）
吴静静[7]（2007）在《固体电介质薄膜、薄片复介电常数的测量研究》一文中研究指出随着微波电路的工作频率不断提高,体积越来越小,对于薄片状介质基片的需求日益增长,在这些应用中都必须准确地知道介质材料的微波特性。因此,固体电介质薄膜、薄片复介电常数的测量有着很重要的实际意义。本文主要对低损耗薄膜电介质材料复介电常数的测试进行系统的研究。在前人研究的基础上,改进了传统的高Q圆柱谐振腔测量方法,用抬高样品的高Q谐振腔法测量薄膜电介质材料的复介电常数。在此基础上建立了一套X波段自动化测量系统,由矢量网络分析仪内部计算机控制矢网对圆柱谐振腔进行变频测量,根据测量到的加载介质前后圆柱谐振腔的谐振频率和品质因数,自动计算出被测材料的相对介电常数εr'和损耗角正切tanδ。本课题的主要工作包括:1.通过对国内外相关测量技术的分析,根据实际情况,采用谐振腔法进行测量;分析了谐振腔的基本理论;利用合适的垫片材料抬高样品,把样品置于腔中电场较强处,建立了抬高样品的高Q谐振腔法测试的理论模型;推导出电介质薄膜复介电常数的计算公式。2.分析系统的可行性,对系统的各个部件进行分析;组建X波段测试系统;用VC++编写了测试软件,实现自动控制。3.用软件控制测试系统对样品在X波段进行测试,并且对测试结果进行误差分析。结果表明,本研究的理论分析正确,测量系统准确。因此,本文提出的用抬高样品的高Q谐振腔测量薄膜电介质材料复介电常数的技术可对多种薄膜电介质材料的复介电常数进行快速、可靠、自动化的测量,具有肯定的实用性。(本文来源于《电子科技大学》期刊2007-05-01）
张泉[8]（2003）在《几种电介质薄膜滤光片在光通信中的发展及应用》一文中研究指出利用多层膜的干涉性质可以设计出各种指标的膜系,而电介质薄膜材料由于其独特的优势而被广泛地使用。详细介绍了光通信中主要使用的几种薄膜滤光片的结构特点、主要改进及发展水平和趋势。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2003年12期）
冯晓利,李志信,肖鹏,过增元[9]（2001）在《电介质薄膜中的稳态导热与法向导热系数的尺寸效应》一文中研究指出通过非平衡分子动力学 (NEMD)模拟预报了纳米电介质薄膜的法向导热系数 .采用各向异性的非平衡分子动力学方案模拟了固体氩薄膜中垂直于膜平面的稳态导热 ,考察了对应于平均温度为 4 5K的薄膜法向导热系数与膜厚度的关系 .在氩薄膜厚度为 2 12 4～ 10 62nm的范围内 ,薄膜法向导热系数显着低于相同温度下的大体积材料的实验值 ,并随膜厚度的减小而降低 ,具有显着的尺寸效应 .在弛豫时间近似条件下得到的声子Boltzmann输运方程的近似解表明 ,该尺寸效应归因于纳米薄膜的边界对载热声子散射作用的增强(本文来源于《西安交通大学学报》期刊2001年11期）
冯晓利,李志信,过增元[10]（2001）在《电介质薄膜导热系数的尺寸效应》一文中研究指出为研究电介质薄膜中的导热机制以及薄膜厚度对导热系数的影响 ,以氩的 FCC晶体为模型 ,采用分子动力学方法计算了厚度约为 2～ 10 nm的薄膜的法向导热系数。计算得到对应于 12 0 K的薄膜导热系数显着低于大体积实验值 ,并随薄膜厚度的减小而降低 ;即纳米薄膜的晶格导热系数具有明显的尺寸效应。当薄膜厚度减小至纳米量级时 ,即使在较高温情况下 1.3ΘD,晶体边界对声子的散射也将起重要作用。对氩晶体分别选取了 L ennard- Jones作用势和一种软球作用势 ,考察了不同势能模型对于模拟结果的影响(本文来源于《清华大学学报(自然科学版)》期刊2001年08期）
高电介质薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着电子信息产业的飞速发展对设备集成化、小型化及可携带化的要求,这就对目前的材料行业提出了新的课题,制备更先进的材料来满足先进设备制造对材料的要求。对于电子产品来说电介质材料是直接影响元器件性能的因素。聚芳醚腈是一种具有杰出性能的特种功能材料,能够应用于社会生活生产的许多方面,高绝缘性、高热稳定性以及优异的介电性能使其在电容器及储能薄膜电容器等电子元器件制造方面有巨大的应用潜力。因此为了拓宽聚芳醚腈的应用,本文通过化学及物理方法对聚芳醚腈基材料的性能进行优化以期能实现在上述方面的实际应用。首先,本文合成了可交联型聚芳醚腈。由于链端邻苯二甲腈在加热或催化条件下会发生成环反应,因此我们通过热交联及加入叁官能度邻苯二甲腈作交联剂制备了交联聚芳醚腈薄膜。并通过DSC、TGA、DMA及TMA证明了其具有介电性能-频率、温度、时间以及工作循环稳定性,并证明其能够在宽频范围(100 Hz-200kHz)、宽温度范围(20-350 oC)以及长时间使用并具有优异的可靠性。铁电性测试证明交联聚芳醚腈是典型的线性电介质并且在高温下具有稳定的储能特性。其次,由于聚芳醚腈交联条件苛刻限制了其的制备及应用,因此通过水热法制备了纳米氧化锌晶须(ZnO-nws)并将其作为交联催化剂加入到聚芳醚腈基体中,并研究了其对聚芳醚腈交联反应的催化剂作用以及对交联聚芳醚腈薄膜的交联度、热稳定性、力学性能、介电性能以及储能特性等的影响。通过研究发现纳米氧化锌晶须对交联反应有明显的催化作用可以有效的优化交联工艺并且可以在保证介电性能-温度稳定性的前提下提高介电常数,实现更高的储能密度。最后,为提高交联聚芳醚腈薄膜的介电常数,我们制备了核壳锆酸铅包裹钛酸钡纳米粒子,并作为高介电填料制备了复合高介电聚芳醚腈薄膜。通过对交联度、热稳定性、介电性能及储能特性的研究发现纳米粒子加入不会破坏薄膜的热稳定及介电性能-温度稳定性,并且在提高介电常数的同时保持击穿强度最终实现交联薄膜储能密度的提高,使其在优化的交联工艺条件下得到高介电的交联薄膜。通过本研究表明,交联聚芳醚腈具有极其优异的综合性能,特别是介电性能-温度稳定性以及通过改性使其具有优异的加工性及高介电常数与储能密度使其在薄膜电容器以及储能薄膜电容器方面具有巨大的应用潜力。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高电介质薄膜论文参考文献
[1].高宝龙.原位同步辐射X射线光电子能谱研究高k电介质薄膜层的电子结构[D].新疆大学.2017
[2].杨瑞琪.高热稳定性聚芳醚腈电介质薄膜的制备与性能研究[D].电子科技大学.2017
[3].任国伟.多层金属—电介质薄膜结构超分辨聚焦技术研究[D].中国科学院研究生院（光电技术研究所）.2013
[4].陈阳,杨春,曹景磊,孙尧.聚合物电介质薄膜的能量归一化光激电流谱[J].电机与控制学报.2009
[5].何稀.电介质薄膜材料微波性能参数测试方法研究[D].电子科技大学.2009
[6].徐文彬.高k电介质薄膜制备研究与集成薄膜电容探讨[D].浙江大学.2008
[7].吴静静.固体电介质薄膜、薄片复介电常数的测量研究[D].电子科技大学.2007
[8].张泉.几种电介质薄膜滤光片在光通信中的发展及应用[J].激光与光电子学进展.2003
[9].冯晓利,李志信,肖鹏,过增元.电介质薄膜中的稳态导热与法向导热系数的尺寸效应[J].西安交通大学学报.2001
[10].冯晓利,李志信,过增元.电介质薄膜导热系数的尺寸效应[J].清华大学学报(自然科学版).2001