导读:本文包含了绝缘金属转变论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:5d电子金属氧化物薄膜,金属绝缘转变,八面体扭转
绝缘金属转变论文文献综述
韩雨,郭状,吴文彬[1]（2018）在《CaIrO_3薄膜中的八面体扭转及金属绝缘转变》一文中研究指出本文采用激光脉冲沉积(pulsed laser deposition,PLD)方法在NdGaO3(110)(NGO)和(LaAlO_3)_(0.3)(Sr_2AlTaO_6)_(0.7)(001)(LSAT)衬底上生长了厚度变化的钙钛矿结构CaIrO3(CIO)单晶薄膜.在这一体系中,我们观测到了金属绝缘转变现象以及各向异性电输运行为,并且尝试利用应变弛豫调节铱氧八面体绕[100]轴的扭转角度,改变金属绝缘转变温度(TMI).八面体的扭转角度在30nm厚的样品中取得了最大值,同时CIO的TMI取得了最小值.我们推测是八面体的扭转影响了CIO薄膜的带隙宽度,从而造成了TMI的变化以及各向异性电输运行为.(本文来源于《低温物理学报》期刊2018年01期）
韩雨[2]（2018）在《八面体扭转对钙钛矿结构铱氧化物薄膜中金属绝缘转变的调控》一文中研究指出随着传统硅半导体材料加工工艺的进步,以其作为根基的元器件科技大厦正在逐渐逼近自己运算和存储速度的天际。相比之下,具有更多的自由度的金属氧化物有望成为下一代电子工业革命的基石。而金属绝缘转变现象就是过渡金属氧化物体系中历久弥新的研究领域之一。实现金属绝缘转变的方法包括带宽控制和能带填充这两种。理论则包括莫特转变、斯莱特转变等基于强关联作用提出的模型。然而随着样品制备手段和研究材料的不断扩展,接连发现了诸如LaAlO_3/SrTiO_3中由界面能级调控的二维电子气、铱氧化物中自旋轨道耦合作用导致的绝缘基态等不能被传统强关联理论解释的电输运行为。本论文的目的在于运用传统的和新的实现方法探究过渡金属氧化物薄膜中的非强关联金属绝缘转变现象。为此我们研究了界面平整度、掺杂电子浓度、氧空位浓度等因素对宽带隙变价金属氧化物TiO_2有序/无序同质结中金属绝缘转变行为的影响;并通过外延应力成功实现了对5d电子材料CaIrO_3薄膜金属绝缘转变温度(TMI)的调控。本论文包括六个章节:第一章在绪论当中我们首先介绍了二维电子气的成因和调控方法方面的知识背景,包括欧姆接触与能带弯曲、界面极性与萧特基势垒、氧空位聚集与电荷转移,还有TiO_2的性质和相关的应用。然后介绍了自旋轨道耦合作用和晶体结构畸变调节5d金属氧化物的绝缘转变的相关研究,包括铱氧化物的能带结构和对称性破缺对其的影响,还有常见铱氧化物的晶格结构、输运行为以及绝缘基态的成因。最后我们介绍的是薄膜生长过程中会遇到的外延应力与八面体畸变方面的知识。第二章本章主要介绍了钙钛矿金属氧化物薄膜的生长流程和方法,以及薄膜样品形貌表征的手段,输运行为的测量方法。包括多晶靶材的制备流程、脉冲激光沉积系统的使用方法、原子力显微镜的工作原理、XRD测量单晶薄膜厚度和倒易空间测量的物理机制、低温测量系统的使用步骤等内容。第叁章本章我们通过控制叁种变量大范围地调节同质结中的金属绝缘转变温度。包括利用单晶层与无序层的厚度比例来改变界面的平整度;用掺杂浓度来改变电子浓度;用氧压来改变氧空位浓度。最终得出氧空位是界面载流子的来源,界面提供了导电通道,界面平整度对迁移率起到一定影响的结论。第四章我们通过改变衬底和薄膜厚度并测量相应的面外晶格常数和面内扭转角度,大范围地调节CaIrO_3薄膜的金属绝缘转变温度,并且得出了 CaIrO_3薄膜在高温段和低温段具有不同的导电机制,而八面体扭转是调节带宽的主要因素这一结论。之后我们又发现了 CaIrO_3薄膜金属绝缘转变温度的各向异性,并提出了布里渊区中费米面附近能带简并点的特定方向分布,和带隙的不均匀抬升是造成各向异性导电性的根本原因。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-01-28）
李彦炜[3]（2007）在《掺杂MgB_2体系超导电性与平均价电子数的关系及MgB_2薄膜金属—绝缘转变的研究》一文中研究指出本论文主要分两部分内容。第一部分首先主要介绍超导的发展、超导电性的基本性质以及超导的分类.2001年超导转变温度高达39K的金属间化合物MgB_2的发现激起了物理学界、材料界和工业界的广泛关注,我们概要地分析了几年来超导MgB_2的研究现状.超导体中原子的价层电子与原子核的相互作用的强弱与其作为整体的化合物MgB_2及其掺杂超导体系的超导电性关系紧密相关.因此我们采用平均价电子数作为掺杂MgB_2超导电性的一个判断标准,对MgB_2超导体及掺杂MgB_2超导体系平均价电子数进行了研究,结果表明MgB_2体系超导材料的平均价电子数值在T_c-Z-v图中集中分布在2.61附近.第二部分从能带理论、Anderson模型、Mott金属-绝缘转变模型、近藤效应等方面探讨了金属-绝缘转变的理论机理.介绍了我们小组采用射频磁控溅射方法在SiMgO衬底上制备了MgB_2薄膜实验,通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响;用直流四探针法对其阻温特性进行了研究.结果表明:由于膜中多种成分的相互渗透,造成了低温下电子的相互关联,并且由于薄膜中多种成分的相互渗透,导致薄膜的阻温特性在175.9K时发生了金属-绝缘转变.因此我们在Mott模型和Anderson理论框架下对此现象进行了详细的解释说明.最后对本论文的主要工作进行了总结,并对以后的研究进行了展望.(本文来源于《西北师范大学》期刊2007-05-01）
周新,马玉彬,连贵君,熊光成[4]（2006）在《钙钛矿结构La_(1-x)Sr_xCoO_3(x=0.7,0.8,0.9,1.0)样品的铁磁相变和绝缘-金属转变》一文中研究指出利用固相反应法及溶胶凝胶法我们制备了多晶La1-xSrxCoO3(x=0.7,0.8,0.9,1.0)样品.X射线衍射谱表明,La1-xSrxCoO3样品呈ABO3型钙钛矿结构,晶格常数随着x的增加而增大.与钙钛矿结构的锰氧化物类似,电阻率随温度变化以及磁化强度随温度变化的关系强烈依赖于掺杂浓度.x=0.7和0.8的样品在低温下显示铁磁性,而x=0.9和1.0的样品磁化强度随温度变化没有显示铁磁转变.电阻率随温度的变化似乎与磁化率测量相对应,在x=0.8和0.9样品之间存在绝缘-金属转变.(本文来源于《低温物理学报》期刊2006年01期）
杜安,赵宝华[5]（1992）在《二元合金金属-绝缘转变的理论研究》一文中研究指出本文用平均场跳跃近似的方法,研究了同格点电子相关作用对 A_xB_(1-x)合金的金属-绝缘转变的影响,在两组格点能(V_A=-V_B=0.4t 和 V_A=-V_B=1.5t)和不同的相关作用 U下,得到了转变温度随浓度变化的相图。结果表明,吸引的相互作用(U<0)有利于安德森局域态的形成,当 V_A=-V_B=0.4t 时,在 x=0.5浓度附近出现了重入和双重重入现象;当 V_A=-V_B=1.5t 时,没有重入现象出现。排斤的相互作用(U>0)有利于赫伯德绝缘相的形成,但合金的无序性阻止它的形成。同时发现,在 V_A=-V_B=1.5t 时,排斥的相互作用限制和破坏安德森局域态的形成。(本文来源于《东北工学院学报》期刊1992年03期）
朱津裘,张进修,罗裕基,郑臣谋[6]（1992）在《多晶VO_2材料的绝缘-金属转变研究》一文中研究指出对用粉末冶金(烧结)法制得的多晶VO_2材料进行了X-射线结构分析和R-T曲线的实验研究.结果表明,纯的VO_2多晶材料升温时在338K发生数量级约为10~3倍的绝缘-金属转变,掺杂Cr的VO_2样品转变温度向低温方向偏移。当样品中含有5％以上的V_2O_5或样品淬油时,其R-T曲线将变得平坦.(本文来源于《中山大学学报论丛》期刊1992年02期）
绝缘金属转变论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着传统硅半导体材料加工工艺的进步,以其作为根基的元器件科技大厦正在逐渐逼近自己运算和存储速度的天际。相比之下,具有更多的自由度的金属氧化物有望成为下一代电子工业革命的基石。而金属绝缘转变现象就是过渡金属氧化物体系中历久弥新的研究领域之一。实现金属绝缘转变的方法包括带宽控制和能带填充这两种。理论则包括莫特转变、斯莱特转变等基于强关联作用提出的模型。然而随着样品制备手段和研究材料的不断扩展,接连发现了诸如LaAlO_3/SrTiO_3中由界面能级调控的二维电子气、铱氧化物中自旋轨道耦合作用导致的绝缘基态等不能被传统强关联理论解释的电输运行为。本论文的目的在于运用传统的和新的实现方法探究过渡金属氧化物薄膜中的非强关联金属绝缘转变现象。为此我们研究了界面平整度、掺杂电子浓度、氧空位浓度等因素对宽带隙变价金属氧化物TiO_2有序/无序同质结中金属绝缘转变行为的影响;并通过外延应力成功实现了对5d电子材料CaIrO_3薄膜金属绝缘转变温度(TMI)的调控。本论文包括六个章节:第一章在绪论当中我们首先介绍了二维电子气的成因和调控方法方面的知识背景,包括欧姆接触与能带弯曲、界面极性与萧特基势垒、氧空位聚集与电荷转移,还有TiO_2的性质和相关的应用。然后介绍了自旋轨道耦合作用和晶体结构畸变调节5d金属氧化物的绝缘转变的相关研究,包括铱氧化物的能带结构和对称性破缺对其的影响,还有常见铱氧化物的晶格结构、输运行为以及绝缘基态的成因。最后我们介绍的是薄膜生长过程中会遇到的外延应力与八面体畸变方面的知识。第二章本章主要介绍了钙钛矿金属氧化物薄膜的生长流程和方法,以及薄膜样品形貌表征的手段,输运行为的测量方法。包括多晶靶材的制备流程、脉冲激光沉积系统的使用方法、原子力显微镜的工作原理、XRD测量单晶薄膜厚度和倒易空间测量的物理机制、低温测量系统的使用步骤等内容。第叁章本章我们通过控制叁种变量大范围地调节同质结中的金属绝缘转变温度。包括利用单晶层与无序层的厚度比例来改变界面的平整度;用掺杂浓度来改变电子浓度;用氧压来改变氧空位浓度。最终得出氧空位是界面载流子的来源,界面提供了导电通道,界面平整度对迁移率起到一定影响的结论。第四章我们通过改变衬底和薄膜厚度并测量相应的面外晶格常数和面内扭转角度,大范围地调节CaIrO_3薄膜的金属绝缘转变温度,并且得出了 CaIrO_3薄膜在高温段和低温段具有不同的导电机制,而八面体扭转是调节带宽的主要因素这一结论。之后我们又发现了 CaIrO_3薄膜金属绝缘转变温度的各向异性,并提出了布里渊区中费米面附近能带简并点的特定方向分布,和带隙的不均匀抬升是造成各向异性导电性的根本原因。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
绝缘金属转变论文参考文献
[1].韩雨,郭状,吴文彬.CaIrO_3薄膜中的八面体扭转及金属绝缘转变[J].低温物理学报.2018
[2].韩雨.八面体扭转对钙钛矿结构铱氧化物薄膜中金属绝缘转变的调控[D].中国科学技术大学.2018
[3].李彦炜.掺杂MgB_2体系超导电性与平均价电子数的关系及MgB_2薄膜金属—绝缘转变的研究[D].西北师范大学.2007
[4].周新,马玉彬,连贵君,熊光成.钙钛矿结构La_(1-x)Sr_xCoO_3(x=0.7,0.8,0.9,1.0)样品的铁磁相变和绝缘-金属转变[J].低温物理学报.2006
[5].杜安,赵宝华.二元合金金属-绝缘转变的理论研究[J].东北工学院学报.1992
[6].朱津裘,张进修,罗裕基,郑臣谋.多晶VO_2材料的绝缘-金属转变研究[J].中山大学学报论丛.1992
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