导读:本文包含了氩等离子体退火论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:界面态,预处理时间,O_3,HfO_2,p-Ge
氩等离子体退火论文文献综述
蓝小凌,池晓伟,林光杨,陆超,李成[1]（2016）在《NH_3等离子体预处理及O_3退火降低HfO_2/p-Ge界面态》一文中研究指出随着摩尔定律的发展,SiO_2作为MOSFET栅氧的厚度已逐渐减小至接近物理极限,导致栅极隧穿漏电流大大增加,严重影响了器件性能的提升。采用高K介质材料,如常用的HfO_2,来替换SiO_2作为栅氧,可大大降低栅极漏电流。另一方面,Ge材料因具有高载流子迁移率,被认为是理想的沟道材料用以提高器件饱和驱动电流。上述二者的结合,能够大大提升MOSFET的性能。然而,由于Ge材料的活泼性,Ge表面直接沉积高k介质层时会不可避免地引入不完全氧(本文来源于《第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集》期刊2016-06-16）
汤斌,李文波,刘冰冰,刘道森,秦福文[2]（2015）在《电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响》一文中研究指出SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析氮等离子体处理8min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2015年02期）
谭再上,吴小蒙,范仲勇,丁士进[3]（2015）在《热退火对等离子体增强化学气相沉积SiCOH薄膜结构与性能的影响》一文中研究指出热退火是多孔低介电常数薄膜制备过程中的重要一环,对薄膜结构及性能具有重要影响.本文以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了SiCOH薄膜,对其进行了氮气氛围下的热退火处理,分析了热退火对薄膜结构与性能的影响,探究了退火过程中薄膜结构变化的可能的反应机理.傅里叶变换红外光谱和固体核磁共振谱结果表明,沉积薄膜是一种有机无机杂化薄膜.退火过程中,薄膜中的—CH2,—CH3等有机组分被分解除去,形成了以稳定的Si—O—Si等无机组分为骨架的多孔结构,并通过氮气吸附/脱附等温线测试得到了验证.在此期间,薄膜骨架微结构亦发生一系列调整,C=C,Si—C含量增加,Si、O、C等元素间发生进一步键合.C=C含量的提高,使得薄膜的消光系数和漏电流密度增大.实验证明,退火后薄膜具有低折射率、低介电常数特性,是一类具有优异的介电性能和力学性能的材料,作为芯片后端互连层间介质具有极大的应用潜力.(本文来源于《物理学报》期刊2015年10期）
李平,李清山,张世玉,马自侠,张志峰[4]（2011）在《氧等离子体环境下退火温度和时间对多孔硅发光特性的影响》一文中研究指出多孔硅(porous silicon,PS)样品在氧等离子体环境中退火,探究了退火温度和时间对PS光学特性的影响,通过光致发光(photoluminescence,PL)光谱和傅里叶变换红外光谱对样品进行了分析.高斯拟合结果显示样品的PL谱由叁个中心峰位分别在2.16,2.06和1.95 eV的高斯峰迭加而成,样品在200℃退火10—180 min后,峰位在2.16 eV高斯峰的发光强度增强,同时峰位在2.06和1.95 eV的高斯峰发光强度逐渐减小直至最终消失.随退火时间的延长,多孔硅的纳米结晶硅颗粒尺寸减小,180 min退火时间下,硅颗粒尺寸减小了0.1—0.45 nm;样品在100℃—600℃退火后,PL谱强度呈减弱趋势,600℃退火后,PL谱淬灭.(本文来源于《鲁东大学学报(自然科学版)》期刊2011年02期）
喻志农,薛唯,郑德修,孙鉴[5]（2006）在《退火处理对等离子体显示器中氧化镁薄膜特性的影响》一文中研究指出研究了电子束蒸发法制备的氧化镁薄膜在退火处理过程中特性的变化.研究表明:退火处理改善了薄膜的结晶性,降低了红外光谱中水分子吸收峰的强度,并使得低温或低通氧气量制备的氧化镁薄膜的可见光透射比下降,且这些薄膜在退火处理中极易产生裂纹.薄膜的结晶取向或结晶性是薄膜可见光谱变化和表面裂纹产生的主要原因,薄膜表面光洁度对可见光谱变化影响不大.(本文来源于《北京理工大学学报》期刊2006年01期）
芮云军,徐骏,梅嘉欣,阳玲,李伟[6]（2005）在《氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响》一文中研究指出室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅 (a_Si:H)薄膜进行处理 ,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱 3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析 ,发现不同的退火时间对a_Si:H的微结构影响很大 ,氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢 (H0 )与薄膜的反应 .化学势很高的H0 能将Si_Si弱键转变成Si_Si强键 .硅网络结构发生弛豫 ,使结构由无序向有序转变 ,从而能够降低晶化温度与退火时间 .(本文来源于《南京大学学报(自然科学版)》期刊2005年01期）
WANG,Tao,DAI,YongBin,OUYANG,SiKe,WU,JianShen,SHEN,HeShengResearch,Institute,of,Micro/Nano,Scienc,and,Technology[7]（2004）在《微波氢等离子体退火制备C54相TiSi_2(英文)》一文中研究指出采用微波氢等离子体退火方法对溅射在(111)单晶硅上100纳米厚的钛薄膜进行退火,成功地制备出C54相TiSi2,在700℃退火10分钟C54相TiSi2形核,在750℃到800℃之间硅化物生长较快,表现出(040)方向上很强的织构。不仅证明微波退火的可行性,还提出微波能穿透纳米尺度的钛薄膜,促进原子扩散,实现固相反应,有利于C54相TiSi2的形成。(本文来源于《第十二届中国固态离子学学术会议论文集》期刊2004-10-01）
欧阳斯可,汪涛,戴永兵,吴建生,何贤昶[8]（2004）在《微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜》一文中研究指出采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与 (1 0 0 )硅衬底发生固相反应直接生成 Co Si2 ,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性 .通过 X射线衍射图谱发现 ,当退火时间相同时 ,在 6 1 0℃时先形成Co Si2 (1 1 1 )织构 ,75 0℃时 (1 0 0 )取向的 Co Si2 生长显着 .此外 ,在微波作用下 ,无需先形成富 Co的 Co2 Si和 Co Si,就能直接得到稳态的 Co Si2 ,不同于常规的热处理 .分析认为这是因为微波可以促进固相反应中 Co原子的扩散 ,有利于 Co Si2 形核生长(本文来源于《半导体学报》期刊2004年08期）
支壮志,王博,肇常胜[9]（2004）在《退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响》一文中研究指出研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系 ,为了获得高质量的晶体薄膜 ,采用PECVD方法在硅 (1 0 0 )衬底上生长ZnO薄膜 ,生长温度为 1 2 0℃ ,然后分别在氧气环境下退火 (6 0 0℃～ 1 0 0 0℃ ) 1h。X射线衍射谱和原子力显微镜 (AFM)照片结果表明随着退火温度的升高 ,晶体择优取向明显 ,晶粒平均尺寸增大 ,到 90 0℃时 ,晶粒平均尺寸达到 38nm。光致发光谱的结果表明 ,随着退火温度的升高 ,发光峰的半高宽 (FWHM)逐渐地变窄 ,到 90 0℃时 ,达到 92meV ,晶体质量得到了明显提高。通过对变温光谱的拟合计算 ,得到激子束缚能为 5 9meV ,表明紫外发射来自于自由激子辐射复合(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2004年03期）
陈松岩,谢生,何国荣,刘宝林,蔡加法[10]（2004）在《氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性》一文中研究指出用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。(本文来源于《发光学报》期刊2004年01期）
氩等离子体退火论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析氮等离子体处理8min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氩等离子体退火论文参考文献
[1].蓝小凌,池晓伟,林光杨,陆超,李成.NH_3等离子体预处理及O_3退火降低HfO_2/p-Ge界面态[C].第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集.2016
[2].汤斌,李文波,刘冰冰,刘道森,秦福文.电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-SiCMOS电容TDDB特性的影响[J].固体电子学研究与进展.2015
[3].谭再上,吴小蒙,范仲勇,丁士进.热退火对等离子体增强化学气相沉积SiCOH薄膜结构与性能的影响[J].物理学报.2015
[4].李平,李清山,张世玉,马自侠,张志峰.氧等离子体环境下退火温度和时间对多孔硅发光特性的影响[J].鲁东大学学报(自然科学版).2011
[5].喻志农,薛唯,郑德修,孙鉴.退火处理对等离子体显示器中氧化镁薄膜特性的影响[J].北京理工大学学报.2006
[6].芮云军,徐骏,梅嘉欣,阳玲,李伟.氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响[J].南京大学学报(自然科学版).2005
[7].WANG,Tao,DAI,YongBin,OUYANG,SiKe,WU,JianShen,SHEN,HeShengResearch,Institute,of,Micro/Nano,Scienc,and,Technology.微波氢等离子体退火制备C54相TiSi_2(英文)[C].第十二届中国固态离子学学术会议论文集.2004
[8].欧阳斯可,汪涛,戴永兵,吴建生,何贤昶.微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜[J].半导体学报.2004
[9].支壮志,王博,肇常胜.退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响[J].真空科学与技术学报.2004
[10].陈松岩,谢生,何国荣,刘宝林,蔡加法.氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性[J].发光学报.2004