本文主要研究内容
作者乌李瑛,柏荣旭,瞿敏妮,田苗,沈赟靓,王英,程秀兰（2019）在《热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）》一文中研究指出：以四（甲乙胺）铪（TEMAHf）作为前驱体,采用热原子层沉积（TALD）技术和等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪（HfO2）薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体（CCP）PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光电子能谱（XPS）对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度（150℃）下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体（MIS）器件的漏电流及电滞回线最小。
Abstract
yi si （jia yi an ）ha （TEMAHf）zuo wei qian qu ti ,cai yong re yuan zi ceng chen ji （TALD）ji shu he deng li zi ti zeng jiang yuan zi ceng chen ji （PEALD）ji shu fen bie zai gui chen de shang chen ji er yang hua ha （HfO2）bao mo 。fen bie yan jiu le shui he chou yang zuo wei gong fan ying wu dui TALD HfO2bao mo xing neng de ying xiang ji cai yong dian rong ou ge deng li zi ti （CCP）PEALD HfO2bao mo de zui jia gong yi tiao jian 。tong guo Xshe xian yan she （XRD）、sao miao dian zi xian wei jing （SEM）he guang dian zi neng pu （XPS）dui bu tong gong yi zhi bei de HfO2bao mo de wei guan jie gou 、biao mian xing mao jin hang le biao zheng 。jie guo biao ming ,fan ying wen du wei 300℃shi ,TALD 50 nmhou de HfO2bao mo wei chan xie xiang jing ti ;PEALDzai jiao di fan ying wen du （150℃）xia chong fen fan ying ,suo chen ji de 50 nmhou de HfO2bao mo za zhi han liang jiao di ,bao mo wei xing cheng jie jing tai ;PEALDgong yi de dao de HfO2bao mo de jie mian ceng zui hou ,zhu yao wei gui de ya yang hua wu huo ha gui suan yan 。dian liu -dian ya （I-V）he dian rong -dian ya （C-V）ce shi jie guo biao ming ,yi shui zuo wei yang yuan ju fan ying wen du 300℃de TALDgong yi suo de dao de HfO2bao mo ,ji jin shu -jue yuan ti -ban dao ti （MIS）qi jian de lou dian liu ji dian zhi hui xian zui xiao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自半导体技术的乌李瑛,柏荣旭,瞿敏妮,田苗,沈赟靓,王英,程秀兰，发表于刊物半导体技术2019年10期论文，是一篇关于二氧化铪论文,原子层沉积论文,热原子层沉积论文,等离子增强原子层沉积论文,介电常数论文,半导体技术2019年10期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自半导体技术2019年10期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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