本文主要研究内容
作者许世鹏,李晓伟,陈仁德,李玉宏,汪爱英（2019）在《膜厚对超薄四面体非晶碳膜应力和结构的影响（英文）》一文中研究指出：利用自主研制的45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧技术制备超薄四面体非晶碳膜,研究了膜厚变化对超薄四面体非晶碳膜残余应力和微观结构的影响。结果表明:膜厚从7.6 nm增加到50 nm时,残余应力和sp3含量先减小后增加;当膜厚为29 nm时,可以得到最小的残余应力为3.9 GPa。制备的薄膜表面粗糙度都小于纯硅片表面粗糙度(0.412 nm),表明沉积的碳粒子可以减少基体表面的缺陷;基于磁过滤阴极真空电弧技术的优势,制备的超薄四面体非晶碳膜在较大区域内表面无大颗粒等物质。
Abstract
li yong zi zhu yan zhi de 45°shuang wan qu ci guo lv yin ji zhen kong dian hu ji shu zhi bei chao bao si mian ti fei jing tan mo ,yan jiu le mo hou bian hua dui chao bao si mian ti fei jing tan mo can yu ying li he wei guan jie gou de ying xiang 。jie guo biao ming :mo hou cong 7.6 nmzeng jia dao 50 nmshi ,can yu ying li he sp3han liang xian jian xiao hou zeng jia ;dang mo hou wei 29 nmshi ,ke yi de dao zui xiao de can yu ying li wei 3.9 GPa。zhi bei de bao mo biao mian cu cao du dou xiao yu chun gui pian biao mian cu cao du (0.412 nm),biao ming chen ji de tan li zi ke yi jian shao ji ti biao mian de que xian ;ji yu ci guo lv yin ji zhen kong dian hu ji shu de you shi ,zhi bei de chao bao si mian ti fei jing tan mo zai jiao da ou yu nei biao mian mo da ke li deng wu zhi 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自硅酸盐学报的许世鹏,李晓伟,陈仁德,李玉宏,汪爱英，发表于刊物硅酸盐学报2019年01期论文，是一篇关于四面体非晶碳膜论文,膜厚论文,残余应力论文,薄膜结构论文,硅酸盐学报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自硅酸盐学报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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