导读:本文包含了负磁阻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:磁阻效应,负磁阻,NbSe3,纵向磁场
负磁阻论文文献综述
郑萍,江庆,陈兆甲,金铎[1]（1998）在《拉伸状态NbSe3在纵向磁场下的负磁阻效应》一文中研究指出本文研究了准一维电荷密度波材料ＮｂＳｅ３晶须自然状态（ε＝０）和受到拉伸的状态（ε＞０）下在纵向磁场中的磁阻效应．温度Ｔ≤５０Ｋ时，无论自然状态还是拉伸状态（ε＝１．５％）都没有观察到负磁阻．但是，当温度升高到Ｔ＝７０Ｋ，我们观察到ＮｂＳｅ３晶须受到拉伸至ε＝１．５％时有负磁阻效应；进一步增大ε至１．８％，负磁阻效应更明显；不拉伸（ε＝０）则没有磁阻．文中就这个现象进行了讨论．(本文来源于《低温物理学报》期刊1998年06期）
程文超,朱景兵,李月霞,宋爱民,郑厚植[2]（1994）在《GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应》一文中研究指出在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，Δσ／σ（０）的幅度可达２０％以上．一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释．(本文来源于《半导体学报》期刊1994年08期）
江启杜,刘福绥[3]（1986）在《较高杂质浓度磁性合金负磁阻的关联对模型》一文中研究指出本文讨论在有外加磁场情况下,较高杂质浓度磁性合金中传导电子与关联对散射引起的电阻及磁阻随温度和磁场的变化,得到了Rohrer关于合金AuFe磁阻随杂质浓度变化的经验公式。(本文来源于《物理学报》期刊1986年02期）
郑国珍,梁勇,郭少令,郑迎[4]（1984）在《Hg_(1-x)Cd_xTe的纵向负磁阻研究》一文中研究指出有关半导体的纵向负磁阻的现象在InSb等材料中有过研究,而对Hg_(1-x)Cd_xTe而言,所见的报道却很少。为了进一步评价材料的电学性质,探讨其散射机理,有必要对Hg_(1-x)Cd_xTe材料进行这方面的工作。我们对x=0.13～0.20的不同浓度的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在SdH区及量子极限区观察到了由电离杂质散射引起的纵向负磁阻,其特性表现如下:(本文来源于《红外研究》期刊1984年04期）
吴杭生,顾一鸣[5]（1982）在《急冷Al-Si合金负磁阻效应的一个可能解释》一文中研究指出管惟炎等人观察到的Al-Si急冷合金的负磁阻效应,实际上就是以R-H_e曲线的形式表示出来的第二类超导膜的纵场峰值效应。在磁通线切割模型基础上,对这个效应提出了一个可能的解释。(本文来源于《物理学报》期刊1982年08期）
管惟炎,陈熙琛,王祖仑,易孙圣[6]（1981）在《急冷Al-Si超导合金的负磁阻效应》一文中研究指出本文研究了热处理对急冷(快速淬火)Al-11.3at％ Si共晶合金的微观结构和超导电性的影响。实验发现100℃/50hr退火样品在超导-正常转变区内有负磁阻效应,这表明在这种样品中存在两个超导相。(本文来源于《物理学报》期刊1981年09期）
负磁阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，Δσ／σ（０）的幅度可达２０％以上．一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释．
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负磁阻论文参考文献
[1].郑萍,江庆,陈兆甲,金铎.拉伸状态NbSe3在纵向磁场下的负磁阻效应[J].低温物理学报.1998
[2].程文超,朱景兵,李月霞,宋爱民,郑厚植.GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应[J].半导体学报.1994
[3].江启杜,刘福绥.较高杂质浓度磁性合金负磁阻的关联对模型[J].物理学报.1986
[4].郑国珍,梁勇,郭少令,郑迎.Hg_(1-x)Cd_xTe的纵向负磁阻研究[J].红外研究.1984
[5].吴杭生,顾一鸣.急冷Al-Si合金负磁阻效应的一个可能解释[J].物理学报.1982
[6].管惟炎,陈熙琛,王祖仑,易孙圣.急冷Al-Si超导合金的负磁阻效应[J].物理学报.1981