叁角晶格结构论文-王晴晴,程荣龙,宫昊

叁角晶格结构论文-王晴晴,程荣龙,宫昊

导读:本文包含了叁角晶格结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:六角晶格,晶格结构,晶格振动,石墨烯

叁角晶格结构论文文献综述

王晴晴,程荣龙,宫昊[1](2019)在《以石墨烯为例分析二维六角晶格结构及振动模式》一文中研究指出石墨烯因其独特的六角晶格结构,使其具有优异的力、热、光、电等特性,成为目前应用研究最广泛的新型材料之一.本文从固体物理学的教学角度出发,以单层石墨烯的晶格结构为例,采用图像的形式描述了二维六角晶格的正格子原胞和基矢、倒格子原胞和基矢、q空间和第一布里渊区,并推导了二维六角晶格的振动模式.(本文来源于《大学物理》期刊2019年06期)

刘子重[2](2012)在《从第一性原理计算研究六角晶格电子结构及特性》一文中研究指出自铁基超导材料于2008年发现以来,磷族过渡金属化合物的超导行为得到了广泛的关注。最近,又一种过渡金属砷化物SrPtAs被发现,其在2.4K时表现出明显的超导特征。由于该材料中自旋轨道耦合效应不可忽略且空间反演对称性出现破缺,因而对该材料的研究得到了广泛关注。为深入研究该材料的物理性质,我们采用基于密度泛函理论的第一性原理计算模拟方法,对ABAs(A=Sr, Ba; B=Pd, Pt)系列化合物的晶体结构、电子结构,以及SrPtAs的声子谱性质和电声子耦合进行了深入研究。计算表明,这些材料的费米面附近能带受自旋轨道作用影响会形成劈裂,劈裂大小由贵金属元素决定,其中Pt材料显着大于Pd材料。费米能级附近态密度主要由Pd-4d/Pt-5d轨道贡献,其中SrPtAs在费米能级附近的态密度受自旋轨道耦合影响较小,在高能部分主要受Ba/Sr的影响比较明显。对SrPtAs的声子谱研究表明自旋轨道耦合效应对该材料的声子谱,尤其是低能声子影响很小。根据第一性原理计算获得的电声子耦合系数通过Allen-Dynes公式可以得到2.5K的BCS理论超导转变温度,与实验上得到的2.4K T。非常吻合,表明SrPtAs的超导机制可以用电声子耦合解释,说明其是一种常规的电声子耦合超导体。(本文来源于《杭州师范大学》期刊2012-06-14)

叁角晶格结构论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

自铁基超导材料于2008年发现以来,磷族过渡金属化合物的超导行为得到了广泛的关注。最近,又一种过渡金属砷化物SrPtAs被发现,其在2.4K时表现出明显的超导特征。由于该材料中自旋轨道耦合效应不可忽略且空间反演对称性出现破缺,因而对该材料的研究得到了广泛关注。为深入研究该材料的物理性质,我们采用基于密度泛函理论的第一性原理计算模拟方法,对ABAs(A=Sr, Ba; B=Pd, Pt)系列化合物的晶体结构、电子结构,以及SrPtAs的声子谱性质和电声子耦合进行了深入研究。计算表明,这些材料的费米面附近能带受自旋轨道作用影响会形成劈裂,劈裂大小由贵金属元素决定,其中Pt材料显着大于Pd材料。费米能级附近态密度主要由Pd-4d/Pt-5d轨道贡献,其中SrPtAs在费米能级附近的态密度受自旋轨道耦合影响较小,在高能部分主要受Ba/Sr的影响比较明显。对SrPtAs的声子谱研究表明自旋轨道耦合效应对该材料的声子谱,尤其是低能声子影响很小。根据第一性原理计算获得的电声子耦合系数通过Allen-Dynes公式可以得到2.5K的BCS理论超导转变温度,与实验上得到的2.4K T。非常吻合,表明SrPtAs的超导机制可以用电声子耦合解释,说明其是一种常规的电声子耦合超导体。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

叁角晶格结构论文参考文献

[1].王晴晴,程荣龙,宫昊.以石墨烯为例分析二维六角晶格结构及振动模式[J].大学物理.2019

[2].刘子重.从第一性原理计算研究六角晶格电子结构及特性[D].杭州师范大学.2012

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