导读:本文包含了散射杂质论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:拓扑绝缘体,外尔半金属,反常霍尔效应,杂质散射
散射杂质论文文献综述
邓明勋[1]（2018）在《拓扑系统中杂质散射效应的理论研究》一文中研究指出拓扑绝缘体具有与普通绝缘体一样的体能隙,同时在能隙中存在拓扑保护的边界态。边界态受时间反演对称性保护,其自旋和动量相互绑定形成螺旋或手征结构,因而对时间反演不变微扰具有很强的鲁棒性。拓扑绝缘体的独特性质使得它们在自旋电子学和拓扑量子计算中具有很大的应用前景。本文使用格林函数和线性响应理论对拓扑系统中的掺杂效应进行了理论研究,主要包括以下内容:在第一章中,我们首先简要地介绍了拓扑绝缘体的拓扑性质和发展过程,然后着重介绍了本文使用的方法:杂质散射理论和线性响应理论。对于掺杂系统,由于自能的引入,体系的本征问题一般不可严格求解。此时,传统的酒保公式不能很好地处理掺杂系统下的输运问题。在本章的第四节,我们从新的角度推导了Kubo-Streda公式,并将其推广到了有限频的情况。Kubo-Streda公式用格林函数表示,能够较好地处理杂质散射问题,因而在处理掺杂系统的拓扑输运问题中具有很大的优势。这种方法主要应用在本文的第四和第五章。在第二章中,利用格林函数的运动方程,我们研究了拓扑表面态和STM(扫描隧道显微镜)耦合的安德森杂质之间的相互作用。通过研究发现,当安德森杂质与STM耦合时,杂质和拓扑表面态之间的相互作用可以在拓扑表面诱导隧穿共振和近藤共振,并且,通过调节杂质能级,隧穿共振峰可以调到狄拉克点处,形成狄拉克点共振。当温度低于近藤温度时,通过调节STM的费米能,可以将近藤峰严格调到狄拉克点处,极大地增强狄拉克点共振。STM解耦合的安德森杂质则不能诱导狄拉克点共振,并且其近藤峰在狄拉克点处也是完全抑制的。在第叁章中,我们研究拓扑表面态的狄拉克电子在圆偏振光照射下对点状杂质的散射效应。由于拓扑表面态能谱被重组,狄拉克电子对非磁性杂质的背散射通道被打开,于是狄拉克电子自旋态密度在实空间呈现有趣的Friedel振荡。圆偏正光可以打开拓扑表面态的能隙,而杂质散射和光照效应之间的相互作用则在能隙内诱导束缚态,这些效应显着地改变狄拉克电子谱。除此之外,我们还详细讨论了不同机制(共振光和非共振光)下狄拉克电子杂质散射效应的特点。杂质散射对圆偏正光的参数非常敏感,因此,含时驱动提供了一种调制拓扑表面电子性质的可能性。在第四章中,我们研究有限浓度磁性杂质在拓扑绝缘体表面诱导的反常霍尔效应。研究发现,拓扑非平庸和拓扑平庸两种机制同时对霍尔电导有贡献。拓扑非平庸机制打开表面态的能隙,导致半整数量子化霍尔平台e2/2h的出现,而拓扑平庸机制通过能隙填充效应修正量子化霍尔平台。静电势虽然参与能隙填充过程,但是其本身不能导致反常霍尔电导的出现。然而,通过重整局域态的能量位置,它可以破坏霍尔电导的对称分布。在第五章中,我们研究了磁掺杂狄拉克半金属中的杂质散射效应。研究发现,由于时间反演对称性的破缺,一个狄拉克点可以分裂成一对外尔点,导致狄拉克半金属到外尔半金属的拓扑相变。两个外尔点之间的布里渊区截面的陈数是量子化的,于是,开放费米弧出现在表面布里渊区,将外尔点的投影连接起来。除了将外尔点分开,杂质散射还会引入一些局域态到体系中,从而修正贝利曲率和反常霍尔电导。虽然静电势与狄拉克半金属的拓扑相变无关,但是它可以通过重新分配局域态的能量位置修正贝利曲率和反常霍尔电导。在本文的最后一章,我们做了一个简单的总结和展望。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01）
车彦明[2]（2016）在《偶极长程相互作用及杂质散射对超冷原子费米气体中的配对和超流性的影响》一文中研究指出本文在理论上研究偶极长程相互作用和非磁性杂质对原子费米气体超流配对及BCS-BEC渡越的影响。第一章为引言,主要是研究背景介绍。第二章中我们首先在已有G0G配对涨落方案的基础上,构造等自旋(单组分)配对的配对涨落理论。我们发现,在T矩阵近似下,等自旋的配对涨落自能比自旋单态的情形多了一个交换项。除此之外,单组分费米气体的超流配对波函数是奇宇称的。进一步,通过将偶极费米气体的多体相互作用用球谐函数做多通道展开,我们得到主导配对的通道,也就是pz波通道以及相应的配对对称因子。最后通过自洽求解能隙方程,粒子数方程,以及赝能隙方程,我们研究了单组分偶极费米气体的有限温度超流转变相图及BCS-BEC渡越。和传统的短程相互作用的情形不同,这里我们发现偶极相互作用的长程特性和其诱导出的主导的pz波配对对称性使得超流临界温度Tc在BCS-BEC渡越过程中出现了可重入(reentrant)行为。长程相互作用使得系统处于有效的高密度区,在化学势的零点μ = 0附近,长程特性和pz波对称性协同作用,使得粒子对在偶极子极化方向的有效排斥相互作用超过了其动能,从而形成类似Wigner晶体的结构,我们称之为粒子对密度波(pair density wave,PDW)。这样均匀超流态的临界温度便在μ= 0附近出现了可重入行为。在第叁章中,我们研究了单组分偶极费米气体Tc以下的热力学行为及超流密度,由于这里的配对对称性为p波极向态,在费米面上有一个线性节点(line node),因此超流密度和比热对温度的依赖都与s波配对具有完全不同的行为。此外,我们还利用局域密度近似(LDA)研究了偶极费米气体在叁维各向同性简谐势阱中的密度分布曲线随着温度和配对强度变化的行为(包括正常态及超流态)。第四章中我们利用配对涨落理论研究了非磁性杂质对叁维s波超冷原子费米气体超流配对及BCS-BEC渡越的影响,包括杂质对频率和能隙的重整化效应,对费米子态密度,超流临界温度Tc,序参量,超流密度等的影响。我们发现,尽管系统对Born极限的弱杂质散射不太敏感,强的杂质散射会在很大程度上对频率和能隙重整化,并将费米子态密度中相干峰处的谱重向杂质带和能隙内转移,造成Bogoliubov准粒子和粒子对的有限寿命效应,从而对Tc和超流密度都有明显的压制。在弱耦合的深BCS区,能隙相对较小,超流会被一定浓度的强杂质散射破坏掉,造成BCS区有一个超流一绝缘体相变。在强杂质散射的情况下,Anderson定理不再成立。相比较而言,幺正区和BEC区由于具有较大的能隙,对杂质散射不如BCS区敏感。第五章为总结及展望。(本文来源于《浙江大学》期刊2016-10-17）
邓强[3]（2016）在《铁基超导体中的杂质散射效应和电子向列相的研究》一文中研究指出2008年发现的铁基超导体给高温超导体家族带来了新的生机与活力,其多带性质以及“不正常”的正常态带来了丰富的物理。能隙对称性的问题对揭示超导机理至关重要,然而在铁基超导体中这一问题还存在争议。铁基超导体中另一个独特的性质——电子向列相,它的起源问题似乎也和超导机理有着密切的联系。本文第一章简单介绍了超导的发展概况,对二带模型下的霍尔和磁阻作了简单的推导,最后介绍了一些磁通物理以及磁通的观测方法。第二章中对铁基超导体单晶的生长方法,超导物理性质表征用到的磁化和电输运实验的测量方法,以及本论文研究中用到的Montgomery方法和单晶样品去孪晶的方法作了简单介绍。第叁章中我们研究了Na(Fe0.97-xCo0.03Tx)As(T=Cu,Mn)超导体中的杂质散射效应。基于居里-外斯定律分析的高场直流磁化率实验表明Mn掺杂引入的是磁性杂质,而Cu杂质表现为非磁性或非常弱的磁性。我们发现,掺杂Cu和Mn都可以引起剩余电阻率的增加并压制超导。在低掺杂区域压制超导的速率和S±理论预言的基本一致。对于Cu掺杂的样品,超导在剩余电阻率达到0.87mQ cm时被完全压制,同时伴随着很强的局域化的效应。然而,对于Mn掺杂的样品,当掺杂浓度超过3%时,超导临界温度的压制似乎变得非常缓慢,剩余电阻率达到2.86 mΩ cm时超导依然没有完全压制。实验清楚地表明高掺杂区域Mn杂质对Na(Fe0.97Co0.03)As超导体的压制要弱于Cu杂质。第四章中我们通过对施加单轴压力的NaFe1-xCoxAs单晶面内电阻的测量,发现了很强的面内电阻各向异性,进一步,我们分别定出了电子向列相,结构相变,反铁磁相变的几个特征温度。我们将上述从面内电阻的测量上得到的特征温度和文献中报道的其他非电阻测量手段获得的数据,一同画在相图中。我们发现,结构相变和向列序的温度在大约x=0.025±0.002时同时消失,而反铁磁相变温度在一个较低掺杂的区域就消失了。我们的实验结果还说明,在电子型掺杂的铁基超导体中,电子向列相和超导可能有密切的关系。第五章中我们测量了去孪晶的NaFeAs单晶在电流沿着a轴和沿着b轴两种情况下的纵向电阻率和横向电阻率。纵向电阻率观察到了很强的面内电阻各向异性,而横向电阻率和霍尔系数却几乎是各向同性。我们也在结构相变温度之下观察到了增强的磁阻效应,且磁阻效应违反Kohler定则的标度,意味着向列相中多带效应起到了作用。我们用二带模型分析了两种测量位形下的非线性霍尔效应和磁阻效应,发现二带模型可以很好的拟合我们的数据。细致的理论分析表明,两个带的载流子浓度n1和n2应该是各向同性的,而向列相中明显的面内电阻各向异性是由载流子迁移率在两个垂直方向上的差别导致的。最后我们对全文进行了总结。(本文来源于《南京大学》期刊2016-05-01）
李新霞,岳东宁,雷晓晨[4]（2015）在《含杂质的卢瑟福散射的蒙特卡罗模拟》一文中研究指出采用蒙特卡罗方法数值研究了杂质对α粒子卢瑟福散射的影响。杂质原子根据靶材的纯度以给定的概率随机替换靶材原晶格的原子。研究结果表明,考虑杂质后,出射粒子随散射角分布的曲线中形成了新的峰,峰的位置随杂质元素原子序数的增加向大角度方向移动;杂质的原子序数越低、含量越高,对卢瑟福散射出射粒子角分布的影响越明显;同时,入射粒子能量越低,杂质产生的峰对分布曲线的影响越明显。此外,对典型的C6+、N7+等重离子束的卢瑟福散射的模拟计算结果表明,重离子束对杂质有更好的分辨率。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2015年10期）
罗国忠[5]（2015）在《杂质散射波导理论在T型量子调制晶体管中的应用》一文中研究指出近年来,在量子波导管中由于杂质的弹性散射的效应能被精确地以一维散射问题来研究。文章在电子输运的量子波导理论基础上研究了介观结构中δ势杂质散射的一维量子波导理论,并把这个理论方法应用在T型量子调制晶体管中杂质散射波导理论中,发现介观结构的振荡结构被破坏了。(本文来源于《忻州师范学院学报》期刊2015年02期）
汪国峰[6]（2015）在《高温超导体在电荷密度波调制下的杂质散射研究》一文中研究指出超导理论是一门内涵极为丰富的基础学科,其涉及的领域也是极为广泛的。它不仅为高温超导体的研究奠定了理论基础,同时也为各个当代前沿科学的研究与技术创新给予了支持。本文基于BCS理论,从Bogoliubov-de-Gennes(Bd G)方程出发,讨论了电荷密度波的和杂质散射的高温超导体物理性质的计算结果,从理论上给出了高温超导体在电荷密度波调制下的杂质散射研究的特性。论文的主要研究结论:根据唯象模型,我们理论的研究了d波高温超导体中杂质对电荷密度波序参量的影响。研究结果表明,杂质诱导的共振态强度取决于电荷密度波的散射强度。当电荷密度波的散射强度增加的时候,由杂质诱导的共振态强度是先增加后减少的,与此同时,伴随着出现的是,在没有电荷密度波调制的情况下,杂质态只存在于杂质点附近,当存在电荷密度波调制的时候,距离杂质点较远的地方也会出现杂质态。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2015-03-01）
徐彧[7]（2014）在《杂质散射对铁基超导体中序对称性的影响》一文中研究指出自从铜氧化物高温超导体发现以来,经过多年的努力探索,人们还没有完全了解高温超导的机制。伴随着各种铁基超导材料被陆续发现,再次掀起了高温超导研究热潮。这是继铜氧化物高温超导体发现后,又一个超导转变临界温度突破麦克米兰极限的一类化合物。铁基超导体与铜氧化物高温超导体有许多近似的性质,两者都是层状结构,并且在它们的相图里反铁磁有序相和超导相非常接近。但是与铜氧化物超导体不相同的是,铁基超导体是一个多带系统,而且母体化合物含具有多个费米面的半金属。是以这些性质都有助于更深入的了解高温超导的机制。在本文中,我们用两带模型在实空间研究了铁基超导体在磁性杂质的作用下展现出的一些性质,通过这些性质的研究,我们希望能对铁基高温超导的一些关键问题给出合理的解释。论文分为叁个部分：第一份：绪论部分,主要介绍了超导的研究发展,包括实验的研究工作和理论的研究过程。对实验部分我们详细地介绍了研究高温超导性质的关键实验以及他们在研究高温超导中做出的主要的结论。第二部分,包括第二章和第叁章,我们介绍了研究超导的BCS理论以及BDG方程。第叁部分,包括第四章和第五章,我们给出了我们在研究铁基超导体中所得到的主要研究结果：我们采用了自洽的Bogoliubov-de Gennes方程。它使我们不仅能研究杂质紧束缚态,还能研究量子干涉效应。我们还探索了由两个铁磁杂质组成的结构中的量子干涉效应。我们发现在LDOS和超导序参数的空间形态上,量子干涉引起了二度对称的特征信号,因此,我们建议在不同铁基超导的STM实验中发现C2的对称性的研究时要重视磁性杂质引起的二度对称性。(本文来源于《扬州大学》期刊2014-04-01）
郭猜,郑涛,刘坤,杨江燕,田继挺[8]（2014）在《使用背散射与二次离子质谱方法分析类金刚石厚样品中的杂质》一文中研究指出卢瑟福背散射分析是测定薄膜或镀层成分和厚度的成熟手段,但在分析含多种微量元素成分的厚样品时,精确测定样品中多种元素的分布是比较困难的。二次离子质谱对样品表面成分有较高的质量分辨能力,可以作为对卢瑟福背散射分析的补充。在北京大学2×1.7 MV串列静电加速器终端上,结合使用这两种分析方法,分析了类金刚石厚样品中的金属元素杂质。(本文来源于《核电子学与探测技术》期刊2014年02期）
李禹帆[9]（2012）在《源自杂质散射和拓扑自旋结构的反常霍尔效应》一文中研究指出近年来,自旋电子学的蓬勃发展要求人们对自旋相关的输运现象有更彻底的理解,使得诸如反常霍尔效应等长年悬而未决的问题吸引了越来越广泛的关注。理论上,反常霍尔效应有叁种可能的起源,其中包括了基于杂质散射的外禀机制和源自k空间中的贝利相位的内禀机制。而在实验上观察到的现象到底应该归结为哪一种或几种机制,是一个争论了半个多世纪而尚未得到彻底解决的问题。然而,解决反常霍尔效应这一难题的意义却超越了其本身。反常霍尔效应和晶体中的普遍存在的自旋轨道耦合息息相关,一些近十年来发现的新的自旋电子学现象如自旋霍尔效应,其机理亦跳不出反常霍尔效应的叁种机制。反常霍尔效应还在一些具有新奇的拓扑自旋结构的体系中被发现。最近两叁年以来一些有着拓扑学上非平庸的磁构型的材料逐渐成为磁学界的研究热点。其中极具代表性的是B20型过渡金属硅化物和锗化物中发现的skyrmion磁结构。这种磁结构因其与高能物理中核子模型的类比而得名,组成一个单位结构的自旋指向空间中的所有方向而包成球状。这种磁构型不但新颖,且存在潜在的应用价值。其数十纳米量级的结构周期使得该类材料有被应用于高密度磁存储技术的希望,而这种磁结构本身对电流和自旋流的奇特响应,例如可以被极小的电流密度所驱动,更使其有希望被用于下一代低能耗自旋电子学器件。在skyrmion磁结构中,由于磁矩在空间中缓慢变化,运动于其中的电子将感受到相应的势场而积累实空间中的贝利相位并产生反常霍尔效应,与作用与k空间的内禀机制类似。由于其拓扑学上的来源又称为拓扑霍尔效应。研究并理解这一现象不但对理解输运现象中的贝利相位有帮助,而且可以作为对skyrmion磁结构的探测手段,以期在不远的将来实现"skyrmionics"。在上述背景下,本论文将致力于从实验角度解决如下叁个问题：1.作为反常霍尔效应的外禀机制的side jump,因其与纵向电阻率的平方成正比的标度关系和内禀机制一致,使得从实验上分离两者极为困难。近年来在理论和实验上的突破使得人们对于内禀机制有了比较深刻的理解,然而对side jump的理解,出于上述障碍,仍然相当地欠缺,甚至连其在实际体系中存在与否都不清楚。我们对顺磁镍铜合金薄膜中的反常霍尔效应进行了研究,并发现了存在与纵向电阻率成平方关系的二次项贡献。由于内禀机制的贡献需要体系具有铁磁性,因而我们在顺磁体系中观察到的二次项可以毫无疑问地归结为side jump机制,并可以给出其具体定量的数值。我们还通过研究其温度关系阐明了side jump正确的标度关系,发现side jump只与低温下的弹性杂质散射有关,而与有限温度下声子产生的非弹性散射无关。2.在可以形成skyrmion的以MnSi为代表的B20结构化合物中,人们发现在薄膜材料中skyrmion相远比在体材料中稳定。此外,薄膜材料在器件制备方面有着体材料无法比拟的优势。因此无论从基础研究的角度还是应用的角度,人们都更希望能在外延生长的薄膜材料中得到skyrmion磁结构。我们在Si(111)衬底上成功外延生长出高质量的MnSi薄膜,并使用洛伦兹电镜观察到了其中形成的skyrmion磁结构。我们的实验证实了外延薄膜中的skyrmion相比在体材料中更加稳定。3.我们进一步研究了MnSi外延薄膜的输运性质。我们发现在磁矩被外场饱和之后MnSi中的反常霍尔效应由skew scattering和内禀机制贡献,而不像如此前他人的研究工作所声称的仅仅存在内禀机制。在理解了反常霍尔效应的基础上我们进一步研究了由于skyrmion磁结构的形成而产生的额外的反常霍尔效应一一拓扑霍尔效应,并在正的拓扑霍尔电阻率ρyxT和skyrmion相之间建立起了一一对应关系。相较于体材料中观测到的负的ρyxT,我们发现薄膜材料中的拓扑霍尔电阻率的符号有着非常复杂的表现行为,这一新发现将促进对与skyrmion相关的物理问题的进一步理解。(本文来源于《复旦大学》期刊2012-10-08）
哈斯乌力吉,王雪阳,郭翔宇,仲召明,范瑞清[10]（2012）在《杂质颗粒对受激布里渊散射介质光学击穿阈值影响的研究》一文中研究指出建立了受激布里渊散射介质中热作用破坏的物理模型,数值模拟了杂质颗粒的温度随其半径的变化曲线.结果显示,杂质颗粒存在一个最大热作用半径,介质所含颗粒的尺寸在此半径附近时,介质最容易发生光学击穿现象,其光学击穿阈值最低.在Continuum Nd:YAG种子注入式激光系统中,选取FC-3283,GF-180和HFE-7100介质,通过不同孔径的过滤膜进行过滤,并研究了过滤前后的光学击穿阈值和能量反射率.结果表明,随着过滤孔径的变小,介质光学击穿阈值逐渐提高,且过滤之后介质的能量反射率有了明显的提高.介绍了一种利用He-Ne激光透射光光斑变化来判断是否发生光学击穿现象的方法,该方法具有方便、准确的特点,可有效地减小由于肉眼观测引起的误差.(本文来源于《物理学报》期刊2012年14期）
散射杂质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文在理论上研究偶极长程相互作用和非磁性杂质对原子费米气体超流配对及BCS-BEC渡越的影响。第一章为引言,主要是研究背景介绍。第二章中我们首先在已有G0G配对涨落方案的基础上,构造等自旋(单组分)配对的配对涨落理论。我们发现,在T矩阵近似下,等自旋的配对涨落自能比自旋单态的情形多了一个交换项。除此之外,单组分费米气体的超流配对波函数是奇宇称的。进一步,通过将偶极费米气体的多体相互作用用球谐函数做多通道展开,我们得到主导配对的通道,也就是pz波通道以及相应的配对对称因子。最后通过自洽求解能隙方程,粒子数方程,以及赝能隙方程,我们研究了单组分偶极费米气体的有限温度超流转变相图及BCS-BEC渡越。和传统的短程相互作用的情形不同,这里我们发现偶极相互作用的长程特性和其诱导出的主导的pz波配对对称性使得超流临界温度Tc在BCS-BEC渡越过程中出现了可重入(reentrant)行为。长程相互作用使得系统处于有效的高密度区,在化学势的零点μ = 0附近,长程特性和pz波对称性协同作用,使得粒子对在偶极子极化方向的有效排斥相互作用超过了其动能,从而形成类似Wigner晶体的结构,我们称之为粒子对密度波(pair density wave,PDW)。这样均匀超流态的临界温度便在μ= 0附近出现了可重入行为。在第叁章中,我们研究了单组分偶极费米气体Tc以下的热力学行为及超流密度,由于这里的配对对称性为p波极向态,在费米面上有一个线性节点(line node),因此超流密度和比热对温度的依赖都与s波配对具有完全不同的行为。此外,我们还利用局域密度近似(LDA)研究了偶极费米气体在叁维各向同性简谐势阱中的密度分布曲线随着温度和配对强度变化的行为(包括正常态及超流态)。第四章中我们利用配对涨落理论研究了非磁性杂质对叁维s波超冷原子费米气体超流配对及BCS-BEC渡越的影响,包括杂质对频率和能隙的重整化效应,对费米子态密度,超流临界温度Tc,序参量,超流密度等的影响。我们发现,尽管系统对Born极限的弱杂质散射不太敏感,强的杂质散射会在很大程度上对频率和能隙重整化,并将费米子态密度中相干峰处的谱重向杂质带和能隙内转移,造成Bogoliubov准粒子和粒子对的有限寿命效应,从而对Tc和超流密度都有明显的压制。在弱耦合的深BCS区,能隙相对较小,超流会被一定浓度的强杂质散射破坏掉,造成BCS区有一个超流一绝缘体相变。在强杂质散射的情况下,Anderson定理不再成立。相比较而言,幺正区和BEC区由于具有较大的能隙,对杂质散射不如BCS区敏感。第五章为总结及展望。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
散射杂质论文参考文献
[1].邓明勋.拓扑系统中杂质散射效应的理论研究[D].南京大学.2018
[2].车彦明.偶极长程相互作用及杂质散射对超冷原子费米气体中的配对和超流性的影响[D].浙江大学.2016
[3].邓强.铁基超导体中的杂质散射效应和电子向列相的研究[D].南京大学.2016
[4].李新霞,岳东宁,雷晓晨.含杂质的卢瑟福散射的蒙特卡罗模拟[J].原子能科学技术.2015
[5].罗国忠.杂质散射波导理论在T型量子调制晶体管中的应用[J].忻州师范学院学报.2015
[6].汪国峰.高温超导体在电荷密度波调制下的杂质散射研究[D].南京航空航天大学.2015
[7].徐彧.杂质散射对铁基超导体中序对称性的影响[D].扬州大学.2014
[8].郭猜,郑涛,刘坤,杨江燕,田继挺.使用背散射与二次离子质谱方法分析类金刚石厚样品中的杂质[J].核电子学与探测技术.2014
[9].李禹帆.源自杂质散射和拓扑自旋结构的反常霍尔效应[D].复旦大学.2012
[10].哈斯乌力吉,王雪阳,郭翔宇,仲召明,范瑞清.杂质颗粒对受激布里渊散射介质光学击穿阈值影响的研究[J].物理学报.2012