导读:本文包含了负偏置温度不稳定性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:功率金属氧化物半导体场效应晶体管,负偏置温度不稳定性,反应扩散模型
负偏置温度不稳定性论文文献综述
张月,卓青青,刘红侠,马晓华,郝跃[1]（2013）在《功率MOSFET的负偏置温度不稳定性效应中的平衡现象》一文中研究指出通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究,发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应扩散模型所描述的幂函数关系,并且在不同栅压应力下,实验结果中均可观察到平台阶段的出现.基于反应扩散理论的模型进行了仿真研究,通过仿真结果分析和验证了此平台阶段对应于反应平衡阶段,并且解释了栅压应力导致平台阶段持续时间不同的原因.(本文来源于《物理学报》期刊2013年16期）
曹建民,贺威,黄思文,张旭琳[2]（2012）在《pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析》一文中研究指出应用负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI),退化氢分子的漂移扩散模型,与器件二维数值模拟软件结合在一起进行计算,并利用已有的实验数据和基本器件物理和规律,分析直流应力NBTI效应随器件沟道长度、栅氧层厚度和掺杂浓度等基本参数的变化规律,是研究NBTI可靠性问题发生和发展机理变化的一种有效方法.分析结果显示,NBTI效应不受器件沟道长度变化的影响,而主要受到栅氧化层厚度变化的影响;栅氧化层厚度的减薄和栅氧化层电场增强的影响是一致的,决定了器件退化按指数规律变化;当沟道掺杂浓度提高,NBTI效应将减弱,这是因为器件沟道表面空穴浓度降低引起的;然而当掺杂浓度提高到器件的源漏泄漏电流很小时(小泄露电流器件),NBTI效应有明显的增强.这些结论对认识NBTI效应的发展规律以及对高性能器件的设计具有重要的指导意义.(本文来源于《物理学报》期刊2012年21期）
萨宁,康晋锋,杨红,刘晓彦,张兴[3]（2006）在《具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究》一文中研究指出研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO_2高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO_2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征:HfN/HfO_2栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.(本文来源于《物理学报》期刊2006年03期）
负偏置温度不稳定性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
应用负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI),退化氢分子的漂移扩散模型,与器件二维数值模拟软件结合在一起进行计算,并利用已有的实验数据和基本器件物理和规律,分析直流应力NBTI效应随器件沟道长度、栅氧层厚度和掺杂浓度等基本参数的变化规律,是研究NBTI可靠性问题发生和发展机理变化的一种有效方法.分析结果显示,NBTI效应不受器件沟道长度变化的影响,而主要受到栅氧化层厚度变化的影响;栅氧化层厚度的减薄和栅氧化层电场增强的影响是一致的,决定了器件退化按指数规律变化;当沟道掺杂浓度提高,NBTI效应将减弱,这是因为器件沟道表面空穴浓度降低引起的;然而当掺杂浓度提高到器件的源漏泄漏电流很小时(小泄露电流器件),NBTI效应有明显的增强.这些结论对认识NBTI效应的发展规律以及对高性能器件的设计具有重要的指导意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负偏置温度不稳定性论文参考文献
[1].张月,卓青青,刘红侠,马晓华,郝跃.功率MOSFET的负偏置温度不稳定性效应中的平衡现象[J].物理学报.2013
[2].曹建民,贺威,黄思文,张旭琳.pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析[J].物理学报.2012
[3].萨宁,康晋锋,杨红,刘晓彦,张兴.具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究[J].物理学报.2006
标签：功率金属氧化物半导体场效应晶体管; 负偏置温度不稳定性; 反应扩散模型;