导读:本文包含了门极可关断晶闸管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:晶闸管,关断时间,门极,测试
门极可关断晶闸管论文文献综述
方亮[1]（2016）在《门极动态过程对晶闸管电路换向关断时间影响的分析》一文中研究指出从器件工艺理论上分析门极部分对测试晶闸管关断时间影响的原因,搭建相关测试电路来进行对比试验。为晶闸管等器件的实际应用提供了参考,对正常测试晶闸管电路换向关断时间有借鉴作用。(本文来源于《计测技术》期刊2016年S1期）
周才能,岳瑞峰,王燕[2]（2016）在《碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展》一文中研究指出由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年02期）
郭一军[3]（2008）在《一种可关断晶闸管(GTO)直接门极驱动电路的研究》一文中研究指出可关断晶闸管(GTO)要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高。主要结合GTO门极驱动的要求,提出一种新型的直接门极驱动电路,这种新型门极驱动电路结构简单,电感值低,因此可以为GTO提供快速的门极脉冲。每个GTO门极驱动完全独立,一定数量的GTO就可以串联使用来适应高压需要。(本文来源于《化工自动化及仪表》期刊2008年05期）
韩焱青[4]（2008）在《大容量门极可关断晶闸管变频器的技术分析》一文中研究指出对大容量门极可关断晶闸管(GTO)变频器系统的电路结构和能良好保持各单元变频器间电流平衡的多重化脉宽调制(PWM)控制方法进行了分析。采用多重化和PWM控制后,不仅增大了装置容量,而且改善了输出电压波形,大幅度降低了高次谐波;与交-交变频器系统相比具有同等以上的指标,同时实现了电源电流的正弦化和电源的高功率因数运行。该系统在轧机主传动等各个领域中有着广阔的应用前景。(本文来源于《江苏电器》期刊2008年06期）
王彩琳,高勇[5]（2007）在《一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管的特性分析与优化(英文)》一文中研究指出在阳极短路型门极可关断晶闸管(SA-GTO)的基础上,提出了一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管(IEC-GTO),其注入效率可通过一层位于阳极短路接触区的薄氧化层来控制.模拟了IEC-GTO的正向阻断、导通和开关特性,并与短路阳极和普通阳极GTO的特性进行比较分析.结果表明,IEC-GTO在关断特性和通态特性间获得较好的折中.最后,通过对薄阳极氧化层宽度和阳极掺杂浓度的优化,分析了工艺的可行性,给出了工艺方案,说明引入氧化层并不会增加IEC-GTO的工艺难度.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年04期）
项小娟,毛承雄,陆继明,李国栋[6]（2007）在《功率器件集成门极换流晶闸管关断特性研究》一文中研究指出为深入研究IGCT的关断特性,该文基于实验结果,建立了IGCT关断过程中,流过IGCT电流的波形的数学模型,在此基础上进而提出用微分方程研究电路中IGCT关断特性的方法。为验证该方法的有效性,以建立的IGCT关断过程电流波形数学模型为基础。该文建立基于斩波电路的IGCT关断暂态特性的数学模型。该模型充分考虑IGCT阻容吸收回路、线路杂散电感及限流电抗器对IGCT关断暂态过电压的影响。数值仿真及试验结果表明,该模型能够较好地反映IGCT关断过程中的暂态特性。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2007年07期）
李宏[7]（2001）在《浅谈门极可关断(GTO)晶闸管的“硬驱动”技术》一文中研究指出文章介绍了门极可关断 GTO晶闸管的“硬驱动”技术之优点 ,分析了“硬驱动”技术作用下 GTO晶闸管的工作特点 ,剖析了“硬驱动”条件下 GTO的关断波形 ,给出了“硬驱动”门极电路的典型结构。(本文来源于《电气传动》期刊2001年06期）
J,F,Donlon,张明[8]（2000）在《新型门极换相可关断晶闸管和配套二极管在大功率中的应用》一文中研究指出传统的门极可关断晶闸管(GTO)需要昂贵的di/dl和du/dl缓冲电路以及体积较大的门极驱动电路。采用硬关断,即主电流全部转移至门极电路,使关断增益为1.已被当作降低传统GTO中du/dt值的方法。新型门极换相可关断晶闸管(GCT)优化了这种模式,并配置了低电感门极驱动电路,从而大大减少了di/dl的限制,同时允许省去di/dl缓冲电路。为使GCT在实际应用中发挥优良性能,还开发了相配套的新型软恢复二极管。(本文来源于《变流技术与电力牵引》期刊2000年01期）
季凌云,张昌利,李更生,白杰[9]（1996）在《门极可关断晶闸管再导通机理分析及验证》一文中研究指出分析了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）在关断过程中出现再导通现象的机理。通过试验证明了再导通现象的存在，同时验证了在高温下，再导通ＧＴＯ的阻断电压远低于规定结温下的阻断电压。(本文来源于《电力电子技术》期刊1996年03期）
HIROMICHI,OHASHI,李蕴嘉[10]（1994）在《大功率门极可关断晶闸管的吸收电路》一文中研究指出推荐了一种大功率门极可关断晶闸管(GTO)吸收电路的计算模型,用于研究吸收电路设计中必须解决的问题。计算出的 GTO 波形,与采用 GTO 斩波器电路在阻性和感性负载条件下所得试验数值完全吻合。利用该计算模型,对吸收电路设计中需考虑的问题,诸如峰值电压衰减、GTO 最大阳极电流及开关容量,均进行了探讨。成功地建立了吸收电路的设计准则,即运用最高允许峰值电压,以防止当门极关断期间由于浪涌电流和附加电压超过 GTO 最大关断电压能力时造成故障。根据这一设计准则,还计算出 GTO 和吸收电阻所消耗的最小开关损耗。根据最小开关损耗优化设计的计算结果,还发现吸收电路杂散电感在较大阳极电流和主电路中有较大杂散电感情况下,起着重要作用。(本文来源于《河南电力》期刊1994年Z1期）
门极可关断晶闸管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
门极可关断晶闸管论文参考文献
[1].方亮.门极动态过程对晶闸管电路换向关断时间影响的分析[J].计测技术.2016
[2].周才能,岳瑞峰,王燕.碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展[J].半导体技术.2016
[3].郭一军.一种可关断晶闸管(GTO)直接门极驱动电路的研究[J].化工自动化及仪表.2008
[4].韩焱青.大容量门极可关断晶闸管变频器的技术分析[J].江苏电器.2008
[5].王彩琳,高勇.一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管的特性分析与优化(英文)[J].半导体学报.2007
[6].项小娟,毛承雄,陆继明,李国栋.功率器件集成门极换流晶闸管关断特性研究[J].中国电机工程学报.2007
[7].李宏.浅谈门极可关断(GTO)晶闸管的“硬驱动”技术[J].电气传动.2001
[8].J,F,Donlon,张明.新型门极换相可关断晶闸管和配套二极管在大功率中的应用[J].变流技术与电力牵引.2000
[9].季凌云,张昌利,李更生,白杰.门极可关断晶闸管再导通机理分析及验证[J].电力电子技术.1996
[10].HIROMICHI,OHASHI,李蕴嘉.大功率门极可关断晶闸管的吸收电路[J].河南电力.1994