导读:本文包含了氮化方法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:助剂,甲醇水蒸气重整,氢气,一氧化碳
氮化方法论文文献综述
武江红,薛伟,苏立红,栗俊田,王海堂[1]（2019）在《不同处理方法对氮化硼负载铁基催化剂费托合成性能的影响》一文中研究指出采用等体积浸渍法制备了叁种氮化硼(BN)负载的铁基催化剂,将其用于费托合成反应中;结合XRD、TEM、FT-IR和H2-TPR等表征手段,研究了催化剂的物相结构、形貌特征、还原性能以及F-T合成反应性能。结果表明,Cu助剂加入不会破坏载体BN的物相结构,而硼砂的加入会提高载体BN的结晶度; Cu助剂和硼砂加入对催化剂形貌的影响不明显,但都会使所制备的负载型铁基催化剂还原温度降低。在n(H2_)/n(CO)=2.0、340℃、2 MPa和GHSV=1500 h~(-1)的条件下,叁种催化剂Fe/BN、Fe/BNM和Fe-Cu/BN上的CO的转化率分别为12.3%、36.2%和31.6%,产物中甲烷选择性为57.9%、26.8%和44.7%。Fe-Cu/BN和Fe/BNM两种催化剂活性均比Fe/BN催化剂有所提高,表明BN负载的铁基催化剂可以通过加入助剂以及改善载体与活性组分之间的相互作用来提升其对F-T合成反应的催化活性。相关结果可为探索制备高活性的氮化硼基FT合成催化剂提供思路。(本文来源于《燃料化学学报》期刊2019年10期）
谭秀珍,李瑶,朱刘,邓育宁[2]（2019）在《不同制样方法对直流辉光放电质谱法测定氮化硼中27种杂质元素的影响》一文中研究指出讨论了3种制样方法对直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)检测氮化硼中的Na、Mg、Al、Si等27种杂质元素的影响。3种制样方法分别如下所示:方法1,直接把氮化硼压在铟薄片上;方法2,把氮化硼压在铟薄片上后,再盖上一层铟罩;方法3,把压碎后的氮化硼放在针状钽勺上。在优化的辉光放电参数下对比了3种不同制样方法对基体信号强度的影响。试验表明:在方法1中,当氮化硼尺寸约为3mm×3mm,厚度小于1mm时,基体11B的信号可达1.8×107 cps;在方法2中,选择铟孔大小合适的铟罩,基体11B的信号可达1.0×107 cps;方法3获得基体信号强度比方法1、方法2高一个数量级。大部分元素在中分辨率下可获得较好的结果,而对于在高分辨率下也较难分离的元素,可选择丰度较低的同位素在中分辨率下进行测定,如Ge选择70 Ge+,Se选择82 Se+,Cd选择111 Cd+,Sn选择119 Sn+,Ag选择109 Ag+,Pt选择194Pt+。氮化硼中的杂质元素含量可通过样品片中待测元素含量减去来自于铟薄片或钽勺中该元素贡献的含量来计算获得。将样品平行测定5次,相对标准偏差均在20%以内。对于Al、Si、Ti等元素的测定,3种制样方法的测定结果基本一致;方法1、方法2中检测到的In含量较大,使得铟中的Ni、Cu对氮化硼的测定值影响较大;方法3由于钽中Fe、Cu的贡献导致氮化硼中Fe、Cu的检测值较大,但方法3获得的基体信号强度大,可降低部分元素的检出限,如Cr、Mn、Ga、Ge等。综上所述,方法3为优选方法。(本文来源于《冶金分析》期刊2019年08期）
江楠[3]（2019）在《氮化铝陶瓷粉体制备方法研究进展》一文中研究指出氮化铝陶瓷属优质陶瓷材料,自身热导率高、电绝缘性良好、介电常数及损耗低,受到高功率电子生产行业广泛欢迎。氮化铝陶瓷主要应用在高导热基板材料和高功率电子器件封装上,其自身优势性能对促进机械电子行业发展有重要作用。该文就高质量氮化铝陶瓷粉体制备进行详细分析,分析其技术进展,旨在为深入了解氮化铝陶瓷粉体制备方式,为相关部门深入氮化铝陶瓷研究提供有力参考。(本文来源于《科技资讯》期刊2019年18期）
许彦[4]（2019）在《碳纳米管-氮化硅改性聚丙烯复合材料的制备方法》一文中研究指出综述了近几年关于碳纳米管和氮化硅改性方法的研究进展,并针对每种方法介绍了相应符合材料制备实例。讨论了各种改性方法的作用原理,并对其优缺点进行比较。最后对碳纳米管和氮化硅增强聚合物纳米复合材料的发展前景做了展望。(本文来源于《化工管理》期刊2019年17期）
[5]（2019）在《孙蓉研究员团队揭示六方氮化硼纳米片剥离新方法》一文中研究指出中国科学院深圳先进技术研究院先进电子材料研究中心王宁博士与孙蓉研究员及其团队主导的研究在六方氮化硼纳米片剥离方法取得进展。相关成果为"Wang N, Yang G, Wang HX,et al. A universal method for large-yield and high-concentration exfoliation of two-dimensional hexagonal boron nitride nanosheets[J].Materials Today,2018,DOI:10.1016/j.mattod.2018.10.039(一种高产率、高浓度剥离二维六方氮化硼纳米(本文来源于《集成技术》期刊2019年03期）
王彦军,施彩娟[6]（2019）在《镁条燃烧制备氮化镁的简易方法研究》一文中研究指出介绍了用镁条与空气中的氮气反应制备氮化镁的实验方法,装置简单,操作便捷,现象明显,实验可在2min内完成,十分适合于课堂演示。并通过热力学分析,对实验产物中"氮化镁"表层出现的"外白内黄"现象进行理论分析和实验证实。(本文来源于《化学教与学》期刊2019年05期）
乔建东[7]（2019）在《二维六方氮化硼基单光子源的有效产生方法及应用》一文中研究指出固态单光子源在量子通讯、光子量子信息处理及量子计算等领域具有重要应用前景。二维材料基单光子源可以实现高的光子提取率,且更容易集成到光子电路中,是单光子源领域的研究热点。二维六方氮化硼(2D-hBN)是目前唯一可以在室温下发射单光子的二维宿主材料,且2D-hBN基单光子源的发射波长几乎覆盖整个可见光波长范围(380nm-780nm),是高性能单光子源的重要候选材料。然而,目前2D-hBN基单光子源研究面临着各种挑战:(1)还未掌握有效产生2D-hBN单光子源的可靠方法;(2)2D-hBN单光子源的相关应用还处于探索中;(3)还未实现电驱动2D-hBN单光子发射结构。针对以上问题,本文做了如下研究:(1)采用重离子(Ge~+、Ta~+)辐照的方法,用不同剂量的重离子束流辐照2D-hBN样品。辐照后样品表征的数据显示:重离子辐照(Ge~+和Ta~+)可以在2D-hBN的中心区域(非褶皱或边缘)有效地产生单光子源,Ge~+和Ta~+辐照的最佳离子束流分别为3×10~94)9)/(88)~2·和1×10~84)9)/(88)~2·。辐照区域中的2D-hBN本体晶体原子获得足够能量脱离正常格点的位置而产生空位缺陷,单个电子—空穴对在该缺陷中复合发射出一个光子。当辐照束流小于最佳剂量时,由于其对2D-hBN损伤能力的减弱,不能有效地产生单光子相关的缺陷;而当辐照束流大于最佳剂量时,由于损伤能力较大,会使2D-hBN产生一些非单光子缺陷,因此会引入很大的背景发射,甚至淹没了单光子发射,从而使单光子的纯度降低。此外,Ta~+辐照后的样品产生的单光子数量和纯度大都高于Ge~+辐照后的样品,主要是由于同一量级剂量下Ta~+的损伤能力(LET值为60)高于Ge~+的损伤能力(LET值为36)。这一方法使2D-hBN可以有效地产生单光子。(2)研究了2D-hBN单光子发射穿过不同折射率的介质后光学性质的响应关系。结果发现:同一单光子源在折射率由小到大变化的介质(空气n=1.0、去离子水n=1.333、无水乙醇n=1.361)中,发光波长发生红移,其中,发光波长在590nm和622nm附近时,峰位变化的最大灵敏度分别为12.679)8)?和15.679)8)?(refractive index unit),最高品质因数FOM(Figure of Merit)分别为6.335和7.835。这是由于当2D-hBN单光子的辐射场处于不同折射率的介质中时,介电常数ε发生了变化,它的辐射场就会相应的改变,从而导致能级发生位移,进而表现为发射波长的变化。另外,由于2D-hBN单光子窄的半峰宽(5nm左右),有望实现更高的品质因数。此研究结果揭示了2D-hBN单光子源作为折射率传感器的应用潜力,为其应用的开发提供了新思路。(3)对电驱动2D-hBN单光子发射的结构进行理论分析,设计了电驱动2D-hBN单光子发射结构,并制备出相应结构的器件。由于2D-hBN材料本身良好的绝缘性,采用通常金属-半导体结构难以实现载流子注入,故通过遂穿效应实现载流子注入是一个比较好的方法。本文首先设计了最简电驱动结构——石墨烯电极/2D-hBN单光子源层/石墨烯电极的“叁明治”结构,这是由于石墨烯具有高的载流子迁移率,在二维材料的光电研究中被广泛用作电极,以及具有高的透明度,在垂直结构中不会影响发光中心的外量子效率。此外,在此基础上进行优化,设计了2D-hBN/石墨烯/2D-hBN单光子源层/石墨烯/2D-hBN共五层的范德瓦尔斯(van der Waals)异质结构,之所以上下分别增加2D-hBN是为了避免外界环境造成石墨烯载流子迁移率降低。本研究可为电驱动2D-hBN单光子发射的结构设计和实现提供借鉴。(本文来源于《太原理工大学》期刊2019-04-01）
肖建平,许惠凤,周奕,张诗琪,王丽丽[8]（2019）在《氮化碳纳米片耦合适配体的赭曲霉毒素荧光检测新方法研究》一文中研究指出目的建立快速测定药材外源性有害成分赭曲霉毒素(OTA)的含量,为药材快速质控技术提供前期基础。方法制定一段一端标记有羧基荧光素(FAM)荧光团的赭曲霉毒素DNA适配体序列片段:5'-GAT-CGGTGTGGGTGGCGTAAAGGGAGCATCGGACA-FAM-3',在20 mM Tris-HCl缓冲液(包含100 mM NaCl、5.0mM KCl、5.0 mM MgCl_2,pH 7.4)中,以氮化碳纳米片(g-C_3N_4nanosheets,CNNS)为荧光淬灭基质,利用CNNS对游离态DNA和OTA-DNA复合态的吸附差异和其对FAM的荧光淬灭作用,实现对OTA的检测。结果该传感器对OTA的检测线性范围为1～100 nM,检测限为0.7 nM,且10倍浓度的赭曲霉毒素B和黄曲霉毒素B1均不会对检测结果有明显影响。结论氮化碳纳米片耦合OTA适配体的荧光检测方法具有较高的选择性和灵敏度,且操作简单,有望成为中药材中赭曲霉毒素含量测定的新方法。(本文来源于《福建中医药》期刊2019年02期）
陈丙璇,唐志,王东华,陈燕山[9]（2018）在《氮化硅球体生产内螺纹铜管的方法研究》一文中研究指出文章介绍了采用陶瓷球替代钢球进行内螺纹铜管成型的方法研究,指出在铜管生产过程中寻求更高精度、高耐磨性以及高性价比的球形材料是必然之选。(本文来源于《有色金属加工》期刊2018年06期）
徐克平[10]（2018）在《迭氮化钡消气剂质量分析及应用方法》一文中研究指出简要介绍了迭氮化钡消气剂的消气机理,从定量和定性两个方面给出了迭氮化钡消气剂的质量分析方法,并详细介绍了迭氮化钡消气剂的应用范围、使用方法及使用要点。(本文来源于《轻工标准与质量》期刊2018年06期）
氮化方法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
讨论了3种制样方法对直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)检测氮化硼中的Na、Mg、Al、Si等27种杂质元素的影响。3种制样方法分别如下所示:方法1,直接把氮化硼压在铟薄片上;方法2,把氮化硼压在铟薄片上后,再盖上一层铟罩;方法3,把压碎后的氮化硼放在针状钽勺上。在优化的辉光放电参数下对比了3种不同制样方法对基体信号强度的影响。试验表明:在方法1中,当氮化硼尺寸约为3mm×3mm,厚度小于1mm时,基体11B的信号可达1.8×107 cps;在方法2中,选择铟孔大小合适的铟罩,基体11B的信号可达1.0×107 cps;方法3获得基体信号强度比方法1、方法2高一个数量级。大部分元素在中分辨率下可获得较好的结果,而对于在高分辨率下也较难分离的元素,可选择丰度较低的同位素在中分辨率下进行测定,如Ge选择70 Ge+,Se选择82 Se+,Cd选择111 Cd+,Sn选择119 Sn+,Ag选择109 Ag+,Pt选择194Pt+。氮化硼中的杂质元素含量可通过样品片中待测元素含量减去来自于铟薄片或钽勺中该元素贡献的含量来计算获得。将样品平行测定5次,相对标准偏差均在20%以内。对于Al、Si、Ti等元素的测定,3种制样方法的测定结果基本一致;方法1、方法2中检测到的In含量较大,使得铟中的Ni、Cu对氮化硼的测定值影响较大;方法3由于钽中Fe、Cu的贡献导致氮化硼中Fe、Cu的检测值较大,但方法3获得的基体信号强度大,可降低部分元素的检出限,如Cr、Mn、Ga、Ge等。综上所述,方法3为优选方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮化方法论文参考文献
[1].武江红,薛伟,苏立红,栗俊田,王海堂.不同处理方法对氮化硼负载铁基催化剂费托合成性能的影响[J].燃料化学学报.2019
[2].谭秀珍,李瑶,朱刘,邓育宁.不同制样方法对直流辉光放电质谱法测定氮化硼中27种杂质元素的影响[J].冶金分析.2019
[3].江楠.氮化铝陶瓷粉体制备方法研究进展[J].科技资讯.2019
[4].许彦.碳纳米管-氮化硅改性聚丙烯复合材料的制备方法[J].化工管理.2019
[5]..孙蓉研究员团队揭示六方氮化硼纳米片剥离新方法[J].集成技术.2019
[6].王彦军,施彩娟.镁条燃烧制备氮化镁的简易方法研究[J].化学教与学.2019
[7].乔建东.二维六方氮化硼基单光子源的有效产生方法及应用[D].太原理工大学.2019
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[9].陈丙璇,唐志,王东华,陈燕山.氮化硅球体生产内螺纹铜管的方法研究[J].有色金属加工.2018
[10].徐克平.迭氮化钡消气剂质量分析及应用方法[J].轻工标准与质量.2018