导读:本文包含了半桥逆变论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:等离子切割机,半桥逆变电源,电容串联,动态有源均压
半桥逆变论文文献综述
袁乐,蔡子琨,杨喜军,唐厚君,田威[1]（2019）在《等离子切割机半桥逆变电源的均压设计》一文中研究指出等离子切割机电源常用的半桥逆变型DC-DC变换器具有结构简单、控制方便和成本低廉的优点,但是具有直流电容均压问题,而该问题又是切割机长期运行需要特别解决的技术问题。通过分析容值不同对电容分压和储能的影响,选择了静态无源均压和基于电容电压偏差的动态有源均压方法以及输出电流PI调节控制,实现了输出电流在35～105 A之间连续可调的等离子切割机实物样机,实测数据表明电解电容均压效果良好,380 V叁相交流供电时偏差为±10 V。(本文来源于《电气传动》期刊2019年02期）
汤定德[2]（2018）在《纯硬件开环电压型无死区半桥逆变器研究》一文中研究指出随着新能源发电应用的不断推广,逆变器的重要性越发凸显。分析了单极性正弦脉宽调制(SPWM)驱动在纯电阻(弱感性)负载下实现无死区半桥开环逆变输出的可行性,介绍了一种适用于新能源发电的纯硬件开环电压型无死区半桥逆变器。该逆变器采用模块化和半桥开环逆变结构,有效避免了因干扰而导致的开关器件误损坏以及因设置死区时间而导致的基波电压损失,且输出电压波形较好。利用MATLAB软件进行系统仿真,所得结果与预期相符。由此表明:该逆变器可在闭环控制条件下维持系统稳定,并确保纯电阻(弱感性)负载下的逆变输出电压波形不失真。(本文来源于《自动化仪表》期刊2018年02期）
朱彬若,江剑锋,渠浩,董娅韵,杨喜军[3]（2016）在《等离子切割机半桥逆变电源的设计》一文中研究指出相比全桥逆变式DC-DC变换器,半桥逆变式DC-DC变换器具有结构简单、控制方便和成本低廉的优点,适用于中小功率等离子切割机等应用场合。设计了一种采用半桥逆变式DC-DC变换器、短路引弧、闭环电流控制等特征的等离子切割机逆变电源,兼具有过热保护、过压保护和桥臂电压失衡保护功能,实现了输出电流在35 A~115 A之间连续可调的等离子切割机实物样机。切割工件实测结果表明,基于逆变电源等离子切割机的切割质量达到类激光水平。(本文来源于《电气自动化》期刊2016年05期）
陈丽华[4]（2016）在《等离子弧切割机中IGBT半桥逆变电容的研究》一文中研究指出IGBT半桥逆变电路中的电容既是整流电容,又是逆变半桥电容,其值的大小对逆变半桥电路工作有很大的影响。为了限制该电容的充电电流,设置限流电感,但限流电感会造成IGBT过压。采用Amtlab软件研究限流电感对电容充电过程的影响,获得3 700μF时合理的限流电感值。研究半桥逆变电容值的大小对输出电流、电压的影响,在一定的输出电流的条件下,输出电压越高,所需的电容值要求越大,才能保证切割过程稳定。(本文来源于《焊接技术》期刊2016年07期）
熊忆明,田松亚,张根元,王磊,李晓波[5]（2016）在《半桥逆变等离子切割电源主电路设计与仿真》一文中研究指出等离子切割机输入电路采用半桥逆变电路,输出电路采用全桥整流电路,输出功率11 k W。分析主电路的工作过程,计算了IGBT和整流二极管等元器件的参数。输入电抗器和变压器一次侧的RC吸收回路作用的Matlab仿真结果表明:加入输入电抗器减少了合闸时换流电容充电电流的峰值;并联于变压器一次侧的RC吸收回路明显降低了IGBT关断时刻产生的电压尖峰。(本文来源于《电焊机》期刊2016年05期）
刘璐[6]（2016）在《SiC MOSFET的损耗分析和基于半桥逆变器的应用研究》一文中研究指出制约现代电力电子变换器性能的因素很多,其中一个方面便是电力电子器件性能的制约。以传统的逆变技术为例,在大功率应用场合下,由于Si MOSFET的导通电阻较大,造成系统的导通损耗较大。并且由于桥式电路需要利用器件体二极管进行续流,二极管的反向恢复问题是限制开关频率的重要因素。较低的开关频率导致网侧滤波器的体积很大。在相同的耐压条件下,新型的SiC MOSFET具有更低的导通电阻。相比于传统的Si MOSFET,新型SiC MOSFET还具有高禁带宽度,高击穿临界场强,高饱和电子漂移率及高导热系数等特点。它的出现为电力电子技术提供新的契机。本文首先对SiC MOSFET与Si MOSFET、Si IGBT的特性进行对比,突出了SiC MOSFET在大功率应用场合下的优势。分析了驱动电阻及寄生电感对器件的性能影响。对器件的可靠性进行分析并提出SiC MOSFET的驱动电路要求。对GE公司生产的SiC MOSFET GE12N20L(1200V/20A)进行了特性研究。通过在25℃及125℃下的双脉冲测试实验,证实了其反向恢复情况佳、开关损耗小等若干优势。其次,本文详细描述了基于SiC MOSFET的半桥逆变器在开关周期内不同阶段下的开关状态,进而对基于SiC MOSFET的半桥逆变器进行了损耗分析。为评估系统效率及损耗分布提供依据。最后,搭建2kW基于SiC MOSFET的半桥逆变器平台。使器件工作在不同开关频率及温度下,通过对比实验证明了SiC MOSFET在高频及高温下仍能使系统保持高效的优势。同时证明了对于系统损耗分析的准确性。(本文来源于《浙江大学》期刊2016-01-01）
蒋胜勇,胡春元,彭泽椿,姚木有[7]（2015）在《一种半桥逆变电路节能灯闪烁的原因探析》一文中研究指出半桥逆变电路是荧光灯电子镇流器常用的电路拓扑结构,它的核心是磁环驱动变压器。一体化紧凑型荧光灯(俗称节能灯)的很多不良问题,都是电路设计与磁环特性不匹配所造成。笔者分析了1种灯电路设计与磁环磁滞回线矩形比不匹配而引起灯闪烁的案例,深入剖析了前因后果并找到了解决办法。(本文来源于《中国照明电器》期刊2015年10期）
陈贤明[8]（2015）在《中点箝位叁级半桥逆变器》一文中研究指出提出了一种用单相的中点箝位叁级逆变器的半桥来实现逆变功能的方案。研究分析了中点箝位叁级半桥逆变器的工作原理。仿真实例证明方案是可行的。(本文来源于《电气传动自动化》期刊2015年03期）
杨贵恒,文武松,张颖超,王璐,强生泽[9]（2015）在《基于RTW的单相半桥逆变器SPWM控制算法实现》一文中研究指出本文以单相半桥逆变器SPWM控制算法的实现为例,提出了一种基于Matlab/Simulink及实时代码生成工具(Real-time Workshop/RTW)的电力电子与电力传动控制系统软件设计方法。介绍了仿真和目标代码模型生成的流程和关键问题,并通过仿真与实验证明:该方法实现了仿真与实验的无缝集成,摒弃了繁琐的传统手工代码编写过程,降低了开发成本,自动化程度高,可大大提高科研或产品开发的效率。(本文来源于《电源世界》期刊2015年04期）
谢鹏,荣军,吴斌,熊鑫,张媛燕[10]（2015）在《基于MATLAB的单相电压型半桥逆变电路仿真研究》一文中研究指出阐述了单相半桥逆变电路的工作原理,并对其在MATLAB/Simulink中的进行了建模仿真,最后对负载为纯电阻和感性负载的仿真波形进行了对比分析,仿真结果表明理论分析与仿真结果完全一致。(本文来源于《电子技术》期刊2015年03期）
半桥逆变论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着新能源发电应用的不断推广,逆变器的重要性越发凸显。分析了单极性正弦脉宽调制(SPWM)驱动在纯电阻(弱感性)负载下实现无死区半桥开环逆变输出的可行性,介绍了一种适用于新能源发电的纯硬件开环电压型无死区半桥逆变器。该逆变器采用模块化和半桥开环逆变结构,有效避免了因干扰而导致的开关器件误损坏以及因设置死区时间而导致的基波电压损失,且输出电压波形较好。利用MATLAB软件进行系统仿真,所得结果与预期相符。由此表明:该逆变器可在闭环控制条件下维持系统稳定,并确保纯电阻(弱感性)负载下的逆变输出电压波形不失真。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半桥逆变论文参考文献
[1].袁乐,蔡子琨,杨喜军,唐厚君,田威.等离子切割机半桥逆变电源的均压设计[J].电气传动.2019
[2].汤定德.纯硬件开环电压型无死区半桥逆变器研究[J].自动化仪表.2018
[3].朱彬若,江剑锋,渠浩,董娅韵,杨喜军.等离子切割机半桥逆变电源的设计[J].电气自动化.2016
[4].陈丽华.等离子弧切割机中IGBT半桥逆变电容的研究[J].焊接技术.2016
[5].熊忆明,田松亚,张根元,王磊,李晓波.半桥逆变等离子切割电源主电路设计与仿真[J].电焊机.2016
[6].刘璐.SiCMOSFET的损耗分析和基于半桥逆变器的应用研究[D].浙江大学.2016
[7].蒋胜勇,胡春元,彭泽椿,姚木有.一种半桥逆变电路节能灯闪烁的原因探析[J].中国照明电器.2015
[8].陈贤明.中点箝位叁级半桥逆变器[J].电气传动自动化.2015
[9].杨贵恒,文武松,张颖超,王璐,强生泽.基于RTW的单相半桥逆变器SPWM控制算法实现[J].电源世界.2015
[10].谢鹏,荣军,吴斌,熊鑫,张媛燕.基于MATLAB的单相电压型半桥逆变电路仿真研究[J].电子技术.2015