导读:本文包含了快速热退火工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:快速热退火工艺,横向PNP管,温度监控,温度均匀性
快速热退火工艺论文文献综述
张伟[1]（2008）在《超大规模集成电路快速热退火工艺的优化研究》一文中研究指出当面对更大尺寸的硅片和更小的特征尺寸器件时,硅片上温度的微小变化,所造成的温度不均匀度,就会导致产品合格率的降低,论文提出快速热退火温度均匀性的解决方案。在阐述原理的基础上,通过ASMC制造工艺流程中应用的实例,选取不同剂量,不同能量,不同杂质离子作为工艺条件,在纯氮气的工艺气氛中进行不同温度的热退火,以寻找适合RTP(快速热退火)设备日常监控温度变化最敏感的工艺条件。生产实际中发现LPNP(横向PNP管)集电极和发射极的短路,我们分析SEM(产品截面)照片,通过模拟实验,找出LPNP集电极和发射极短路的原因,通过快速热退火工艺,治愈了损伤,提高了成品率。本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践,对于同类的快速热退火设备的日常监控具有参考意义。(本文来源于《复旦大学》期刊2008-10-26）
S.J.Pearton,张伟[2]（1987）在《GaAsIC工艺中的快速热退火》一文中研究指出目前在常规炉内完成的GaAs IC工艺过程的各种退火步骤可以很容易地转到方便的快速退火炉中进行。本文比较了注入到半绝缘GaAs中常用的离子(Si、Se、Be、Mg和Zn)经过两种退火方式所得到的激活特性,并讨论了在包封要求、产量和操作方面两种方法的局限性和优越性。(本文来源于《半导体情报》期刊1987年01期）
快速热退火工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目前在常规炉内完成的GaAs IC工艺过程的各种退火步骤可以很容易地转到方便的快速退火炉中进行。本文比较了注入到半绝缘GaAs中常用的离子(Si、Se、Be、Mg和Zn)经过两种退火方式所得到的激活特性,并讨论了在包封要求、产量和操作方面两种方法的局限性和优越性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
快速热退火工艺论文参考文献
[1].张伟.超大规模集成电路快速热退火工艺的优化研究[D].复旦大学.2008
[2].S.J.Pearton,张伟.GaAsIC工艺中的快速热退火[J].半导体情报.1987