导读:本文包含了变形镜致动器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:变形镜,压电陶瓷(PZT),致动器,双电极
变形镜致动器论文文献综述
马剑强,李保庆,张晋弘,许晓慧,褚家如[1]（2012）在《用于MEMS变形镜的双电极压电厚膜致动器》一文中研究指出提出了一种用于MEMS变形镜的双电极驱动的压电陶瓷(PZT)厚膜致动器.采用有限元方法分析致动器变形时的应力分布情况,优化了内外圈电极尺寸,制作了61单元六边形分布的致动器阵列.测试结果表明,致动器在100 V工作电压下的冲程约为6.6μm,谐振频率为58 kHz,位移迟滞为8%～9%,通过采用单边电压-位移曲线的策略有效降低了位移迟滞,并进一步提出了分时驱动的电路方案.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2012年01期）
吴亚雷,刘爽,刘芳,许晓慧,文莉[2]（2008）在《基于锆钛酸铅薄膜的变形镜微致动器》一文中研究指出以锆钛酸铅(PZT)薄膜作为驱动材料,制备了变形镜的微致动器阵列.使用有限元软件对致动器进行了模拟仿真,得到了驱动器上电极尺寸、Si弹性层厚度等参数对致动器性能的影响,获得了最优化的致动器结构.以钙钛矿相的镍酸镧(LNO)作为PZT薄膜在Pt衬底上生长的缓冲层,增强了PZT薄膜的(100)取向,减小了PZT薄膜的内部应力,提高了致动器的驱动性能.最终制备出的1μm厚PZT薄膜驱动的变形镜微致动器,在10 V直流电压的激励下,具有2.0μm的变形量.以PZT薄膜作为驱动材料制备的变形镜微致动器阵列,对变形镜致动器的微型化和系统集成度的提高具有重要意义.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2008年02期）
许晓慧,冯艳,刘爽,李保庆,褚家如[3]（2007）在《MEMS变形镜用PZT厚膜致动器阵列的制备及性能表征》一文中研究指出提出了一种基于锆钛酸铅(PZT)压电厚膜致动器阵列驱动的MEMS微变形镜,建立了该微变形镜的结构模型,分析了其结构中各层厚度对其性能的影响.PZT压电厚膜是通过基于PZT压电陶瓷体材料的湿法刻蚀技术制备的,刻蚀液为1BHF∶2HCl∶4NH4Cl∶4H2O.以数字锁相方法测试了压电厚膜的介电性能,在100 kHz以下时,其介电常数和介质损耗分别优于2 400和3%.利用悬臂梁方法测试了压电厚膜的d31横向压电系数,约为-250 pm/V.制备了4×4阵列的压电致动器阵列.采用激光多普勒测试压电致动器的电压位移曲线,在100 V的电压驱动下致动器的变形量大约为2.2μm;测试了致动器的频率响应,其谐振频率高于100 kHz;致动器刚度大,带负载能力强.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2007年04期）
变形镜致动器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以锆钛酸铅(PZT)薄膜作为驱动材料,制备了变形镜的微致动器阵列.使用有限元软件对致动器进行了模拟仿真,得到了驱动器上电极尺寸、Si弹性层厚度等参数对致动器性能的影响,获得了最优化的致动器结构.以钙钛矿相的镍酸镧(LNO)作为PZT薄膜在Pt衬底上生长的缓冲层,增强了PZT薄膜的(100)取向,减小了PZT薄膜的内部应力,提高了致动器的驱动性能.最终制备出的1μm厚PZT薄膜驱动的变形镜微致动器,在10 V直流电压的激励下,具有2.0μm的变形量.以PZT薄膜作为驱动材料制备的变形镜微致动器阵列,对变形镜致动器的微型化和系统集成度的提高具有重要意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
变形镜致动器论文参考文献
[1].马剑强,李保庆,张晋弘,许晓慧,褚家如.用于MEMS变形镜的双电极压电厚膜致动器[J].纳米技术与精密工程.2012
[2].吴亚雷,刘爽,刘芳,许晓慧,文莉.基于锆钛酸铅薄膜的变形镜微致动器[J].纳米技术与精密工程.2008
[3].许晓慧,冯艳,刘爽,李保庆,褚家如.MEMS变形镜用PZT厚膜致动器阵列的制备及性能表征[J].纳米技术与精密工程.2007