导读:本文包含了畴壁钉扎论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:磁纳米线,凹槽,畴壁,退钉扎
畴壁钉扎论文文献综述
高远[1]（2017）在《磁性纳米线中畴壁钉扎及退钉扎的研究》一文中研究指出自旋电子学是一个很有潜力的多学科交叉的科研领域,其主要方向是在电子学体系中精确和有效地控制自旋这个自由度。而观测磁纳米线中的畴壁的运动对于基础性研究和极具潜力的自旋电子器件的开发都有重大的意义。磁性赛道存储器(Racetrack memory,RM)被寄希望于制备成下一代的自旋电子器件,其原理是用磁畴壁来作为存储信息的基本单元。一般而言,畴壁的钉扎和退钉扎过程可以通过直接施加磁场或者依靠施加自旋极化电流而产生的自旋转移矩效应来实现。在磁纳米线上人为制备出一些畴壁钉扎缺陷,如凹槽或突出物等,可以控制畴壁的位置和运动。据报道,畴壁的类型或手性与钉扎位置的具体形貌有关系,并且在各种各样的磁纳米线中,畴壁的不同结构对其退钉扎过程有非常重大的影响。此外,还有报道指出,即使在制备得非常完美的磁纳米线或者其他的纳米结构中,仍然会存在着一些畴壁运动的随机现象,而这个现象在畴壁的成核、传播、钉扎和退钉扎的过程中都有可能存在,这对精确控制畴壁的运动以及与畴壁有关的自旋电子器件都有重要的影响。尽管现在有许多工作都仔细研究了各种类型和尺寸的对称凹槽的作用,但是到目前为止关于非对称凹槽的工作很少有人跟进。我们都知道,样品的制备在任何实验中都非常重要。在本论文中,我们介绍了微加工技术的详细流程和实验中所用仪器的工作原理。在本工作中我们基于这些实验技术手段,主要探测和研究了各种类型的磁性纳米线中畴壁的运动行为。(1)我们制备了一系列中间具有一个非对称凹槽的铁镍纳米线,并且通过仅改变纳米线右臂的宽度d,来研究纳米线内畴壁钉扎和退钉扎的详细过程。聚焦磁光克尔效应(FMOKE)磁力计和磁力显微镜(MFM)技术明确地证实了畴壁可以被钉扎在纳米线的凹槽附近。FMOKE和微磁学模拟计算都发现,随着d的逐渐减小,会发生畴壁退钉扎的随机现象从无到有的演变。这些结果显示如果d在一个非常小的范围内(如d = 400 nm),涡旋畴壁在穿越凹槽的过程中可能会保持或改变原有的手性,从而导致了两种退钉扎磁场的产生。磁纳米线右臂的宽度可能是决定随机现象是否存在的关键参数。此外,我们还发现两种不同手性的涡旋畴壁的退钉扎场和d有不同的依赖关系,这主要来源于随着d的改变非对称凹槽对不同类型的畴壁提供不同的势能。(2)我们制备了具有六种不同类型凹槽的铁镍纳米线,并且用FMOKE和MFM对这些纳米线进行了探测。所有的凹槽在沿着纳米线的方向上(纵向上)都是非对称的,然而在垂直于纳米线的方向上(横向)只有一半的凹槽是非对称的。实验结果毫无疑问地证实了在具有横向上对称凹槽的纳米线中畴壁退钉扎的随机现象会更加明显。并且通过MFM的图像分析可知,在具有横向上对称凹槽的纳米线中畴壁的尺寸比具有同种类型但横向上非对称凹槽的纳米线中畴壁的尺寸要大。我们认为前者的自旋结构比后者复杂得多,从而使得畴壁在退钉扎时会对热扰动、边缘或表面的粗糙度以及其他一些外界因素的影响更加敏感,最终导致更为显着的畴壁退钉扎的随机性。(3)为了进一步研究纳米线中的非对称凹槽对畴壁的钉扎和退钉扎行为的影响,我们对具有叁种不同类型凹槽的铁镍纳米线进行了纵向磁电阻效应的测量。我们通过分析纳米线的磁电阻曲线来研究畴壁在这些纳米线中的运动行为。我们仍然得出在具有横向上对称凹槽的纳米线中随机现象更加明显。此外,我们发现畴壁的退钉扎场的强弱也决定了畴壁对磁电阻效应贡献的大小。通过以上分析,我们给出了最合适的凹槽的类型,它可以有效抑制畴壁退钉扎过程中的随机现象,最适合应用于自旋电子器件当中。(本文来源于《南京大学》期刊2017-05-01）
郭子政[2]（2010）在《软硬磁界面应变造成的畴壁钉扎》一文中研究指出基于平衡时总能量极小的条件,通过近似求解畴壁的欧拉方程,研究了软硬磁界面应变造成的180°畴壁钉扎的可能性以及畴壁在两种材料中的分布情况。解析推导出畴壁在两种材料中分布的近似表达式并数值研究了各种参数改变对此分布的影响。结果表明,在多数情况下畴壁将主要分布在界面处软磁区域一边。衬底材料对畴壁在界面的分布有很大影响。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2010年05期）
高湉[3]（2009）在《钙钛矿结构锰氧化物中的元素替代、电子向列有序与畴壁钉扎效应研究》一文中研究指出以钙钛矿结构锰氧化物为代表的磁电阻材料,由于它们所表现出的庞磁电阻效应(CMR, Colossal Magnetoresistance)在提高磁存储密度以及磁敏感探测元件等领域具有十分广阔的应用前景,因而受到人们的广泛关注。同时,这类体系还表现出诸如磁场或电场等诱导的绝缘体—金属转变,电荷/轨道/自旋有序,以及相分离等十分丰富的物理内容,涉及到凝聚态物理的许多基本问题,对这些问题的微观物理机制的正确认识,必将对凝聚态物理的发展起到巨大的推动作用。本论文工作以具有ABO3典型钙钛矿结构的锰氧化物La-Mn-O体系为具体研究对象,采用宏观物性测量与微观结构分析相结合的方法,详细研究了LaMnO3母体中进行B位替代的LaMn1-xCuxO3体系和在此基础上进行A位替代的La1-yCayMn0.90Cu0.10O3体系中的元素替代效应、微观电子向列有序与宏观物性的关联、以及纳米尺度的畴壁钉扎效应,并对相分离锰氧化物强关联体系中的纳米尺度磁畴/畴壁结构、微观电子有序/无序转变、及其与材料的电/磁输运行为的关联效应等问题的理解有了更深层次的发展。本论文共分为六章,主要内容包括:第一章综述了磁电阻效应研究的历史、发展与现状,并简单介绍了庞磁电阻锰氧化物体系中丰富的物理现象及其潜在的应用前景。通过本章的介绍,我们将对磁电阻效应以及磁电子学有一个概括的了解,并对元素替代后生成的掺杂锰氧化物的基本物理性质,包括晶体结构、电子结构、磁特性、输运机制、有序相等基本物理问题有所认识;最后我们还就本文工作的研究目的和出发点进行了概括性描述。第二章介绍了实验样品的制备方法、结构分析与表征、物性测量的方法和基本原理,主要包括电、磁输运测量和样品形貌/粒度的观察与比较等。第叁章研究了A位和B位元素替代对锰氧化物电、磁输运性质以及磁电阻效应的影响。主要包括两部分内容:第一部分研究了Cu替代Mn位对LaMnO3反铁磁母体性质的改变,研究了B位非磁性元素替代以及离子价态变化对锰氧化物磁性和磁电阻效应的影响。实验结果证明通过直接在反铁磁LaMnO3母体的锰位进行Cu替代可以导致双交换作用,并出现强铁磁性和大的磁电阻效应,并且当Cu的替代浓度为10%时,双交换作用和磁电阻效应最为明显。第二部分是在B位最佳掺杂的基础上,研究了La位被Ca替代的影响。重点讨论了相分离体系中不同的相以及近邻畴/团簇间的摩擦效应,以及由此引发的热磁曲线中大的热滞现象。这些研究成果对理解巨磁电阻的微观机制以及探索新型磁电阻材料都提供了重要的信息。第四章研究了La1-yCayMn0.90Cu0.10O3体系中的变磁性磁化台阶跳跃现象,并用电子向列有序理论对它进行了很好的解释,首次有针对性地从实验上证实了电子向列有序理论的有效性,这对于变磁性转变行为的研究以及重新认识相分离机制具有重要意义。第五章对普遍存在于微量元素替代锰氧化物体系中100 K以下的低温磁化反常现象进行了深入细致的研究,我们选取LaMn1-xCuxO3体系为具体研究对象,实验证实了纳米尺度畴壁钉扎效应的存在,并且发现畴壁钉扎现象消失的单畴颗粒的临界尺寸RC约为100 nm,这对于进一步明确低温下强关联锰氧化物体系中的复杂磁结构及其低温相图是很有帮助的。第六章是对本论文工作的总结,并简要叙述了工作的意义。(本文来源于《上海大学》期刊2009-04-01）
唐军,彭斌,张文旭,张万里,蒋洪川[4]（2005）在《Sm(Co,Cu,Fe,Zr)_z磁体畴壁钉扎的二维微磁学研究》一文中研究指出Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体中的畴壁钉扎研究一直是磁学领域中的关注点。本文首先建立了Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学模型,然后利用微磁学计算了胞壁相的物理参数对畴壁钉扎的影响。计算结果表明,只有合适的胞壁相厚度和磁晶各向异性常数才能获得高的钉扎场。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2005年06期）
荣传兵,张宏伟,张健,张绍英,沈保根[5]（2003）在《纳米晶永磁中面缺陷对畴壁钉扎机理的研究》一文中研究指出畴壁钉扎模型的矫顽力可以表示为Hc=αpink2K1 μ0 Ms-NeffMs,计算了微结构参数αpink 随面缺陷内磁性参数A′和K′1 的变化情况 .结果表明 ,αpink 可以在很宽的范围里取值 .结合纳米单相Nd2 Fe1 4B磁体 ,研究了晶粒边界的磁性参数和晶界厚度对αpink 的影响 ,当A′ A =0 5 ,K′1 K1 =0 1,以及晶界厚度r0 =3 32nm时 ,αpink 最大 .同时研究了纳米复相Nd2 Fe1 4B α Fe磁体的αpink 随α Fe晶粒尺寸r0 的变化情况 ,当r0 =7nm时 ,αpink 最大 .(本文来源于《物理学报》期刊2003年03期）
张正富,黄伯云,周科朝,左铁镛[6]（2000）在《Sn对Nd-Fe-B合金高温(423K)磁后效和畴壁钉扎的影响》一文中研究指出研究了Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ和Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ－Ｓｎ合金在４２３Ｋ的磁后效，发现两者的磁化强度都按时间对数衰减，Ｎｄ－Ｄｙ－ Ｆｅ－Ｂ－Ｓｎ合金的磁后效起伏场Ｈ_ｆ大于Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ合金．用Ｇａｕｎｔ的畴壁钉扎理论分析该温度下两者的钉扎机制后发现，对 于Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ－Ｓｎ合金，按畴壁强钉扎模型计算的钉扎密度与显微分析一致，因而，其反磁化过程在此温度下由畴壁强钉扎控制。 而Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ合金的实验结果，与强钉扎模型计算结果不相符，进一步分析表明，Ｎｄ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ｂ合金的磁化反转过程由局域化弱钉扎控制。(本文来源于《金属学报》期刊2000年02期）
陈子瑜,阎明朗[7]（1994）在《CoCr合金薄膜垂直磁化矫顽力与畴壁钉扎》一文中研究指出考虑到晶粒边界K'、A'、Ms'与晶粒的不同，即晶界对畴壁的钉扎作用，用矫顽力新理论探讨了CoCr合金薄膜垂直磁化的矫顽力机制。低Cr含量，低矫顿力CoCr薄膜及磁化过程为畴壁位移。随Cr含量增加，晶界的富Cr现象加剧，反磁化过程为转动反磁化，对应于高桥涵力薄膜。CoCr合金薄膜的连续模型到粒子模型是一个连续的过渡过程(本文来源于《磁记录材料》期刊1994年02期）
朱光渠[8]（1987）在《Mn-Al-C合金的正电子寿命与畴壁钉扎》一文中研究指出测量Mn-Al-C合金不同热处理工艺及不同挤压条件下的正电子平均寿命;观察不同状态下的金相组织,从而探讨正电子寿命与合金内部结构及磁性能的关系,并用面缺陷对正电子的湮没作用使寿命值提高,用面缺陷对畴壁钉扎的程度影响材料性能并导致高矫顽力的理论来对试验结果加以解释。(本文来源于《仪表材料》期刊1987年05期）
畴壁钉扎论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于平衡时总能量极小的条件,通过近似求解畴壁的欧拉方程,研究了软硬磁界面应变造成的180°畴壁钉扎的可能性以及畴壁在两种材料中的分布情况。解析推导出畴壁在两种材料中分布的近似表达式并数值研究了各种参数改变对此分布的影响。结果表明,在多数情况下畴壁将主要分布在界面处软磁区域一边。衬底材料对畴壁在界面的分布有很大影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
畴壁钉扎论文参考文献
[1].高远.磁性纳米线中畴壁钉扎及退钉扎的研究[D].南京大学.2017
[2].郭子政.软硬磁界面应变造成的畴壁钉扎[J].磁性材料及器件.2010
[3].高湉.钙钛矿结构锰氧化物中的元素替代、电子向列有序与畴壁钉扎效应研究[D].上海大学.2009
[4].唐军,彭斌,张文旭,张万里,蒋洪川.Sm(Co,Cu,Fe,Zr)_z磁体畴壁钉扎的二维微磁学研究[J].磁性材料及器件.2005
[5].荣传兵,张宏伟,张健,张绍英,沈保根.纳米晶永磁中面缺陷对畴壁钉扎机理的研究[J].物理学报.2003
[6].张正富,黄伯云,周科朝,左铁镛.Sn对Nd-Fe-B合金高温(423K)磁后效和畴壁钉扎的影响[J].金属学报.2000
[7].陈子瑜,阎明朗.CoCr合金薄膜垂直磁化矫顽力与畴壁钉扎[J].磁记录材料.1994
[8].朱光渠.Mn-Al-C合金的正电子寿命与畴壁钉扎[J].仪表材料.1987