本文主要研究内容
作者张恬,岳芳,林燕菁,周倩,史芹凡,魏云,樊代和,刘其军,刘正堂（2019）在《MoS2薄膜电子性质随层数变化的理论研究》一文中研究指出：本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS2的几何结构和电子结构。计算获得了体相3R-MoS2的几何结构参数,与实验值相一致,表明了计算方法和参数设置的可靠性。随后,分别计算了1-10层3R-MoS2的几何结构和电子性质。可以看到,优化后的结构参数c随层数增加而线性增加;计算得到的带隙值随着层数的增加而呈现出减小趋势,并趋于稳定值。
Abstract
ben wen cai yong ji yu mi du fan han li lun de di yi xing yuan li fang fa ji suan le ti xiang he 1-10ceng 3R-MoS2de ji he jie gou he dian zi jie gou 。ji suan huo de le ti xiang 3R-MoS2de ji he jie gou can shu ,yu shi yan zhi xiang yi zhi ,biao ming le ji suan fang fa he can shu she zhi de ke kao xing 。sui hou ,fen bie ji suan le 1-10ceng 3R-MoS2de ji he jie gou he dian zi xing zhi 。ke yi kan dao ,you hua hou de jie gou can shu csui ceng shu zeng jia er xian xing zeng jia ;ji suan de dao de dai xi zhi sui zhao ceng shu de zeng jia er cheng xian chu jian xiao qu shi ,bing qu yu wen ding zhi 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电子制作的张恬,岳芳,林燕菁,周倩,史芹凡,魏云,樊代和,刘其军,刘正堂，发表于刊物电子制作2019年11期论文，是一篇关于表面论文,电子结构论文,第一性原理论文,电子制作2019年11期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子制作2019年11期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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