导读:本文包含了氧化界面态论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:4H-SiC,MOS电容,C-V测试,界面态密度
氧化界面态论文文献综述
杨涛涛,韩军,林文魁,曾春红,张璇[1]（2018）在《氧化后退火技术对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响》一文中研究指出采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO_2层并经N_2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH_3,N_2O,H_2和N_2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH_3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH_3处理样品的界面态密度比N_2O处理的结果要高。经N_2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7×10~(12)和4×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2),有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年01期）
黄伟其,许丽,吴克跃,刘世荣,秦朝建[2]（2007）在《激光作用生成的纳晶硅与氧化硅界面态发光模型》一文中研究指出我们结合量子受限效应,提出纳硅晶与氧化硅界面态发光模型来解释激光作用生成的纳米网孔壁结构的强荧光效应.将功率为50W、波长为1 064nm的YAG激光束(束斑直径0.05mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上,有很特殊的网孔形结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,这里有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处.我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里,分别比较了将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中的激光加工结果,其发光情况证实了该发光模型的真实性.优化激光加工的条件,我们获得了较强发光的样品.(本文来源于《贵州科学》期刊2007年04期）
K,Naruke,M,Yoshida,K[3]（1984）在《采用低温栅氧化工艺的多晶硅栅MOS电容器的辐照诱生界面态》一文中研究指出本文研究了用稳态的C_0~(60)对采用热解和干法栅氧化制作的多晶硅栅MOS电容器进行辐照时,栅氧化温度对电容器的辐照诱生平带和阈值电压漂移以及界面态建立的影响。在850℃下生长的热解氧化层,其辐照诱生平带电压漂移和阈值电压漂移可达到最小值。计算了低温热解氧化层MOS电容器的阈值电压和平带电压漂移与总剂量效应辐照时外加栅偏压以及氧化层厚度的依赖关系。我们获得了辐照诱生界面态与总剂量和氧化层厚度两者的关系均为2/3幂指数关系。(本文来源于《微电子学》期刊1984年06期）
M,Knoll,李儒章[4]（1984）在《电离辐照和隧道注入实验引起氧化层电荷以及界面态的产生》一文中研究指出本文将讨论MOS电容中辐照及高电场隧道注入的实验结果。与辐照剂量有关的禁带中央电压的漂移仅仅是由空穴俘获引起。在隧道注入的情况下,由碰撞离子化引起的电子-空穴对的产生需要很大的电子密度和强电场。因此,所建立的电荷产生模型考虑到了中性氧化层中的空穴俘获,其次考虑了在带正电的状态中的电子俘获以及被俘获的电子的排空。利用这种模型,只要精确地知道了碰撞离化系数α,就能够对MOS器件的抗核辐照强度进行预测。假如不是这种情况,则需利用电离辐照和隧道注入的混合技术来确定与电场强度F相关的碰撞电离系数α=α_0 exp(-Hα/F)。利用实验结果与该模型相拟合的方法,就可分别导出电子俘获截面σn和排空截面βn,得到σn依赖于F~(-3)和βn依赖于exp(-Hβ/F)的关系。发现工艺参数的变化对其影响是很小的。提出的这个模型是通过一系列的辐照和注入实验验证的。氧化层电荷的产生伴随界面态密度分布的增加,在两种实验中,它的峰值是在禁带中央之上约0.15eV处。结果表明,界面态的产生与俘获的空穴数成正比。注入实验得到了如下的界面态类型,受主型界面态在禁带中央之上,施主型界面态在禁带中央之下。这进一步证实了禁带中央电压的变化是判断氧化层电荷变化的分类点,因为在禁带中央,界面态变成中性的了。(本文来源于《微电子学》期刊1984年05期）
杜瑞瑞,孙恒慧,董国胜[5]（1983）在《用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态》一文中研究指出以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(12)/cm~2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密度为10~(11)/cm~2的受主型电子陷阱.湿氧样品在正偏置和零偏置辐照后出现具有确定能级(E_c-E_s(?)0.40eV)的界面态密度宽峰.辐照引进的界面态和空穴被陷阱俘获有关,在1×10~(10)～5 × 10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)范围,禁带中央界面态密度正比于被俘获空穴的密度.辐照产生的界面态不能由电子注入加以消除.本文由空穴俘获-弱键破裂模型讨论了实验结果.(本文来源于《半导体学报》期刊1983年01期）
盛篪[6]（1981）在《用热激电流法测定硅-二氧化硅的界面态》一文中研究指出用热激电流法测量了MOS及MNOS界面态.所测得的界面态密度分布与用准静态法测得的结果有不同之处在于:界面态密度在近带边时是减小的.这是由于界面态俘获截面在带边处急剧下降的关系,热激电流法测不到这部分界面态.在P型衬底MOS中在价带上 0.3 eV处有一分立能级,禁带中央处密度很小.部分n型样品在多次测量后产生一个新的能级,位置在导带下0.4eV处.有些n型样品在高反偏压下出现新的分立能级;有一批样品,其分立能级的激活能随偏压变化.这些能级可能与氧化层缺陷有关.(本文来源于《半导体学报》期刊1981年03期）
氧化界面态论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
我们结合量子受限效应,提出纳硅晶与氧化硅界面态发光模型来解释激光作用生成的纳米网孔壁结构的强荧光效应.将功率为50W、波长为1 064nm的YAG激光束(束斑直径0.05mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上,有很特殊的网孔形结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,这里有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处.我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里,分别比较了将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中的激光加工结果,其发光情况证实了该发光模型的真实性.优化激光加工的条件,我们获得了较强发光的样品.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化界面态论文参考文献
[1].杨涛涛,韩军,林文魁,曾春红,张璇.氧化后退火技术对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响[J].半导体技术.2018
[2].黄伟其,许丽,吴克跃,刘世荣,秦朝建.激光作用生成的纳晶硅与氧化硅界面态发光模型[J].贵州科学.2007
[3].K,Naruke,M,Yoshida,K.采用低温栅氧化工艺的多晶硅栅MOS电容器的辐照诱生界面态[J].微电子学.1984
[4].M,Knoll,李儒章.电离辐照和隧道注入实验引起氧化层电荷以及界面态的产生[J].微电子学.1984
[5].杜瑞瑞,孙恒慧,董国胜.用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态[J].半导体学报.1983
[6].盛篪.用热激电流法测定硅-二氧化硅的界面态[J].半导体学报.1981