导读:本文包含了半导瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:肖特基势垒,正温度系数,铁电陶瓷,晶界
半导瓷论文文献综述
方焯,周东祥[1]（2009）在《BaTiO_3半导瓷阻温特性的数值模拟》一文中研究指出在海望表面势垒模型的基础上,考虑到施主、受主、电子和空穴的迁移对晶界效应的影响,从理论上建立了一个关于电子能级的微分方程,按照四阶标准龙格-库塔公式求解该方程,从数值上得到了晶界势垒的能级图.进一步计算得到BaTiO3半导瓷在任意晶粒尺寸、任意施主、受主浓度掺杂下的定量的阻温关系.结果发现电阻率随施主浓度的增大形成U形曲线.掺入一定含量的受主将抵消一部分施主,使得取得最小室温电阻的施主浓度增大,同时室温电阻升高.材料的升阻比在指定的受主浓度掺杂和指定的晶粒尺寸下取得极大值.计算的结果与实验数据相符.(本文来源于《华中科技大学学报(自然科学版)》期刊2009年12期）
孔明日[2]（2009）在《钛酸锶钡半导瓷的低温烧结特性研究》一文中研究指出自上世纪50年代PTCR效应被发现以来,PTCR半导体陶瓷作为一种重要的控制、保护和发热元件,已广泛应用于通信、家用电器、汽车、航天等领域,成为铁电陶瓷中继电容器及压电器件之后的第叁大类应用产品。但是,BaTiO_3基PTCR陶瓷的烧结温度高,使得在制作多层片式PTCR器件时,陶瓷层和电极间的共烧非常困难,因此,降低BaTiO_3基PTCR陶瓷的烧结温度对PTCR陶瓷的片式应用显得非常关键。本文选择BaTiO_3基PTCR陶瓷为研究对象,以降低PTCR陶瓷的烧结温度为主要研究目标,开展了传统固相法和溶胶-凝胶法制备的BaTiO_3基PTCR陶瓷的低温烧结研究工作,为了提高低温烧结PTCR陶瓷的性能,把添加烧结助剂以及烧结助剂改性作为主要技术途径。首先,采用传统固相法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷,在1100℃合成BaB_2O_4烧结助剂的基础上进行PTCR陶瓷的低温烧结,研究BaB_2O_4烧结助剂添加对BaTiO_3基PTCR陶瓷低温烧结、显微结构和电性能的影响;指出添加适量的BaB_2O_4烧结助剂是获得较好的电性能的低温烧结PTCR陶瓷的前提。通过实验分析,在保证BaTiO_3基PTCR陶瓷低温烧结的基础上,为了降低BaTiO_3基PTCR陶瓷室温电阻率,在BaB_2O_4烧结助剂中加入SiO_2,研究BaO-B_2O_3-SiO_2烧结助剂中SiO_2对BaTiO_3基PTCR陶瓷晶界化学组成、显微结构和电性能的影响,提出由SiO_2添加的烧结助剂改性机理。实验结果表明,当添加含有5 mol%SiO_2的BaO-B_2O_3-SiO_2烧结助剂时,在1050℃保温3h下烧结的样品的室温电阻率为210Ω·cm,升阻比为1.5×10~3。以降低BaTiO_3基PTCR陶瓷的烧结温度和提高PTCR效应为目的,研究BaO-B_2O_3-SiO_2烧结助剂与Mn加入方式对低温烧结特性的影响。在低温烧结过程中,研究BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO烧结助剂添加对BaTiO_3基PTCR陶瓷低温烧结、显微结构和电性能的影响,添加含有0.06 mol%Mn的BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO烧结助剂的样品在1050℃烧结,室温电阻率为306Ω·cm,升阻比值为4.23×10~3。而且,对受主表面态密度与电性能关系进行了研究,并从理论上探讨了BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO烧结助剂能降低室温电阻率和提高PTCR效应的原因。采用溶胶-凝胶法制备了性能优良的BaTiO_3基PTCR前驱粉体,利用BaB_2O_4烧结助剂,在此基础上研究烧结助剂对BaTiO_3系半导体纳米材料烧结特性、显微结构和电性能影响的规律。研究发现:在溶胶-凝胶法制备的纳米粉体中添加3mol%BaB_2O_4,在1050℃烧结,室温电阻率为160Ω·cm,升阻比为1.45×10~4。(本文来源于《华中科技大学》期刊2009-07-01）
郑志平,周东祥,胡云香,龚树萍[3]（2005）在《BaTiO_3半导瓷注凝成型坯体的干燥研究》一文中研究指出将PEG(聚乙二醇)溶液干燥法应用于BaTiO3半导瓷注凝成型坯体的干燥,由于PEG溶液可以和坯体的所有表面接触,因此可提供更均匀的干燥介质,从而减小在干燥过程中产生的应力.研究表明,注凝成型坯体在PEG溶液中干燥2～3h即可在无变形、无开裂等安全情况下失去(质量分数为)20%～30%的水分,完成大部分收缩,接着在室温空气中或加温干燥,不会引起坯体变形开裂,与传统的空气干燥法相比,大大提高了干燥效率.坯体干燥时间与固相体积分数、试样的厚薄、试样尺寸的纵横比等密切相关,若固相体积分数越低,试样越薄,则干燥速度越快;若减小圆柱体试样的纵横比,则水分扩散方式由径向往纵向转变.(本文来源于《华中科技大学学报(自然科学版)》期刊2005年07期）
祝炳和[4]（2003）在《BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展》一文中研究指出综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后还需进一步研究的方面。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2003年11期）
黎步银,姜胜林,龚树萍,周东祥[5]（2003）在《BaTiO_3半导瓷失效机理及可靠性增长技术》一文中研究指出为了提高BaTiO3半导瓷的可靠性,系统地研究了可靠性增长技术。针对BaTiO3半导瓷不同的失效模式,重点研究了瓷体电场分布、电阻率及温场分布、热应力、电极界面应力对BaTiO3半导瓷可靠性的影响及其作用机理,并从原材料控制、材料配方设计、均匀化技术、电极技术及测试技术等方面提出了增加可靠性的方法。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2003年10期）
姜胜林,周东祥,龚树萍,汪小红[6]（2002）在《AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响》一文中研究指出通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点 ,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。(本文来源于《功能材料》期刊2002年05期）
张道礼,周东祥,姜胜林,汪小红,龚树萍[7]（2002）在《化学沉积电极与BaTiO_3系PTCR半导瓷的欧姆接触》一文中研究指出研究了在 Ba Ti O3系 PTCR半导体陶瓷上化学沉积镍和铜电极的接触电阻及稳定性 ,并与烧渗 Ag-Zn、烧渗 Al电极进行了比较。根据实验结果 ,用量子力学从理论上讨论了欧姆接触的可能模型 ,提出场发射是金属-半导体陶瓷形成欧姆接触的机理之一。陶瓷表面经过处理后 ,元件的电性能要发生一些变化 ,但不会恶化陶瓷的体性能(本文来源于《压电与声光》期刊2002年01期）
李标荣[8]（2001）在《ⅡA族钙钛矿型氧化物半导瓷的结构与特性》一文中研究指出研究了用于表面层和晶粒边界层型的BaTiO3 ,SrTiO3 陶瓷的还原、再氧化、掺杂与替位固溶的情况 .并对这类陶瓷的半导化特性与工艺过程的关系作了讨论 .文中指出 :只有良好的再氧化层才能具有良好的介电特性 ,而不是颗粒间的二相物质 .(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2001年06期）
姜胜林,周东祥,汪小红,龚树萍[9]（2001）在《BaTiO_3半导瓷晶界电学结构及其对电性能的影响》一文中研究指出对主受表面态能级分布与电性能关系进行了研究,指出钡缺位,受主杂质及吸附氧产生不同深度的受主态能级,提出了获得高性能BaTio_3半导瓷材料的合理能级分布结构,为材料设计及工艺控制提供了理论指导。对材料NTCR效应研究结果指出,NTCR效应(T>T_c)与晶界的能级分布密切相关。(本文来源于《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊2001-10-01）
李标荣,陈万平[10]（1999）在《钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理》一文中研究指出化学镀镍过程对ＰＴＣＲ及ＭＬＣＣ等元件的电性能，往往会产生负面效应，其中氢离子引起的还原作用不可忽视，其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。(本文来源于《电子元件与材料》期刊1999年03期）
半导瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
自上世纪50年代PTCR效应被发现以来,PTCR半导体陶瓷作为一种重要的控制、保护和发热元件,已广泛应用于通信、家用电器、汽车、航天等领域,成为铁电陶瓷中继电容器及压电器件之后的第叁大类应用产品。但是,BaTiO_3基PTCR陶瓷的烧结温度高,使得在制作多层片式PTCR器件时,陶瓷层和电极间的共烧非常困难,因此,降低BaTiO_3基PTCR陶瓷的烧结温度对PTCR陶瓷的片式应用显得非常关键。本文选择BaTiO_3基PTCR陶瓷为研究对象,以降低PTCR陶瓷的烧结温度为主要研究目标,开展了传统固相法和溶胶-凝胶法制备的BaTiO_3基PTCR陶瓷的低温烧结研究工作,为了提高低温烧结PTCR陶瓷的性能,把添加烧结助剂以及烧结助剂改性作为主要技术途径。首先,采用传统固相法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷,在1100℃合成BaB_2O_4烧结助剂的基础上进行PTCR陶瓷的低温烧结,研究BaB_2O_4烧结助剂添加对BaTiO_3基PTCR陶瓷低温烧结、显微结构和电性能的影响;指出添加适量的BaB_2O_4烧结助剂是获得较好的电性能的低温烧结PTCR陶瓷的前提。通过实验分析,在保证BaTiO_3基PTCR陶瓷低温烧结的基础上,为了降低BaTiO_3基PTCR陶瓷室温电阻率,在BaB_2O_4烧结助剂中加入SiO_2,研究BaO-B_2O_3-SiO_2烧结助剂中SiO_2对BaTiO_3基PTCR陶瓷晶界化学组成、显微结构和电性能的影响,提出由SiO_2添加的烧结助剂改性机理。实验结果表明,当添加含有5 mol%SiO_2的BaO-B_2O_3-SiO_2烧结助剂时,在1050℃保温3h下烧结的样品的室温电阻率为210Ω·cm,升阻比为1.5×10~3。以降低BaTiO_3基PTCR陶瓷的烧结温度和提高PTCR效应为目的,研究BaO-B_2O_3-SiO_2烧结助剂与Mn加入方式对低温烧结特性的影响。在低温烧结过程中,研究BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO烧结助剂添加对BaTiO_3基PTCR陶瓷低温烧结、显微结构和电性能的影响,添加含有0.06 mol%Mn的BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO烧结助剂的样品在1050℃烧结,室温电阻率为306Ω·cm,升阻比值为4.23×10~3。而且,对受主表面态密度与电性能关系进行了研究,并从理论上探讨了BaO-B_2O_3-SiO_2-MnO烧结助剂能降低室温电阻率和提高PTCR效应的原因。采用溶胶-凝胶法制备了性能优良的BaTiO_3基PTCR前驱粉体,利用BaB_2O_4烧结助剂,在此基础上研究烧结助剂对BaTiO_3系半导体纳米材料烧结特性、显微结构和电性能影响的规律。研究发现:在溶胶-凝胶法制备的纳米粉体中添加3mol%BaB_2O_4,在1050℃烧结,室温电阻率为160Ω·cm,升阻比为1.45×10~4。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
半导瓷论文参考文献
[1].方焯,周东祥.BaTiO_3半导瓷阻温特性的数值模拟[J].华中科技大学学报(自然科学版).2009
[2].孔明日.钛酸锶钡半导瓷的低温烧结特性研究[D].华中科技大学.2009
[3].郑志平,周东祥,胡云香,龚树萍.BaTiO_3半导瓷注凝成型坯体的干燥研究[J].华中科技大学学报(自然科学版).2005
[4].祝炳和.BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展[J].电子元件与材料.2003
[5].黎步银,姜胜林,龚树萍,周东祥.BaTiO_3半导瓷失效机理及可靠性增长技术[J].电子元件与材料.2003
[6].姜胜林,周东祥,龚树萍,汪小红.AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响[J].功能材料.2002
[7].张道礼,周东祥,姜胜林,汪小红,龚树萍.化学沉积电极与BaTiO_3系PTCR半导瓷的欧姆接触[J].压电与声光.2002
[8].李标荣.ⅡA族钙钛矿型氧化物半导瓷的结构与特性[J].硅酸盐学报.2001
[9].姜胜林,周东祥,汪小红,龚树萍.BaTiO_3半导瓷晶界电学结构及其对电性能的影响[C].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001
[10].李标荣,陈万平.钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理[J].电子元件与材料.1999