本文主要研究内容
作者方华,孟凡腾,张林森,闫继,张世超（2019）在《沉积电压对纳米多孔氧化锰膜电容性能的影响》一文中研究指出：采用阳极电化学沉积法在镍片上沉积纳米多孔氧化锰膜。利用XRD和SEM对氧化锰膜进行物性分析,利用线性伏安扫描、循环伏安和恒流充放电法进行电化学电容性能测试。研究表明在0.5 V(vs. SCE)沉积的氧化锰膜呈现出纳米多孔的纳米花形貌,当沉积电压增加时,氧化锰纳米片的颗粒的尺寸会变小,逐渐转变为由氧化锰纳米纤维构成的纳米多孔膜;所制备的氧化锰膜均为非晶相。电化学测试表明所制备的氧化锰膜电极具有较好的电容性能,其中在0.5 V(vs. SCE)沉积的氧化锰膜比电容最高,在0.3 mA/cm~2的充放电电流密度下高达189 F/g,电流密度增加到10 mA/cm~2时比电容为83 F/g。
Abstract
cai yong yang ji dian hua xue chen ji fa zai nie pian shang chen ji na mi duo kong yang hua meng mo 。li yong XRDhe SEMdui yang hua meng mo jin hang wu xing fen xi ,li yong xian xing fu an sao miao 、xun huan fu an he heng liu chong fang dian fa jin hang dian hua xue dian rong xing neng ce shi 。yan jiu biao ming zai 0.5 V(vs. SCE)chen ji de yang hua meng mo cheng xian chu na mi duo kong de na mi hua xing mao ,dang chen ji dian ya zeng jia shi ,yang hua meng na mi pian de ke li de che cun hui bian xiao ,zhu jian zhuai bian wei you yang hua meng na mi qian wei gou cheng de na mi duo kong mo ;suo zhi bei de yang hua meng mo jun wei fei jing xiang 。dian hua xue ce shi biao ming suo zhi bei de yang hua meng mo dian ji ju you jiao hao de dian rong xing neng ,ji zhong zai 0.5 V(vs. SCE)chen ji de yang hua meng mo bi dian rong zui gao ,zai 0.3 mA/cm~2de chong fang dian dian liu mi du xia gao da 189 F/g,dian liu mi du zeng jia dao 10 mA/cm~2shi bi dian rong wei 83 F/g。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电镀与精饰的方华,孟凡腾,张林森,闫继,张世超，发表于刊物电镀与精饰2019年03期论文，是一篇关于二氧化锰论文,电化学沉积法论文,纳米棒阵列论文,超级电容器论文,电镀与精饰2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电镀与精饰2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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