导读:本文包含了电荷畴论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电热效应,电荷,PTO
电荷畴论文文献综述
黄丹,王金斌[1]（2015）在《90°电荷畴对PTO铁电薄膜室温电热效应的影响》一文中研究指出运用相场方法,通过引入补偿电荷,研究了头头尾尾90°电荷畴对PbTiO_3(PTO)铁电薄膜室温下电热效应的影响.(本文来源于《中国力学大会-2015论文摘要集》期刊2015-08-16）
曾玉葵[2]（2014）在《界面效应对电荷畴铁电薄膜性能影响的相场模拟》一文中研究指出畴结构以及畴在外场作用下的运动与铁电薄膜的性能如压电和铁电性能等密切相关，研究畴变对铁电薄膜性能的影响有助于我们理解铁电薄膜性能产生的机理并进而对其进行宏观调控。研究表明铁电薄膜中存在电荷畴结构且该畴结构对压电性能有很大的影响，因此系统地研究电荷畴在外场下的演化及其对铁电薄膜性能的影响是非常重要的。另外，薄膜界面通常存在界面电荷和界面态，所以开展界面对电荷畴的影响进而对薄膜铁电性能影响的研究显得非常必要，这有助于推动铁电薄膜在器件中的应用。本文通过修正基于金兹堡—朗道(TDGL)方程的相场方法，研究了不同外加电场和应变条件下，电荷畴对铁电薄膜铁电性能的影响；从界面电场、界面应变两个角度研究了界面对电荷畴结构的影响，进而分析这些因素对电荷畴薄膜铁电性能的影响。主要研究内容与结果如下：1．考虑系统内部缺陷、杂质等因素产生的非均匀分布补偿电场，建立了铁电薄膜的电荷畴相场理论模型，并模拟得到了90o电荷畴。同时研究了在不同电场下电荷畴的翻转。结果表明电荷畴的翻转与外加电场的方向相关：在正x轴电场作用下，电荷畴的翻转经历了首先由头头或尾尾相接的畴结构翻转为头尾相接的畴结构，然后再翻转为头头或尾尾相接的畴结构，最后到单畴的过程；而在负x轴电场作用下，电荷畴的翻转过程则为头头或尾尾相接的畴结构直接翻转为单畴结构；在y=-x方向(即电场方向与内建电场方向一致)的正负电场电场作用下，电荷畴翻转方式相同，都为由头头或尾尾相接的畴结构先翻转为头尾相接的畴结构再到单畴的过程。2．采用相场方法，研究了电荷畴对薄膜铁电性能的影响。结果表明：在电荷畴系统中，矫顽场和剩余极化随外加电场频率的增加而增加，同时电滞回线呈现出不对称现象，其矫顽场和剩余极化强度值都比非电荷畴薄膜的值要小，并对电场频率具有较高的依赖性；矫顽场、剩余极化随外加交变电场强度的增加而增大；在相同的交变电场强度下电荷畴薄膜的矫顽场和剩余极化强度值比非电荷畴薄膜的要小；随着电荷密度的增加，电滞回线的不对称现象越明显。3．采用相场理论，分别从界面电场和界面应变两个角度研究了界面对铁电性能的影响。结果表明：对称界面电场时，电荷畴系统中出现了非电荷畴壁与电荷畴壁共存的状态，矫顽场、饱和极化和剩余极化随界面电场强度的增加而减小；而在非对称界面作用下，薄膜的电滞回线随电场强度增加而愈发偏移；实际的失配应变对薄膜铁电性能的影响随厚度的增加迅速减弱，当薄膜厚度超过40nm时，失配应变的作用十分微弱。(本文来源于《湘潭大学》期刊2014-06-01）
田立强,施卫[3]（2008）在《半绝缘GaAs光电导开关中光激发电荷畴的猝灭畴模式(英文)》一文中研究指出在半绝缘GaAs光电导开关中发现了光激发电荷畴的猝灭畴模式.分析指出畴猝灭是由于畴在渡越中开关的瞬时电场低于畴的维持电场引起的,并指出在开关电场低于非线性光电导开关阈值电场条件下,在到达阳极前畴的猝灭可导致开关输出电流的振荡频率高于畴的渡越时间频率.根据开关工作电路条件及畴特性给出了猝灭畴模式的等效电路,计算了相应的电路参数,计算结果与实验基本吻合.该研究为提高光注入畴器件的振荡频率及工作效率提供了理论和实验依据.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年10期）
曾骏[4]（2008）在《半绝缘GaAs开关中光激发电荷畴的理论研究》一文中研究指出半绝缘砷化镓光导开关(Semi-Insulated GaAs Photoconductive semiconductorSwitches-PCSS's)具有极其优良的特性,在超高速电子学、大功率脉冲、超宽带雷达、脉冲功率技术和THz等领域都有着广泛的应用前景,因此倍受半导体和光学界的关注。在线性工作模式的理论和应用研究都已趋于成熟,并逐渐达到了实用化的水平以后,对非线性工作模式的理论和应用研究也有了很大进展。本论文是在光导开关器件方程的基础上,基于GaAs多能谷理论的转移电子效应,建立一个较为完善的光激发电荷畴理论模型来解释了光导开关中各种线性、非线性现象。本论文首先从GaAs多能谷结构出发,介绍了转移电子效应,讨论了n型GaAs中偶极畴和光导开关中光激发电荷畴的形成过程与输运过程,详细分析了两者电流曲线出现差异的原因。接着从基本的漂移-扩散方程出发,建立了光导开关的器件方程,综合考虑了碰撞电离,流注,电流丝等理论,比较全面的解释了各种非线性现象。并利用EL2能级的陷阱效应解释了未能很好解决的长延迟时间的非线性现象。然后从介绍半绝缘GaAs光电导天线产生THz辐射机理入手,讨论了半绝缘GaAs开关产生THz辐射的信噪比和功率低的原因。在基于这个分析的基础上,提出使用外电路控制的方法,让光导开关两端的电压呈现周期性变化,使光激发电荷畴(或者没有形成畴的电子积累层)猝灭,利用了半绝缘GaAs中载流子寿命长的特点,使得载流子在器件中多次被加速以及发生转移电子效应,来提高THz辐射的功率和信噪比。最后使用了蒙特卡罗方法模拟了这一过程,并验证了这一方法的可行性。(本文来源于《西安理工大学》期刊2008-03-01）
施卫[5]（2001）在《高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型(英文)》一文中研究指出结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值 ,光激发电荷畴的成核、生长以及畴内发生的碰撞电离和辐射复合决定了高倍增 Ga As光电导开关的引发和维持相 ,理论计算结果与实验测试相符合(本文来源于《半导体学报》期刊2001年12期）
施卫,陈二柱,张显斌[6]（2001）在《高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴》一文中研究指出给出了高倍增 SI-Ga As光电导开关中在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果 ,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件 ,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增 Ga As光电导开关中的 L ock-on效应。分析了单电荷畴的形成和辐射发光的物理过程 ,并对 L ock-on效应的典型现象作了物理解释(本文来源于《西安理工大学学报》期刊2001年02期）
施卫[7]（2000）在《光激发电荷畴与光注入畴器件》一文中研究指出当今信息时代的特征之一就是因超短电脉冲的独特性能给通信、雷达、电子对抗和电磁武器等领域带来的深远影响.研究表明,在兼顾电脉冲功率和带宽两方面,光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches,简称PCSS’s)是最有效的微波源.在所研制的30kV/500A、脉宽约100ps的器件系统实验中,我们认识到PCSS’s工作在高倍增模式的丝状电流现象对应于光激发电荷畴.并在实验中首次观察到了这一现象;光激发电荷畴的形成,导致GaAs PCSS’s在远小于其击穿场强的偏置下大于4kV/cm),GaAs PCSS’s内出现光控预击穿(碰撞电离的程度)和辐射复合的发生.正是(本文来源于《西部大开发 科教先行与可持续发展——中国科协2000年学术年会文集》期刊2000-06-30）
[8]（1980）在《电荷畴循环滤波器》一文中研究指出由于在实际上都有用的第二级部分分母中的第一项系数很大于1,所以总是价定增益很大于1的器件必须被用于实现各个滤波器的一部分。这就导致了一个信念:用于实现高Q循环滤波器的电荷传输,至少要求放大器有一个反馈回路,而且只靠电荷束的产生和复合来实现是不可能的。这篇文章的目的是证实上述观点的不真实性,而且极点和零点都可以按下列方式实现,为有助于形成完整的滤波器,各单独部件串接。由于在滤波器中只发生电荷束的传输作用,同要求放大器稳定在时钟脉冲范围内的滤波器相比,这种滤波器可以承受更高的信号频率。此外,不论系数的精确性如何,绝对地保证滤波器稳定。(本文来源于《电子器件》期刊1980年S1期）
电荷畴论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
畴结构以及畴在外场作用下的运动与铁电薄膜的性能如压电和铁电性能等密切相关，研究畴变对铁电薄膜性能的影响有助于我们理解铁电薄膜性能产生的机理并进而对其进行宏观调控。研究表明铁电薄膜中存在电荷畴结构且该畴结构对压电性能有很大的影响，因此系统地研究电荷畴在外场下的演化及其对铁电薄膜性能的影响是非常重要的。另外，薄膜界面通常存在界面电荷和界面态，所以开展界面对电荷畴的影响进而对薄膜铁电性能影响的研究显得非常必要，这有助于推动铁电薄膜在器件中的应用。本文通过修正基于金兹堡—朗道(TDGL)方程的相场方法，研究了不同外加电场和应变条件下，电荷畴对铁电薄膜铁电性能的影响；从界面电场、界面应变两个角度研究了界面对电荷畴结构的影响，进而分析这些因素对电荷畴薄膜铁电性能的影响。主要研究内容与结果如下：1．考虑系统内部缺陷、杂质等因素产生的非均匀分布补偿电场，建立了铁电薄膜的电荷畴相场理论模型，并模拟得到了90o电荷畴。同时研究了在不同电场下电荷畴的翻转。结果表明电荷畴的翻转与外加电场的方向相关：在正x轴电场作用下，电荷畴的翻转经历了首先由头头或尾尾相接的畴结构翻转为头尾相接的畴结构，然后再翻转为头头或尾尾相接的畴结构，最后到单畴的过程；而在负x轴电场作用下，电荷畴的翻转过程则为头头或尾尾相接的畴结构直接翻转为单畴结构；在y=-x方向(即电场方向与内建电场方向一致)的正负电场电场作用下，电荷畴翻转方式相同，都为由头头或尾尾相接的畴结构先翻转为头尾相接的畴结构再到单畴的过程。2．采用相场方法，研究了电荷畴对薄膜铁电性能的影响。结果表明：在电荷畴系统中，矫顽场和剩余极化随外加电场频率的增加而增加，同时电滞回线呈现出不对称现象，其矫顽场和剩余极化强度值都比非电荷畴薄膜的值要小，并对电场频率具有较高的依赖性；矫顽场、剩余极化随外加交变电场强度的增加而增大；在相同的交变电场强度下电荷畴薄膜的矫顽场和剩余极化强度值比非电荷畴薄膜的要小；随着电荷密度的增加，电滞回线的不对称现象越明显。3．采用相场理论，分别从界面电场和界面应变两个角度研究了界面对铁电性能的影响。结果表明：对称界面电场时，电荷畴系统中出现了非电荷畴壁与电荷畴壁共存的状态，矫顽场、饱和极化和剩余极化随界面电场强度的增加而减小；而在非对称界面作用下，薄膜的电滞回线随电场强度增加而愈发偏移；实际的失配应变对薄膜铁电性能的影响随厚度的增加迅速减弱，当薄膜厚度超过40nm时，失配应变的作用十分微弱。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电荷畴论文参考文献
[1].黄丹,王金斌.90°电荷畴对PTO铁电薄膜室温电热效应的影响[C].中国力学大会-2015论文摘要集.2015
[2].曾玉葵.界面效应对电荷畴铁电薄膜性能影响的相场模拟[D].湘潭大学.2014
[3].田立强,施卫.半绝缘GaAs光电导开关中光激发电荷畴的猝灭畴模式(英文)[J].半导体学报.2008
[4].曾骏.半绝缘GaAs开关中光激发电荷畴的理论研究[D].西安理工大学.2008
[5].施卫.高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型(英文)[J].半导体学报.2001
[6].施卫,陈二柱,张显斌.高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴[J].西安理工大学学报.2001
[7].施卫.光激发电荷畴与光注入畴器件[C].西部大开发科教先行与可持续发展——中国科协2000年学术年会文集.2000
[8]..电荷畴循环滤波器[J].电子器件.1980