导读:本文包含了磁存储论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:明子,光学,自旋-轨道耦合,磁存储,轨道角动量,纳米,光场,原创性成果,光子学,超分辨
磁存储论文文献综述
马璇[1]（2019）在《深大在国际上首次发现新光学斯格明子结构》一文中研究指出深圳特区报讯 （ 马璇）昨天从深圳大学获悉：该校纳米光子学研究中心杜路平教授、袁小聪教授近日在Nature Physics期刊上发表了重要原创性成果，在国际上首次报道了由光的自旋-轨道耦合产生的“光学斯格明子”结构，在显微成像和磁存储等多领域有广(本文来源于《深圳特区报》期刊2019-04-19）
汪永安[2]（2018）在《科学家首次在氧化物薄膜中直接观测到斯格明子》一文中研究指出本报讯（ 汪永安）日前从中科院合肥物质科学研究院强磁场科学中心获悉，该中心陆轻铀研究员课题组在斯格明子的研究中取得了突破性进展，他们利用自主研制的强磁场磁力显微镜，首次实现了氧化物薄膜中斯格明子的直接观测。相关研究发表在国际着名期刊《天然材料》上(本文来源于《安徽日报》期刊2018-12-12）
孟振功,何卓琳,王汉辉,余振强,朱年永[3]（2019）在《半竹节虫型双金属配合物制备铁铂纳米颗粒及其图案化阵列的磁存储应用（英文）》一文中研究指出L1_0相铁铂合金纳米颗粒具有较高的磁矫顽力,其图案化阵列有望用于开发下一代磁性数据记录系统,但是单分散铁铂纳米颗粒的合成及大规模制备图案化阵列的制备仍是巨大的挑战.本文合成了一种含有铁铂的双金属配合物,配合物由刚性的共平面金属中心和柔性尾链形成半竹节虫型结构,这种特殊的分子结构有利于机械加工中分子有序排列.配合物用作单源前驱体经一步热解即可制备L1_0相铁铂合金纳米颗粒.另外,借助高效的纳米印刷技术,对配合物溶液进行压印即可制备大规模高度有序的图案化阵列,所得阵列在氩氢混合气保护下原位热解,形成规则的磁性阵列,表明这种方式制备的磁性图案可用于磁数据存储设备.(本文来源于《Science China Materials》期刊2019年04期）
田济源[4]（2018）在《磁记录与磁存储器件应用》一文中研究指出磁记录磁表面存储器是利用涂覆在载体表面的磁性材料具有两种不同的磁化状态来表示二进制信息的"0"和"1"。磁头是磁表面存储器用来实现电磁转换的重要装置,一般由铁磁性材料(铁氧体或玻莫合金)制成,上面绕有读写线圈,通过脉冲电流的通断实现读写操作。本文主要介绍了磁记录与磁存储器件及应用。(本文来源于《中国新通信》期刊2018年02期）
刘青康[5]（2018）在《热辅助磁存储硬盘非晶碳保护膜的石墨化及氧化行为研究》一文中研究指出磁存储硬盘作为信息存储的最主要手段,其存储容量和存储面密度与日俱增,磁存储介质尺寸也随之减小。当磁存储介质尺寸减小到一定程度时,超顺磁效应严重影响磁存储介质的稳定性。热辅助磁存储技术(Heat-Assisted Magnetic Recording,HAMR)采用具有高矫顽力和高各向异性的新型磁存储介质,如L10 Fe Pt,能够进一步减小磁存储介质尺寸和提高存储面密度,但在数据写入过程中,必须采用脉冲激光对磁存储介质进行局部加热,以降低其矫顽力。为改善磁头/磁盘界面的性能,在磁盘的磁存储层上必须沉积厚度~2 nm的非晶碳保护膜,脉冲激光所产生的局部高温可能破坏非晶碳保护膜的结构,使其石墨化或氧化,进而减弱或失去保护膜的保护作用,因此非晶碳保护膜的热稳定性是影响HAMR硬盘可靠性的关键因素之一。在非晶碳保护膜中掺杂硅能够提高其热稳定性,然而到目前为止,纳米厚度的无掺杂非晶碳保护膜和硅掺杂非晶碳保护膜的热稳定性研究尚不充分,脉冲激光诱导的无掺杂非晶碳薄膜和硅掺杂非晶碳薄膜的石墨化和氧化行为尚不明确,难以为HAMR硬盘非晶碳保护膜的优化设计提供技术支持。本文采用分子动力学与实验相结合的方法,从微纳角度对脉冲激光诱导的无掺杂非晶碳薄膜的石墨化与氧化行为进行了深入研究,得到了石墨化和氧化过程中薄膜结构与氧化状态的演变规律,揭示了薄膜的氧化机理与失效机制;并采用分子动力学方法对硅掺杂非晶碳薄膜的石墨化和氧化、失效过程进行了深入研究,揭示了其氧化机理。本文的具体研究工作包括如下几个方面:采用快速淬火方法分别构建了无掺杂非晶碳和硅掺杂非晶碳的分子动力学模型。研究了七种经验势函数、六种密度与不同淬火时间对无掺杂非晶碳薄膜结构的影响,从配位数、径向分布函数、键角方面分析其影响规律,确定了构建无掺杂非晶碳分子动力学模型时经验势函数、密度与淬火时间的选择方法;研究了硅原子含量和密度对硅掺杂非晶碳薄膜结构的影响,从配位数和径向分布函数方面分析了其影响规律。建立了无掺杂非晶碳层和磁存储层的分子动力学模型,研究了单脉冲激光照射时非晶碳薄膜温度与时间的关系,拟合得到了温度变化理论公式;构建了无掺杂非晶碳薄膜石墨化模型,结合温度变化理论公式,从系统势能、杂化状态、键角、径向分布函数、对分布函数、原子应变和碳簇方面研究了第一次脉冲激光照射过程中无掺杂非晶碳薄膜结构的演变规律,获得了脉冲激光照射次数与密度对薄膜石墨化状态的影响规律;建立了无掺杂非晶碳薄膜的氧化模型,研究了脉冲激光加热速率和照射次数对薄膜氧化状态的影响规律,分析了氧化表面的温度分布,揭示了无掺杂非晶碳薄膜的两种氧化机理。采用过滤阴极真空电弧方法在L10 Fe Pt磁存储介质上制备了无掺杂非晶碳纳米薄膜,搭建了光学HAMR模拟实验系统,研究了激光功率和照射时间对无掺杂非晶碳薄膜结构的影响规律,定性验证了无掺杂非晶碳薄膜石墨化仿真结果的正确性,证明分子动力学仿真方法的正确性,揭示了薄膜的失效机制及其对HAMR硬盘的影响,指出了HAMR硬盘无掺杂非晶碳薄膜表面氧化的高温高压场。采用分子动力学方法建立了硅掺杂非晶碳薄膜的氧化模型,从系统势能、键对数量方面研究了弛豫过程中薄膜的表面氧化状态;从系统势能、键对数量、密度、对分布函数、原子剪切应变和碳簇方面研究了第一次脉冲激光照射过程中薄膜结构与氧化状态的演变规律,获得了脉冲激光照射次数对薄膜结构和氧化状态的影响规律;从系统势能、键对数量和密度方面研究了失效过程中薄膜结构与氧化状态的演变规律,揭示了硅掺杂非晶碳薄膜的氧化机理。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-01-01）
王志[6]（2017）在《交换耦合复合磁存储介质的微磁学仿真研究》一文中研究指出由于磁存储技术成熟、价格低廉,其一直是电子信息持久化存储的主要载体形式,随着信息技术进入大数据、海量存储的时代,人们需要容量更大、成本更低的磁存储设备。但是由于高密度磁存储中存在着超顺磁现象和“叁难困境”,因此如何突破现有磁存储技术的瓶颈使得磁存储达到更高密度,一直是一项热点研究问题。在各种技术方案中,交换耦合复合介质技术能够在保持热稳定性的情况下降低存储颗粒的直径从而直接提高磁存储的面密度,因此对交换耦合复合介质的微磁学特性进行研究是非常必要的。交换耦合复合介质中各种交换耦合作用对介质的矫顽力和介质信息写入时颗粒磁化强度方向的翻转有着较大的影响。首先,分析交换耦合作用对单个交换耦合复合介质颗粒的影响,发现交换耦合作用能够显着降低磁性颗粒的矫顽力;同时,研究满足超高密度磁存储要求的交换耦合复合介质单个颗粒的体积参数;然后,分析连续交换耦合复合介质中颗粒间的各种交换耦合作用和颗粒间的距离对介质矫顽力的影响,不仅发现颗粒间的软磁层交换耦合作用对整个介质矫顽力的影响最大,而且发现颗粒间距越大,颗粒间交换耦合作用越小,整个介质矫顽力越大;随后,分析连续交换耦合复合介质中颗粒间的距离和颗粒间交换耦合作用对介质信息写入时颗粒矫顽力和磁化强度方向翻转的影响,发现颗粒间距越大,颗粒间交换耦合作用越小,写入颗粒的矫顽力反而越小,写入颗粒的磁化强度方向也越容易翻转;最后通过补充沃罗诺伊结构的连续交换耦合复合介质的仿真研究,来验证前面采用长方体结构的连续交换耦合介质的仿真结果的正确性。研究结果对超高密度磁存储中交换耦合复合介质的设计与制备具有重要的理论指导意义与实际应用价值。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
张梦然[7]（2017）在《新的磁存储技术超快速产热低》一文中研究指出科技日报北京1月24日电 （张梦然）英国《自然》杂志近日发表的一篇材料科学论文，介绍了一种可以超快速记录并存储信息而且只产生极少量热的技术。这项研究将为利用光磁制造新一代信息存储设备打开新窗口。存储设备是半导体产业的基石之一。而磁性材料，如(本文来源于《科技日报》期刊2017-01-25）
[8]（2016）在《首个塑料柔性磁存储芯片问世》一文中研究指出一个国际团队研发出一种新奇技术,他们将高性能磁性存储芯片移植到一块柔性塑料表面,且无损其性能,得到的透明薄膜状柔性"智能塑料"芯片有优异的数据存储和处理能力,有望成为柔性轻质设备设计和研制的关键元件。在最新研究中,科学家首先将氧化镁基磁性隧道结(MTJ)种植在一个硅表面,接着蚀刻掉下面的硅,随后使用一种转印方法,在一个由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面,植入了一个磁性存储芯片。(本文来源于《塑料工业》期刊2016年08期）
刘霞[9]（2016）在《首个塑料柔性磁存储芯片问世》一文中研究指出新加坡国立大学、韩国延世大学、比利时根特大学、新加坡材料研究和工程研究所的研究人员将高性能磁性存储芯片移植到一块柔性塑料表面上,获得了一种透明、薄膜状柔性"智能塑料"芯片。该芯片具有优异的数据存储和处理能力,有望成为柔性轻质设备设计和研制的关键元件。研究人员首先将氧化镁基磁性隧道结"种植"在硅表面上,然后蚀刻掉下面的硅,再采用转印方法,在一个由聚对苯二甲酸乙二醇(本文来源于《军民两用技术与产品》期刊2016年15期）
刘霞[10]（2016）在《首个塑料柔性磁存储芯片问世》一文中研究指出科技日报北京7月20日电 （刘霞）一个国际团队研发出一种新奇技术，他们将高性能磁性存储芯片移植到一块柔性塑料表面，且无损其性能，得到的透明薄膜状柔性“智能塑料”芯片有优异的数据存储和处理能力，有望成为柔性轻质设备设计和研制的关键元件。据每日(本文来源于《科技日报》期刊2016-07-21）
磁存储论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本报讯（ 汪永安）日前从中科院合肥物质科学研究院强磁场科学中心获悉，该中心陆轻铀研究员课题组在斯格明子的研究中取得了突破性进展，他们利用自主研制的强磁场磁力显微镜，首次实现了氧化物薄膜中斯格明子的直接观测。相关研究发表在国际着名期刊《天然材料》上
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁存储论文参考文献
[1].马璇.深大在国际上首次发现新光学斯格明子结构[N].深圳特区报.2019
[2].汪永安.科学家首次在氧化物薄膜中直接观测到斯格明子[N].安徽日报.2018
[3].孟振功,何卓琳,王汉辉,余振强,朱年永.半竹节虫型双金属配合物制备铁铂纳米颗粒及其图案化阵列的磁存储应用（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2019
[4].田济源.磁记录与磁存储器件应用[J].中国新通信.2018
[5].刘青康.热辅助磁存储硬盘非晶碳保护膜的石墨化及氧化行为研究[D].哈尔滨工业大学.2018
[6].王志.交换耦合复合磁存储介质的微磁学仿真研究[D].华中科技大学.2017
[7].张梦然.新的磁存储技术超快速产热低[N].科技日报.2017
[8]..首个塑料柔性磁存储芯片问世[J].塑料工业.2016
[9].刘霞.首个塑料柔性磁存储芯片问世[J].军民两用技术与产品.2016
[10].刘霞.首个塑料柔性磁存储芯片问世[N].科技日报.2016