导读:本文包含了多位存储论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:多晶硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅(SONOS)存储器,多值多位存储技术,局部编程,二次离子注入
多位存储论文文献综述
吴春波[1]（2013）在《纳米SONOS存储器件多值多位存储技术研究》一文中研究指出如今非挥发性快闪存储器在人们生活工作的各个领域都发挥着巨大的作用,其中局部俘获型多晶硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅(SONOS)存储器因为可以通过多值／多位技术实现高密度存储,而受到人们的广泛的重视和深入的研究。但是随着器件尺寸不断缩小,当工艺节点缩小到纳米量级后,在SONOS存储器中实现多值多位存储面临着诸多挑战。例如由于在编程擦除过程中注入的电子和空穴的空间分布不匹配性加速了器件耐受特性的退化；在纳米SONOS存储器中分别在源极与漏极实现两位存储时,这两位相互间的干扰也变得更严重；同时人们对于存储器在保持特性中电荷的主要流失机制也一直存在争论。本篇论文主要针对在纳米SONOS存储器中出现的这些问题,通过对比传统的沟道热电子注入编程、脉冲激发衬底热电子注入编程以及改进的衬底加正偏压沟道热电子注入编程,这叁种局部注入编程方法在90nm SONOS存储器中的耐受特性与保持特性,并利用测量电荷泵电流等表征方法来分析它们对纳米SONOS存储器多值多位存储特性的提高。在耐受性实验中,发现相对于传统的沟道热电子注入编程,另外两种编程方法都有明显改善,其中使用改进的衬底加正偏压沟道热电子注入编程方法的样品耐受特性表现最好。这与用测量电荷泵电流等方法表征出其中残余电荷最少的结果相一致,说明改进的衬底加正偏压沟道热电子注入编程方法有效地抑制了编程中二次离子注入,减少了存储层中因为注入电荷分布不匹配引起的耐受特性退化。同时电子注入范围变窄还抑制了第二位比特效应,我们将这种编程方法应用于4Bit/4Level操作中,发现样品在经过10K次反复编程擦除后仍有着足够大的编程窗口,并且将保持特性外推十年后仍然有足够大的读取窗口。同时这种编程方法还避免了衬底与漏极之间的PN结正偏降低了功耗,并且与产品编程中递增步长脉冲编程方法相兼容。为研究器件在保持过程中主要的电荷流失机制,我们对比经过叁种不同编程方法10K次编程擦除操作后样品的保持特性,因为这叁种编程方法中电子注入的空间分布不同,那么经过反复编程擦除操作后必然会造成存储层中残余电荷分布不同。假设电荷横向迁移是主要流失机制,那么经历长时间后,样品的阈值漂移必然会有差别。但最终实验结果中叁者并没有明显的差异,而且对比在保持特性实验前后叁组样品电荷泵电流曲线也没有明显的漂移,这与横向迁移模型明显矛盾。因此相对电荷横向迁移,纵向电荷丢失对常温下存储器保持特性影响更大。(本文来源于《南京大学》期刊2013-05-01）
赵建超,于伦正[2]（2005）在《空间粒子辐射引起存储单元多位比特纠错方案》一文中研究指出介绍了汉明码检/纠错的原理,并以IDT公司开发的具有检测两位错误和纠正一位错误的IDT49C465检/纠错电路单元为基础,针对主存储器某地址单元遭遇高能粒子轰击导致两位或多位比特出错的情况,提出了解决这类错误的一种方案。此方案通过利用阵列移位寄存器组对存储区数据进行转置来实现,并对此方案的数据可靠性做了概率分析。(本文来源于《微机发展》期刊2005年12期）
多位存储论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了汉明码检/纠错的原理,并以IDT公司开发的具有检测两位错误和纠正一位错误的IDT49C465检/纠错电路单元为基础,针对主存储器某地址单元遭遇高能粒子轰击导致两位或多位比特出错的情况,提出了解决这类错误的一种方案。此方案通过利用阵列移位寄存器组对存储区数据进行转置来实现,并对此方案的数据可靠性做了概率分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多位存储论文参考文献
[1].吴春波.纳米SONOS存储器件多值多位存储技术研究[D].南京大学.2013
[2].赵建超,于伦正.空间粒子辐射引起存储单元多位比特纠错方案[J].微机发展.2005