导读:本文包含了微米金刚石膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:亚微米,金刚石,高温高压
微米金刚石膜论文文献综述
李振,臧金浩,娄庆,杨西贵,董丙舜[1]（2019）在《高温高压下多环有机物合成亚微米金刚石》一文中研究指出亚微米尺寸的金刚石粉末对超精细研磨抛光而言是非常理想的磨料,但高品质亚微米尺寸金刚石粉末的合成与制备到目前为止仍面临着许多的困难和挑战。在避免使用金属触媒的情况下,以萘为前驱体在11 GPa压强、1 700℃的温度条件下成功合成了高品质亚微米尺寸的金刚石粉末。所合成的金刚石粉末具有比较高的相纯度,金刚石晶粒普遍都是晶体形态发育良好且相互独立彼此分散的自形晶。晶粒粒度的频率分布属于正偏态分布,相应的平均值、中数及众数分别为158. 1,221. 5,262. 5 nm。对数正态分布拟合中,晶粒粒度的期望值和标准偏差分别为(243. 3±4. 2) nm和(122. 3±5. 4) nm。将近96%的晶粒都分布在亚微米尺寸范围内。本工作将为高品质亚微米尺寸金刚石粉末的合成与制备提供有效途径。(本文来源于《发光学报》期刊2019年02期）
祁婷[2]（2017）在《Cu离子注入微米金刚石膜的场发射性能研究》一文中研究指出离子注入是一种有效改善金刚石膜导电性能的表面改性技术,金刚石膜场发射性能的研究是制备场发射显示器冷阴极材料的基础。本实验采用离子注入技术和不同退火处理工艺,将100 keV、1×1017 ions/cm2剂量的Cu离子注入到由微波等离子化学气相沉积(MPCVD)方法自制的微米金刚石膜(MCD)中,并在不同的温度下进行退火,探索最佳处理工艺增强金刚石膜的场发射性能。在MCD膜表层合成Cu纳米颗粒(NPs)和纳米石墨相,改善MCD的电学性能。原因是Cu NPs或纳米石墨相可以作为“导电岛”,即传输电子的载体和通道,通过电子跃迁或隧穿(即隧道效应)实现“导电岛”之间的电子传导。在本实验中,利用多种测试手段对样品的微观结构及性能进行表征,即FESEM、AFM、GXRD、Raman、XPS用来表征样品的微观结构以及用Hall、高真空EFE测试装置来准确表征样品的电学性能。系统研究了影响MCD膜微结构及场发射性能的重要因素:1)一定能量和剂量的Cu离子注入;2)退火处理方式及退火温度的不同。主要研究内容及结果如下:(1)将Cu离子注入态样品放置在N_2气氛中分别进行500℃,700℃,900℃的普通退火处理(CTA),保温1 h,系统研究了Cu离子注入及一定条件下的普通退火对MCD膜的微观结构和场发射性能影响。研究发现离子注入致使金刚石膜表层受到一定程度的破坏,造成部分sp3碳键断裂,从而形成sp2碳键和其它悬挂键。经过N_2气氛500℃退火,MCD膜的开启电场有所降低(E0=14.684 V/μm),在24.546 V/μm的电场下取得18.642μA/cm2的电流密度。这是因为金刚石膜微结构缺陷损伤有所修复,同时注入的Cu离子能在晶界处形成Cu NPs,并且在其表层催化产生石墨相,为电子的迁移提供传输通道。(2)对Cu离子注入的样品在N_2气氛中进行500℃,600℃,700℃,800℃快速退火处理(RTA),保温1 h,系统研究了Cu离子注入及一定条件下快速退火对MCD膜微观结构和场发射性能的影响。结果显示经快速退火处理的样品整体性能更佳。700℃退火后,样品表层的Cu NPs均匀长大并趋向晶界处聚集,非晶碳及无序化石墨转变为有序化石墨,即纳米石墨相的形成。由此样品的场发射性能显着增强,即开启场强(E0=1.587 V/μm)明显降低,并在3.342 V/μm电场下得到高达27.571μA/cm2的电流密度。(本文来源于《太原理工大学》期刊2017-06-01）
马喜龙[3]（2016）在《微米金刚石负载Ag的制备及其电化学性能研究》一文中研究指出微米金刚石拥有优异的物理、化学性能,包括高硬度、良好的化学和电化学稳定性、耐酸碱腐蚀等,并且可通过气流破碎法来大量制备。目前,微米金刚石主要应用在磨削及抛光领域。为了拓展其应用领域,将金刚石微粉做为载体,通过葡萄糖还原银氨溶液中的Ag+,将还原出的纳米银颗粒负载在微米金刚石颗粒表面,并考察了负载纳米银的金刚石的电化学性能。相对于广泛研究的纳米金刚石载体材料,微米金刚石具有产量更高、价格便宜,尺寸更加集中,分散性更好等特点。对几种不同粒径的金刚石进行了纳米银负载,结合XRD、SEM、TEM等设备对合成的催化剂材料的形貌、组成和结构进行了表征,并通过旋转圆盘等技术对不同银负载量的金刚石催化剂材料的电化学性能进行了研究。结果表明粒径为1-2?m的金刚石(Dia)材料负载银修饰后,表面的纳米银颗粒在金刚石表面均匀附着,并且展现了良好的电化学性能。当1-2?m的微米金刚石表面银含量为10wt.%时,与原始金刚石材料相比,氧还原反应(ORR)极限电流密度从Dia的2.81mA/cm2增加到10wt.%Ag/Dia的4.10mA/cm2,析氧反应(OER)极限电流密度从Dia的14.25mA/cm2增加到10wt.%Ag/Dia的27.49mA/cm2。为了进一步提高金刚石微粉的导电能力,利用放电等离子反应烧结对金刚石微粉进行了退火处理,结合XRD、SEM研究发现退火时间、温度以及样品粒径对金刚石微粉石墨化程度均有影响,当退火条件一定时,颗粒尺寸越大金刚石石墨化程度越轻。当退火温度为1400℃、保温时间为15min时,得到的样品1400-15min具有较合适石墨化程度,其表现为核芯仍为金刚石外层为石墨的核壳结构,BET结果表明退火前后Dia与1400-15min样品的比表面积分别为3.39m2/g和25.98m2/g。对1400-15min负载银并考察其电化学性能,结果表明Ag/1400-15min样品的ORR、阻抗等性能有明显的提高,其ORR极限电流密度达到3.53mA/cm2。综上所述,10wt.%Ag/Dia样品可以成为一种优秀的非铂双功能催化剂材料,而Ag/1400-15min样品作为一种ORR催化剂将有很大的潜能。(本文来源于《燕山大学》期刊2016-12-01）
高金海,张武勤,李桢,张兵临[4]（2016）在《球状微米金刚石的制备过程及其场发射性能的研究》一文中研究指出在纯平的陶瓷衬底上面,利用磁控溅射方法镀上一层金属钛。对金属钛层进行表面缺陷处理后,放入微波等离子体化学气相沉积腔中,利用正交实验方法制备出场发射性能最优的薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等仪器,研究了薄膜的微观表面形态、结构组成等,得到了该薄膜是球状微米金刚石薄膜的结论。并进一步研究了最优场发射薄膜的发射机理。(本文来源于《液晶与显示》期刊2016年09期）
高金海,张武勤,李桢[5]（2016）在《微米金刚石聚晶为阴极的场发射显示器制备与研究》一文中研究指出在回顾显示器发展历程的基础上,介绍了一种以微米金刚石聚晶为阴极的场发射显示器的制备与研究。其优势在于开启电场低、场发射电流密度高和场发射效果优秀。对微米金刚石聚晶形成机理和场发射机理进行了研究。(本文来源于《郑州师范教育》期刊2016年04期）
高金海,李桢,张武勤,张兵临[6]（2016）在《微米金刚石薄膜的制备与场发射研究》一文中研究指出利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在镀金属钛层的陶瓷基底上面,调整优化沉积参数,制备出了碳膜。通过各种仪器分析了碳膜的内部结构和表面形貌,证明该碳膜是微米金刚石薄膜。进一步将微米金刚石薄膜作为场发射阴极材料,测试了其场致电子发射特性。稳定发射状态下的开启电场为1.15 V/μm,在3.35 V/μm的电场下,其场发射电流密度为0.81 m A/cm2,发射点密度约为104/cm2。并对其发射机理进行了研究。(本文来源于《电子器件》期刊2016年01期）
高金海,李桢,张武勤,张兵临[7]（2015）在《衬底对微米金刚石聚晶薄膜生长及场发射特性的影响》一文中研究指出本文在陶瓷衬底上面利用磁控溅射的方法镀上一层厚金属钛,用不同方法对金属钛层进行表面处理,处理后的衬底放在微波等离子体化学气相沉积腔中,在相同的沉积条件下制备出不同微米金刚石薄膜。对不同的薄膜的微观表面形态、结构组成进行对比研究;对不同的薄膜用二极管型结构测试了它们的场致发射电子的性能,并对发射机理进行了深入的研究。最终分析出不同方法处理的衬底,对微米金刚石聚晶薄膜生长及场发射特性的影响的原因。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2015年06期）
邹芹,王明智,余强化,李艳国,柯雨蛟[8]（2015）在《微米金刚石含量对圆葱碳烧结制备聚晶金刚石(PCD)组织及性能的影响》一文中研究指出以OLC_(11)(1 100℃/0.1 Pa条件下制得的OLC)与微米金刚石为原料,在1 200℃/5.5 GPa/15 min条件下烧结制备了无添加剂聚晶金刚石(PCD),研究了微米金刚石加入量对PCD组织及性能的影响。结果表明:微米金刚石加入量低于50%时,随着微米金刚石加入量增加,OLC11转化的金刚石晶粒尺寸逐渐均匀且越来越大,微米金刚石与OLC_(11)转变的金刚石基体间结合得越好。当微米金刚石含量高于50%时,随着微米金刚石含量增加,微米金刚石与OLC_(11)转变的金刚石基体间不能有效结合,PCD硬度逐渐降低。微米金刚石含量为50%时,PCD硬度及晶粒尺寸最大,分别为44.7 GPa及20 nm。加入适量的微米金刚石可以增强样品内部传压,并作为晶种,提高OLC转化率,提升PCD性能。(本文来源于《矿冶工程》期刊2015年06期）
王菁清,龙航宇,谢友能,邓泽军,周静[9]（2015）在《纳米/微米金刚石薄膜对钛合金摩擦性能和耐腐蚀性能的影响》一文中研究指出金刚石薄膜可以加强牙科用钛合金(TC4)基台止动螺钉稳定性,延长其使用寿命。通过热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)在TC4上沉积微米晶金刚石(MCD)和纳米金刚石(NCD)薄膜,分别采用SEM、AFM和Raman光谱对金刚石薄膜的形貌和质量进行表征,采用划痕实验检测了薄膜的结合强度。结果表明:沉积得到的NCD和MCD薄膜连续致密,表面粗糙度小,结合良好;金刚石薄膜有效地降低了TC4表面的摩擦因数和磨损率,NCD的摩擦因数约为0.09~0.15,MCD的约为0.18~0.22,其中在人工唾液环境下表现出更低的摩擦因数;金刚石薄膜人工唾液环境中能有效地提升材料的耐腐蚀性能,TC4表面沉积所得NCD薄膜的各项性能指标均优于MCD薄膜的。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2015年06期）
王菁清[10]（2014）在《纳米/微米金刚石薄膜的制备及对牙科种植体材料TC4表面性能的影响》一文中研究指出植入义齿是目前修复牙列缺损及缺失最有效的方法,然而部件松动(尤其是螺钉松动)是植入义齿最常见的并发症,其报道发病率高达45%。现种植体的止动螺钉大部分采用钛合金材料,在反复咀嚼的循环咬合力作用下,基台螺丝与种植体和基台间的微小位移,以及反复拧紧与松懈的过程,都会造成部件磨损。此外,在口腔生物环境中,唾液、细菌、龈沟液、食品中的弱酸弱碱和盐类物质、食物分解和食物残渣发酵产生的物质,可从种植体与基台之间的缝隙渗入,产生微生物腐蚀和电化学腐蚀。通过表面改性提升医用材料的抗磨损、耐腐蚀和生物性能是当前的研究热点,本文拟采用化学气相沉积技术在TC4钛合金表面沉积金刚石薄膜,以增强牙科用钛合金基台止动螺钉的耐磨损和抗腐蚀性能,最终提升种植体的使用寿命。本文首先采用热丝化学气相沉积技术在单晶硅上探索纳米晶金刚石(NCD)薄膜的沉积工艺,通过研究反应气体配比、基体预处理、基体温度和沉积压强对薄膜性能的影响,优化NCD薄膜的沉积工艺。然后,在前期工作的基础上,通过基体表面预处理和调节沉积工艺,在TC4钛合金基体上制备连续致密、表面光滑、结合良好的NCD薄膜和微米晶金刚石(MCD)薄膜。最后,采用SEM、AFM、Raman、 XRD、划痕、往复式摩擦磨损、电化学、细胞增殖和细胞凋亡等表征手段对金刚石薄膜的形貌、质量、结合强度、耐磨损、抗腐蚀和生物相容性能进行研究。结果表明,NCD和MCD薄膜均能有效降低TC4表面的摩擦系数和磨损率,其摩擦系数范围分别为0.09-0.15和0.18-0.22,且人工唾液相对于空气环境能进一步降低摩擦系数。此外,金刚石薄膜尤其是NCD薄膜能有效地提升材料的抗腐蚀性能。CCK-8和流式细胞检测实验表明,金刚石薄膜为细胞黏附、伸展和增殖提供了合适的表面,NCD和MCD薄膜均无或只有轻微的细胞毒性,均表现出的低凋亡率,进一步说明金刚石薄膜具有良好的生物相容性。(本文来源于《中南大学》期刊2014-05-01）
微米金刚石膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
离子注入是一种有效改善金刚石膜导电性能的表面改性技术,金刚石膜场发射性能的研究是制备场发射显示器冷阴极材料的基础。本实验采用离子注入技术和不同退火处理工艺,将100 keV、1×1017 ions/cm2剂量的Cu离子注入到由微波等离子化学气相沉积(MPCVD)方法自制的微米金刚石膜(MCD)中,并在不同的温度下进行退火,探索最佳处理工艺增强金刚石膜的场发射性能。在MCD膜表层合成Cu纳米颗粒(NPs)和纳米石墨相,改善MCD的电学性能。原因是Cu NPs或纳米石墨相可以作为“导电岛”,即传输电子的载体和通道,通过电子跃迁或隧穿(即隧道效应)实现“导电岛”之间的电子传导。在本实验中,利用多种测试手段对样品的微观结构及性能进行表征,即FESEM、AFM、GXRD、Raman、XPS用来表征样品的微观结构以及用Hall、高真空EFE测试装置来准确表征样品的电学性能。系统研究了影响MCD膜微结构及场发射性能的重要因素:1)一定能量和剂量的Cu离子注入;2)退火处理方式及退火温度的不同。主要研究内容及结果如下:(1)将Cu离子注入态样品放置在N_2气氛中分别进行500℃,700℃,900℃的普通退火处理(CTA),保温1 h,系统研究了Cu离子注入及一定条件下的普通退火对MCD膜的微观结构和场发射性能影响。研究发现离子注入致使金刚石膜表层受到一定程度的破坏,造成部分sp3碳键断裂,从而形成sp2碳键和其它悬挂键。经过N_2气氛500℃退火,MCD膜的开启电场有所降低(E0=14.684 V/μm),在24.546 V/μm的电场下取得18.642μA/cm2的电流密度。这是因为金刚石膜微结构缺陷损伤有所修复,同时注入的Cu离子能在晶界处形成Cu NPs,并且在其表层催化产生石墨相,为电子的迁移提供传输通道。(2)对Cu离子注入的样品在N_2气氛中进行500℃,600℃,700℃,800℃快速退火处理(RTA),保温1 h,系统研究了Cu离子注入及一定条件下快速退火对MCD膜微观结构和场发射性能的影响。结果显示经快速退火处理的样品整体性能更佳。700℃退火后,样品表层的Cu NPs均匀长大并趋向晶界处聚集,非晶碳及无序化石墨转变为有序化石墨,即纳米石墨相的形成。由此样品的场发射性能显着增强,即开启场强(E0=1.587 V/μm)明显降低,并在3.342 V/μm电场下得到高达27.571μA/cm2的电流密度。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
微米金刚石膜论文参考文献
[1].李振,臧金浩,娄庆,杨西贵,董丙舜.高温高压下多环有机物合成亚微米金刚石[J].发光学报.2019
[2].祁婷.Cu离子注入微米金刚石膜的场发射性能研究[D].太原理工大学.2017
[3].马喜龙.微米金刚石负载Ag的制备及其电化学性能研究[D].燕山大学.2016
[4].高金海,张武勤,李桢,张兵临.球状微米金刚石的制备过程及其场发射性能的研究[J].液晶与显示.2016
[5].高金海,张武勤,李桢.微米金刚石聚晶为阴极的场发射显示器制备与研究[J].郑州师范教育.2016
[6].高金海,李桢,张武勤,张兵临.微米金刚石薄膜的制备与场发射研究[J].电子器件.2016
[7].高金海,李桢,张武勤,张兵临.衬底对微米金刚石聚晶薄膜生长及场发射特性的影响[J].功能材料与器件学报.2015
[8].邹芹,王明智,余强化,李艳国,柯雨蛟.微米金刚石含量对圆葱碳烧结制备聚晶金刚石(PCD)组织及性能的影响[J].矿冶工程.2015
[9].王菁清,龙航宇,谢友能,邓泽军,周静.纳米/微米金刚石薄膜对钛合金摩擦性能和耐腐蚀性能的影响[J].中国有色金属学报.2015
[10].王菁清.纳米/微米金刚石薄膜的制备及对牙科种植体材料TC4表面性能的影响[D].中南大学.2014