导读:本文包含了超薄体论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:绝缘体上硅,自热效应,热生成,焦耳热效应,开关热效应
超薄体论文文献综述
苏亚丽,唐凌虹,王金刚[1](2018)在《超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析》一文中研究指出针对SOI MOSFET自热效应热量的来源——热生成行为进行了深入研究,结果表明,对于静态电路,饱和导通电流产生的焦耳热效应是主要热量来源;对于动态电路,开关电流引起的器件寄生电容充放电过程产生的开关热效应起主要作用.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2018年05期)
毕津顺,刘刚,罗家俊,韩郑生[2](2013)在《22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究》一文中研究指出利用计算机辅助设计技术数值仿真工具,研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应,系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响.模拟结果表明,掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小,重离子入射产生大量电荷,屏蔽了初始电荷分布的差异性.单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关,超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端.当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时,单粒子瞬态电流峰值从564μA减小到509μA,收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC.超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制,但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关.(本文来源于《物理学报》期刊2013年20期)
栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾[3](2008)在《高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响》一文中研究指出研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势垒产生影响的主要机理.源端附近边缘感应势垒屏蔽效应(FIBS)是SBSD SOI MOSFET开态电流减小的主要原因.同时还发现,源漏与栅是否对准,高k栅介质对器件性能的影响也不相同.如果源漏与栅交迭,高k栅介质与硅衬底之间加入过渡层可以有效地抑制FIBS效应.如果源漏偏离栅,采用高k侧墙并结合堆迭栅结构,可以提高驱动电流.分析结果表明,来自栅极的电力线在介电常数不同的材料界面发生两次折射.根据结构参数的不同可以调节电力线的疏密,从而达到改变势垒高度,调节驱动电流的目的.(本文来源于《物理学报》期刊2008年07期)
栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾[4](2008)在《考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型(英文)》一文中研究指出推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用叁角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应.由于量子束缚效应的存在,第一个子带高于导带底,这等效于禁带变宽.因此源漏端的势垒高度提高,载流子密度降低,漏电流降低.以前的模型仅考虑由于镜像力导致的肖特基势垒降低,因而不能准确表示漏电流.包含量子束缚效应的漏电流模型克服了这些缺陷.结果表明,较小的非负肖特基势垒,甚至零势垒高度,也存在隧穿电流.二维器件模拟器Silvaco得到的结果和模型结果吻合得很好.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年05期)
王文平,黄如,张国艳[5](2004)在《超薄体MOSFET的结构优化(英文)》一文中研究指出对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有叁个重要参数 ,即器件的源漏提升高度、锗硅栅 (Gex Si1 - x)中 Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度 ,并对这叁个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行 Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 ,就能得到性能优良的 U TB器件(本文来源于《半导体学报》期刊2004年10期)
超薄体论文开题报告
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
利用计算机辅助设计技术数值仿真工具,研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应,系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响.模拟结果表明,掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小,重离子入射产生大量电荷,屏蔽了初始电荷分布的差异性.单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关,超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端.当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时,单粒子瞬态电流峰值从564μA减小到509μA,收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC.超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制,但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关.
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
超薄体论文参考文献
[1].苏亚丽,唐凌虹,王金刚.超薄体SOIMOSFETs硅膜区热生成行为分析[J].微电子学与计算机.2018
[2].毕津顺,刘刚,罗家俊,韩郑生.22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究[J].物理学报.2013
[3].栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾.高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOIMOSFET性能的影响[J].物理学报.2008
[4].栾苏珍,刘红侠,贾仁需,蔡乃琼,王瑾.考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型(英文)[J].半导体学报.2008
[5].王文平,黄如,张国艳.超薄体MOSFET的结构优化(英文)[J].半导体学报.2004