导读:本文包含了缓存器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:NAND闪存,多值存储单元,页缓存器,Coarse,Fine读取算法
缓存器论文文献综述
陈珂,杜智超,叶松,王颀,霍宗亮[1]（2018）在《基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究》一文中研究指出为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显着减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈值电压较低的存储单元并标记在页缓存器中,使其不再进行第二次子读感应,从而减小共源线噪声引起的阈值偏移.电路仿真计算表明,该支持C/F读取算法的页缓存器结构能够减小阈值偏移至少495. 6mV,有效提高了NAND闪存读操作的精确性.(本文来源于《电子学报》期刊2018年11期）
孙超[2]（2018）在《高速硅基光缓存器的研究》一文中研究指出全光网络是实现下一代通信技术的核心,它的构建在于全光交换技术的实现,其中包括了数据的交换、路由、缓存和转发。目前光交换、光路由和光转发技术的应用取得了重大进展,只有光缓存技术得以推广,全光网络才能真正提供服务。由于现阶段存在“光-电-光”转换的瓶颈使得缓存器无法从电缓存迈向光缓存,研究全光缓存就变得至关重要。根据缓存数据的介质不同,光缓存器主要分为光纤型和波导型。光纤型缓存器能够达到可观的延时量,但易受环境影响,对温度等外界干扰比较敏感,且器件尺寸较大难以精确控制缓存时间。波导型缓存器凭借波导结构紧凑的特点便于片上集成,且缓存时间精确可控,利用微环谐振腔等合理的结构还能实现较大的延时量。本文基于以往的成果提出改进型的光缓存结构设计,在满足片上集成的情况下,实现低功耗、大延时、可调谐功能的缓存功能。本论文首先根据微环谐振腔耦合理论、群延时理论、热光效应及光开关的工作原理设计出了一种基于硅衬底的聚合物热光可调谐光缓存器。光在该结构中可实现单模传输进而降低器件损耗,凭借谐振效应和波导的色散效应可以降低光传播的速度从而提高缓存时间量,利用高热光系数的聚合物材料能够使得光缓存器的开关调谐时间达到亚毫秒量级。通过分析微环的弯曲损耗、耦合效率以及优化结构参数,经模拟得到热光可调谐光缓存器的调谐开关响应速度为600μs左右,开关功耗为14mW,最大延时可达1.2ns,器件整体尺寸约为14mm~2。利用旋转涂覆、真空镀膜、紫外接触曝光、RIE反应离子刻蚀、电极套刻、切割抛光等工艺,在实验上成功制备出了聚合物热光可调谐缓存器的芯片,并对光缓存器的光谱特性、缓存特性、响应特性及功耗进行了测试。测得器件插入损耗为11.2dB,可调谐上升响应与下降响应时间分别为320μs和620μs,对应开关功耗23.7mW。缓存器最大延时量可达1.177ns,测试结果与设计结果基本吻合。为了进一步提升光缓存器的响应速度,减小芯片尺寸,本文进而设计了一种基于绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)材料的级联型电光可调谐光缓存器。利用SOI波导对光的强束缚性,器件集成度极大提高,整体尺寸减小至0.005mm~2。根据仿真结果可知,该器件的驱动电压为1.5V,光缓存器的最大延时量为49ps。借助自由载流子色散效应的电光调制技术,光缓存器的响应速度可达到2ns,此时开关功耗仅为5.7mW。可见这种新型结构的SOI基电光可调谐光缓存器同时具备低功耗、高集成度、高速响应、低驱动电压等有点,能够满足高速光缓存器处理芯片的要求。(本文来源于《东南大学》期刊2018-06-08）
张丽,孙慧萍,韩丙辰[3]（2016）在《基于波导阵列的全光缓存器的设计》一文中研究指出概述了现有主要的全光缓存器的种类、技术方法,并在此基础上,提出了一种基于波导阵列与光纤光栅的全光缓存器。该系统具有低成本、集成度高等优点。同时,给出了对于不同条件下信号处理的分析以及相应的控制策略。对不同波长的信号缓存与多个信号的缓存工作机理及逻辑关系给出了分析与讨论,佐证了系统构思的可行性。(本文来源于《山西大同大学学报(自然科学版)》期刊2016年05期）
王子阳,谭凯龙[4]（2016）在《双同步缓存器IDT72825LB及其应用》一文中研究指出IDT72825LB是美国综合设备技术(IDT)公司新推出的具有18bit数据总线的双同步先进先出缓存器。它具有大容量、高速度、低功耗和设计灵活等的特点。克服了传统存储器的缺点,可以广泛应用到相应的电子产品中。本文详细介绍了它的结构特点、引脚功能和工作原理,给出了它的典型扩展电路。(本文来源于《信息化建设》期刊2016年07期）
张丽,孙慧萍,韩丙辰[5]（2016）在《偏振旋转效应在全光缓存器中的应用与实现》一文中研究指出本文建立了在调制器中TM模与TE模对应折射率分布函数的数学模型。研究了光生载流子浓度与泵浦光强的函数关系,并通过仿真量化分析其数据变化规律。研究探讨了在不同光强下,TE模与TM模对应的相位分布特性,从而提出了一种新式的全光缓存器的设计思路,并通过仿真分析进行了验证。结果显示,系统具有稳定的数据输出能力,方法可行。(本文来源于《山西大同大学学报(自然科学版)》期刊2016年02期）
王川[6]（2015）在《基于双狭缝微环谐振腔的全光缓存器及调谐技术研究》一文中研究指出网络交换节点为了实现高效交换,总是需要同时处理多个输入信号,而要得到顺利的输出就需要按照一定的规则安排每一路信号,使它们互不干扰地快速通过,这个过程中就需要用到光缓存器,对光信号进行缓存,避免信道冲突。可调谐全光缓存器避免了光电转换引起的速度瓶颈,为光信号提供可控的延时,替代传统的存储转发。但是至今仍没有实用的可调谐全光缓存器,因此还需要对其进行进一步的研究。本论文用光学微环谐振腔作为光缓存器的基本延时单元,由多个基本单元级联实现较大带宽上的较大延时量。为了实现更高的器件集成度,需要研究如何在缩小微环半径的同时保持器件系统性能。普通条形波导在强烈弯曲时将产生较大的损耗和色散,我们对波导结构进行改良,使用特殊的水平双狭缝结构,在提高对光的限制作用的同时利用这种结构的色散可控性,通过结构优化实现极低的高阶色散,以尽量保持信号质量。首先对微环谐振腔的延时及色散原理进行分析;在此基础上,对水平双狭缝波导进行研究,仿真了波导结构参数对高阶色散的影响,完成用于全光缓存器的波导结构设计和优化;基于游标效应,级联多个轨道型微环并进行光缓存器件级设计,根据总延时谱的性能,计算并优化器件结构,得到具有大带宽、高平坦延时的多微环谐振腔全光缓存器的具体结构参数;最后分析器件制造误差的影响和调谐方法,对各参数的抖动进行模拟分析,提出利用热光效应能方便地改变光缓存器的延时时间,该调谐方法还可用于弥补工艺过程引起的参数误差。基于双狭缝波导微环谐振腔的可调谐全光缓存器能够在通信波长内同时实现宽带低色散和可调的平坦高延时,在保证信号质量的前提下为高速信号提供充分且灵活的缓存,并且器件的尺寸微小,利于进行集成。当需要更高缓存带宽或缓存时间时,只需增大微环个数,实现更大的延时带宽积。本论文提供的多环光缓存器结构和设计及优化方法能用于更大规模的微环谐振腔全光缓存器。(本文来源于《华中科技大学》期刊2015-05-01）
赵安臻,卢学嘉,贾溢豪,曹永盛[7]（2014）在《基于对称SEED的全光缓存器工作速率特性分析》一文中研究指出介绍了对称自电光效应器件(S-SEED)的基本结构及工作原理。基于S-SEED的纯电容模型,利用理论分析,得出S-SEED全光缓存器工作速率与外加偏置电压、入射光功率、入射光波长等参数之间的关系。为优化器件性能,利用数值分析,对不同偏压、不同光功率与不同光波长入射下的S-SEED全光缓存器的工作速率特性进行了比较。结果表明,减小外置偏压与增大入射光功率均可提高S-SEED全光缓存器的工作速率;不同光波长入射时,该缓存器工作速率基本不变。(本文来源于《新型工业化》期刊2014年04期）
杨昭怡[8]（2014）在《基于SOA的全光缓存器的研究》一文中研究指出随着信息和通讯技术的快速发展,对关键节点的交换速率与交换容量有了更高的要求,但是目前通信网中的交换仍然在电域中进行,“光-电-光”的转换限制了交换速率与交换容量,而全光网络的提出从源头上解决了这一问题,因此全光分组交换成为提高光网络节点交换能力的最佳方法之一,其中全光缓存器作为全光交换的重要部件,其性能的好坏对光网络的发展起着重要的作用。本文就针对基于量子点SOA与增益透明SOA的全光缓存器进行了分析研究。论文对量子点SOA的基本理论与动态模型进行了分析,基本理论包括量子点SOA的结构、工作过程、载流子浓度速率方程、增益与相移的关系,基于这些基本理论,论文中详述量子点SOA的仿真方法,建立了光脉冲在量子点SOA中传输的仿真模型,对单脉冲以及连续脉冲信号在DLOB中缓存后的脉冲形状进行了理论计算,从理论上证明了量子点SOA可以应用于光纤型全光缓存器,并对码型效应会有明显的改善。通过对比量子点SOA与普通体材料SOA的注入电流、控制光功率与相移之间的关系,得出量子点SOA可以在相对较小的注入电流下得到与普通体材料SOA同样大小的相移,并且线宽增强因子相对较大的量子点SOA对控制光的功率要求更小。介绍了基于增益透明SOA偏振调制作用与相位调制作用的全光缓存器。阐述了增益透明SOA的基本理论,仿真了电流与信号光注入之后载流子变化的过程以及辅助光与信号光之间光-光作用导致的相位变化。利用这种增益透明SOA的相位调制作用,本文最后提出了一种基于级联型增益透明SOA的码型转换系统,通过叁个级联增益透明SOA的相位调制作用实现OOK-8PSK的码型转换,避免了交叉增益调制与四波混频效应。对产生的8PSK码型信号进行判决,精确解调出码型转换前的OOK信号,验证了系统的可行性。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2014-03-07）
王拥军,张晓磊,吴重庆,王智,尚超[9]（2013）在《基于大动态延迟范围全光缓存器的时隙处理》一文中研究指出提出利用级联型双环耦合全光缓存器(DLOB)进行全光时隙处理的方案,并对光分组的时隙压缩、时隙扩展、时隙交换或重排等全光时隙处理功能进行了实验验证。实验结果表明,经过两级DLOB,数据速率为2.448Gb/s的两个光分组的时间间隔可以在24.3μs110ns之间进行压缩,或在100ns26.11μs之间进行扩展,并且可以达到无误码输出。这种利用级联DLOB对光分组的时隙处理方法,对全光缓存器的研究有一定的参考价值。(本文来源于《中国激光》期刊2013年10期）
王拥军,吴重庆,王智,尚超,杨昭怡[10]（2013）在《延时可配置的全光缓存器阵列》一文中研究指出提出一种以基于平行排列3×3耦合器的双环耦合全光缓存器为缓存主体、以非线性光纤环路镜或马赫-曾德尔干涉仪为选择开关的可动态配置延迟的全光缓存器阵列方案。理论与实验证明,该缓存器阵列可实现不同延迟时间的配置,输出信号能满足进一步传输的要求,并可有效降低网络拥塞,减少丢包率。(本文来源于《光学学报》期刊2013年07期）
缓存器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
全光网络是实现下一代通信技术的核心,它的构建在于全光交换技术的实现,其中包括了数据的交换、路由、缓存和转发。目前光交换、光路由和光转发技术的应用取得了重大进展,只有光缓存技术得以推广,全光网络才能真正提供服务。由于现阶段存在“光-电-光”转换的瓶颈使得缓存器无法从电缓存迈向光缓存,研究全光缓存就变得至关重要。根据缓存数据的介质不同,光缓存器主要分为光纤型和波导型。光纤型缓存器能够达到可观的延时量,但易受环境影响,对温度等外界干扰比较敏感,且器件尺寸较大难以精确控制缓存时间。波导型缓存器凭借波导结构紧凑的特点便于片上集成,且缓存时间精确可控,利用微环谐振腔等合理的结构还能实现较大的延时量。本文基于以往的成果提出改进型的光缓存结构设计,在满足片上集成的情况下,实现低功耗、大延时、可调谐功能的缓存功能。本论文首先根据微环谐振腔耦合理论、群延时理论、热光效应及光开关的工作原理设计出了一种基于硅衬底的聚合物热光可调谐光缓存器。光在该结构中可实现单模传输进而降低器件损耗,凭借谐振效应和波导的色散效应可以降低光传播的速度从而提高缓存时间量,利用高热光系数的聚合物材料能够使得光缓存器的开关调谐时间达到亚毫秒量级。通过分析微环的弯曲损耗、耦合效率以及优化结构参数,经模拟得到热光可调谐光缓存器的调谐开关响应速度为600μs左右,开关功耗为14mW,最大延时可达1.2ns,器件整体尺寸约为14mm~2。利用旋转涂覆、真空镀膜、紫外接触曝光、RIE反应离子刻蚀、电极套刻、切割抛光等工艺,在实验上成功制备出了聚合物热光可调谐缓存器的芯片,并对光缓存器的光谱特性、缓存特性、响应特性及功耗进行了测试。测得器件插入损耗为11.2dB,可调谐上升响应与下降响应时间分别为320μs和620μs,对应开关功耗23.7mW。缓存器最大延时量可达1.177ns,测试结果与设计结果基本吻合。为了进一步提升光缓存器的响应速度,减小芯片尺寸,本文进而设计了一种基于绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)材料的级联型电光可调谐光缓存器。利用SOI波导对光的强束缚性,器件集成度极大提高,整体尺寸减小至0.005mm~2。根据仿真结果可知,该器件的驱动电压为1.5V,光缓存器的最大延时量为49ps。借助自由载流子色散效应的电光调制技术,光缓存器的响应速度可达到2ns,此时开关功耗仅为5.7mW。可见这种新型结构的SOI基电光可调谐光缓存器同时具备低功耗、高集成度、高速响应、低驱动电压等有点,能够满足高速光缓存器处理芯片的要求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
缓存器论文参考文献
[1].陈珂,杜智超,叶松,王颀,霍宗亮.基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究[J].电子学报.2018
[2].孙超.高速硅基光缓存器的研究[D].东南大学.2018
[3].张丽,孙慧萍,韩丙辰.基于波导阵列的全光缓存器的设计[J].山西大同大学学报(自然科学版).2016
[4].王子阳,谭凯龙.双同步缓存器IDT72825LB及其应用[J].信息化建设.2016
[5].张丽,孙慧萍,韩丙辰.偏振旋转效应在全光缓存器中的应用与实现[J].山西大同大学学报(自然科学版).2016
[6].王川.基于双狭缝微环谐振腔的全光缓存器及调谐技术研究[D].华中科技大学.2015
[7].赵安臻,卢学嘉,贾溢豪,曹永盛.基于对称SEED的全光缓存器工作速率特性分析[J].新型工业化.2014
[8].杨昭怡.基于SOA的全光缓存器的研究[D].北京邮电大学.2014
[9].王拥军,张晓磊,吴重庆,王智,尚超.基于大动态延迟范围全光缓存器的时隙处理[J].中国激光.2013
[10].王拥军,吴重庆,王智,尚超,杨昭怡.延时可配置的全光缓存器阵列[J].光学学报.2013