导读:本文包含了金属剥离论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:封装,EDX,胶带,背金属
金属剥离论文文献综述
许海渐,朱文汇,季伟,赵峰[1]（2012）在《芯片背金属剥离分析》一文中研究指出封装制程中发生金属层剥离对产品可靠性产生致命伤害。背金属制程污染是产生剥离的主要原因,封装制程使用的材料和工艺对金属剥离的程度有影响。EDX电子显微镜分析有助于确认金属剥离界面的物质元素,通过比对背面金属设计可以确定剥离是在金属镀膜过程还是封装过程中产生。蒸金过程提高清洗质量和防止化剂交叉污染,封装过程降低胶带粘性、使用胶木/集束顶针、降低热烘温度和时间、降低顶出高度和速度等可减少背面金属膜剥离。(本文来源于《电子与封装》期刊2012年11期）
陈光红,吴清鑫,于映,罗仲梓[2]（2012）在《射频MEMS开关中金属剥离工艺研究》一文中研究指出研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形,并分析不同侧壁图形的形成机理,找出最佳工艺参数,并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离.(本文来源于《苏州市职业大学学报》期刊2012年02期）
江兴[3]（2008）在《FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破》一文中研究指出FSI国际有限公司近日宣布,公司已成功地采用FSI ViPRTM技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺,IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中,大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA○R(本文来源于《半导体信息》期刊2008年05期）
本刊通讯员[4]（2008）在《FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破》一文中研究指出FSI国际有限公司近日宣布,公司已成功地采用FSIViPRTM技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺,IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中,大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA Spray Cleaning System喷雾式清洗系统中已经采用了FSI ViPRTM技术,并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。(本文来源于《电子与封装》期刊2008年02期）
李春燕,王宇,张霞,范惠娟,孙强[5]（2005）在《图形反转双层光刻胶金属剥离技术》一文中研究指出金属剥离技术是用于空间用太阳电池电极的关键工艺技术。为了实现真空蒸镀直接剥离7 mm金属层的目的,开发了图形反转双层光刻胶金属剥离技术。采用图形反转胶和正型光刻胶,实现了理想的光刻胶剖面图形,检测表明金属厚度达到7 μm。此技术已经用于高效太阳电池的批量生产中。空间环模条件考核表明此工艺制作的电极满足空间环境的要求。(本文来源于《电源技术》期刊2005年03期）
闫桂珍,张大成,李婷,王颖[6]（2002）在《金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究》一文中研究指出开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2002年01期）
李立新[7]（2000）在《铝铜双金属剥离强度的神经网络预报及生产工艺优化》一文中研究指出应用BP算法程序对双金属材料的剥离强度按单隐蔽层不同结点数进行预报计算。结果表明 :以轧前铝材加热温度、双金属材轧后退火温度两项因素作为网络输入 ,隐蔽层为 8结点时的预报结果与实测结果最为接近 ,以此为基础 ,确定了最佳生产工艺。(本文来源于《上海有色金属》期刊2000年02期）
邢素贤,程足捷,王中文[8]（1997）在《等平面和金属剥离工艺在低电容高可靠晶体管生产中的应用》一文中研究指出本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用．通过采用这两种工艺，不仅使得晶体管输出电容减小１４％，也使可靠性明显提高．从而满足了微波电路使用的特殊要求(本文来源于《辽宁大学学报(自然科学版)》期刊1997年02期）
金属剥离论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形,并分析不同侧壁图形的形成机理,找出最佳工艺参数,并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属剥离论文参考文献
[1].许海渐,朱文汇,季伟,赵峰.芯片背金属剥离分析[J].电子与封装.2012
[2].陈光红,吴清鑫,于映,罗仲梓.射频MEMS开关中金属剥离工艺研究[J].苏州市职业大学学报.2012
[3].江兴.FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破[J].半导体信息.2008
[4].本刊通讯员.FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破[J].电子与封装.2008
[5].李春燕,王宇,张霞,范惠娟,孙强.图形反转双层光刻胶金属剥离技术[J].电源技术.2005
[6].闫桂珍,张大成,李婷,王颖.金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究[J].微纳电子技术.2002
[7].李立新.铝铜双金属剥离强度的神经网络预报及生产工艺优化[J].上海有色金属.2000
[8].邢素贤,程足捷,王中文.等平面和金属剥离工艺在低电容高可靠晶体管生产中的应用[J].辽宁大学学报(自然科学版).1997