导读:本文包含了存储器优化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:存储器,存储窗口,FeFET,Hf0.5Zr0.5O2
存储器优化论文文献综述
周益春[1]（2019）在《Hf0.5Zr0.5O2基FeFET存储器的制备及性能优化》一文中研究指出铁电栅场效应晶体管(FeFET)具有非挥发性、低功耗、读写速度快等优异的存储性能,是最有前景的新型半导体存储器之一。由于单元结构简单、与CMOS工艺兼容且制造工艺成熟等特点,基于新型二氧化铪(HfO_2)铁电薄膜的FeFET(HfO_2基FeFET)存储器极具产业化应用潜力,引领着新型半导体存储器的发展方向。然而,HfO_2基FeFET存储器在其产业化应用进程中尚存在诸多问题。其中,存储窗口稳定性和疲劳失效等问题亟待优化和解决。本论文首先研究了Hf~(0.5)Zr~(0.5)O_2铁电薄膜的极化稳定性及其物理机制,发现Hf~(0.5)Zr~(0.5)O_2铁电薄膜与电极的界面特性决定了其极化稳定性。然后基于界面的优化设计,采用后栅工艺制备出了性能较好且存储窗口稳定的Hf~(0.5)Zr~(0.5)O_2基FeFET。最后,还阐明了界面特性对Hf~(0.5)Zr~(0.5)O_2基FeFET疲劳性能的影响机理,为解决其疲劳失效问题提供了理论依据。(本文来源于《第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集》期刊2019-11-23）
陈凯峰,梁鉴如[2]（2019）在《用于图像处理的FPGA存储器优化分配》一文中研究指出现场可编程门阵列(FPGA)在计算机视觉应用领域有着广阔的前景,然而FPGA有限的片上存储器资源难以满足应用场景下性能、尺寸和功率的需求。针对这个问题,研究片上存储器的资源分配,在最小化片上资源使用和整体功耗的前提下提出一种易于实现的分区平衡算法。实验结果表明,与商用FPGA高级综合工具相比,本文算法的利用率提高达60%,且动态功耗降低了约70%。在高级算法MeanShift跟踪的实验中,实验结果显示,分区算法可以在不影响关键性能的前提下降低总功耗高达30%。(本文来源于《计算机工程与科学》期刊2019年11期）
薛镭[3]（2019）在《基于NAND Flash存储器的磨损均衡DP算法优化》一文中研究指出双池DP(Dual Pool)算法对于NAND Flash的磨损均衡控制水平较高,但是磨损均衡过程较长,磨损均衡分布不均,第一个磨穿块容易较早出现。为了解决这些不足之处,在吸收双池算法磨损控制思想的基础上,提出一种基于优先搜索树(PST)的磨损均衡思想,在块搜索策略和垃圾回收策略等方面进行优化。实验结果表明,算法继承了磨损均衡控制水平较高的优点,磨损均衡过程相比双池算法降低70%,系统资源利用率降低40%,NAND Flash使用寿命提高了30%。(本文来源于《计算机应用与软件》期刊2019年06期）
唐昊,韩东洪[4]（2019）在《非易失性存储器缺点及优化角度》一文中研究指出本文首先了非易失性存储器发展的背景,然后介绍了非易失性存储器的缺点,接着阐述对非易失性存储器可行的优化角度,最后分析了优化非易失性存储器的现实意义。(本文来源于《计算机产品与流通》期刊2019年06期）
王微[5]（2019）在《钙钛矿CH_3NH_3PbI_3阻变存储器的可靠性优化及多功能化研究》一文中研究指出近年来,由于云计算、物联网等新技术的兴起,以及手机,电脑,数码相机等电子产品的不断普及,大数据对高密度信息存储技术提出了更高的要求。存储器是计算机等电子设备的重要组成部分,它能够存储程序以及数据。传统的非易失性基于浮栅结构的闪存存储技术随着集成电路32nm技术节点的到来以及摩尔定律的限制,已经达到技术上的瓶颈,无法满足大数据存储的要求。发展新型的高密度的非易失性存储器件势在必行。阻变存储器(RRAM)作为下一代具有广阔前景的非易失性存储器之一,具有存储密度高,转变速度快,功耗低,可与CMOS兼容等特点,已经受到了研究者们的广泛关注。阻变存储器的结构一般为电极/阻变层/电极,其阻变来源于阻变层中离子迁移诱导的导电通道通断,因此阻变层材料的选择对阻变存储器件性能的影响是尤为重要的。有机-无机杂化钙钛矿材料由于其本身具有制备方法简单,高的载流子迁移率,带隙可调,优异的光吸收特性等特点,已经在太阳能电池等多种光电器件中得以研究。近年来,以CH_3NH_3PbI_3为代表的钙钛矿材料被证明具有离子-电子双重导电特性,在RRAM中展现出应用潜力。本论文利用CH_3NH_3PbI_3构筑RRAM器件,针对器件可靠性提升及多功能化开展了如下两方面研究工作:1.可靠性能的优化:针对CH_3NH_3PbI_3材料在空气中容易分解,以及器件导电通道随机形成而造成的阻变波动性大的问题,我们发展了一种在Ag电极和CH_3NH_3PbI_3薄膜之间插入银铟锑碲(AgInSbTe)作为缓冲层的方法。一方面,AgInSbTe能够保护CH_3NH_3PbI_3层免受空气中氧气和水分影响,延长器件服役时间;另一方面,AgInSbTe作为Ag快离子导体,能够控制Ag离子向CH_3NH_3PbI_3层注入,控制导电通道通断位置,提升器件阻变均一性。2.多功能的拓展:插入AgInSbTe后能够对导电通道通断位置进行有效控制,为器件的叁态多级存储应用提供了可能。利用CH_3NH_3PbI_3遇水分解特点,构筑了可用于信息安全存储的瞬时溶解器件,最后将阻变层制备在柔性ITO衬底上,器件在弯折状态下仍保持较好的阻变特性,证明器件具有很好的柔性,为未来CH_3NH_3PbI_3柔性电子器件发展提供了可能。(本文来源于《东北师范大学》期刊2019-05-01）
闫禹[6]（2019）在《TaO_x基阻变存储器性能及低功耗特性优化》一文中研究指出大数据、区块链等新兴产业对数据存储的需求主要为非挥发性存储器(Non-volatile Memory),目前市场主流以闪存(Flash)和硬盘(Hard Disk)为主。但前者由于逼近工艺极限而难以尺寸缩小,后者因速度过慢不适应市场需求,所以新型非挥发性存储器的开发需求日益增加。阻变存储器由于其高集成密度(4F~2)、快读写速度(纳秒级)、低功耗及易与CMOS工艺相兼容等优点成为下一代存储器的有力竞争者。同时,由于柔性消费电子产品市场的逐渐兴起,电池技术没有突破性进展的情况下,快速脉冲操作下的阻变存储器的低功耗性能被学界和工业界极度重视。但阻变存储器在应用中存在着稳定性不佳及低功耗实现困难等问题,因此,本论文主要通过研究TaO_x为基础的离子型阻变结构单元,对器件的稳定性及低功耗特性进行集中优化。首先,本文将Ta/TaO_x/Pt结构的中间层工艺进行了优化,得到了耐久性较好的阻变层工艺;其次,对Ta/TaO_x/Pt的上电极材料进行了更换,得到了高低阻值一致性较好的Hf/TaO_x/Pt器件,并建立了模型,简要解释了该器件一致性提升机理;而后,对电极工程中更换Al电极得到的低功耗器件的耐久性进行了集中优化,耐久性从不足百次提升至2700余次;最后,在Ta/TaO_x/Pt器件的上界面插入纳米Al插层,在保持器件仍然具备较低功耗的同时,将耐久性提升至万余次。通过一系列的实验及表征,文章得到并研究了低功耗、高可靠性的阻变存储器实现方法及机理。最终得到的器件电流控制在10uA级别,P_(SET)及P_(RESET)小于20μW,P_(READ)控制在5μW,Endurance性能达到2700。插层器件在较低功耗下实现了10~5次循环。(本文来源于《天津理工大学》期刊2019-03-01）
艾青[7]（2019）在《嵌入式系统中基于非易失性存储器的数据分布优化研究》一文中研究指出传统的嵌入式系统存储体系架构主要面临两方面问题:第一,作为内存的DRAM存在能耗与扩展性的缺陷;第二,基于SRAM的SPM被广泛用于替代硬件控制的缓存,但SRAM存在面积大、泄露功耗高的缺陷。新型NVM因具备超低静态功耗、较高的存储密度等优势,不仅能够显着降低引入大量DRAM内存产生的静态功耗,同时有望填补缓存、内存与外存不断扩大的性能鸿沟。但NVM存在读写不对称、MLC与SLC性能互补的问题,并且程序极不均衡的访问模式将进一步加剧上述问题。为此,本文将深入探索嵌入式程序的读写访问特征,立足于基于DRAM/NVM混合内存、SLC/MLC混合SPM的新型存储架构,着力于异构存储介质中数据如何分配的关键问题,旨在充分利用NVM的性能优势的同时避免其缺陷,以满足嵌入式系统在性能、能耗等方面的诉求。主要包括:1.嵌入式系统中基于DRAM/NVM混合内存,本文提出了一种实时保证的数据分配策略。本文利用编译器与条件分支概率对嵌入式程序进行分析;然后,综合考虑每个数据的写特质,统一不同数据与异构存储介质的布局,将写频繁的数据存放于写开销低的DRAM,将读频繁的数据存放于密度高的NVM,保证嵌入式程序实时性的前提下,使其数据访问能耗最小。2.嵌入式系统中基于NVM SLC/MLC混合SPM,本文提出了一种动态的数据分配策略。考虑NVM SLC/MLC在访问性能与存储密度上的互补优势,本文结合SLC/MLC可动态切换的特性,考虑新型架构中存储位置、异构存储开销、存储大小等约束条件,将问题构建为线性规划模型,并以此构建近似最优算法,优化SLC/MLC混合SPM的数据访问开销。最后,本文分别构建了DRAM/NVM混合内存和NVM SLC/MLC混合SPM的实验模拟平台,实验结果表明本文提出的技术能有效地提升系统性能,减少系统能耗,并且显着缩短数据访问延迟。本文利用嵌入式系统程序的特性,开展了基于新型NVM的数据分配策略研究,以突破嵌入式存储体系的瓶颈,促进嵌入式设备在物联网、大数据等领域的应用及发展。(本文来源于《重庆邮电大学》期刊2019-02-02）
余杰[8]（2019）在《基于氧化钽阻变存储器可靠性优化研究》一文中研究指出21世纪存储技术的主要发展特点是:超大容量、超高密度的信息存储以及超快信息传输速度。随着工艺节点的不断降低,占据主要市场的Flash存储器面临着量子隧穿和电容耦合等问题。新型存储技术成为了存储器领域的研究热点,有望取代浮栅结构存储技术。其中,以电阻转变效应的阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。阻变存储器具有结构简单,功耗低,与CMOS工艺兼容,集成密度高等优势,国际半导体技术路线图(ITRS)指出,“阻变存储器是一类最具商业化前景而值得加大研发力量投入的新型存储技术之一”。然而,阻变存储器在获得大规模量产之前,尚有若干关键性技术性的问题亟待解决,如:电阻转变机制不明确,缺乏普适性的器件模型,阻变器件均一性差,器件可靠性有待提高;适合集成的自选通阻变器件的缺失等。针对上述问题,本文从阻变存储器可靠性出发,从导电细丝生长动力学,器件工艺表征以及器件编程能量优化工作方面开展了研究,取得了以下对可靠性优化的成果:(1)双层结构已被广泛采用以提高导电桥电阻随机存储器(CBRAM)的可靠性。在这项工作中,我们提出了一种方便和经济的解决方案,通过使用低温退火工艺实现Ta_2O_5/TaO_x双层结构。在该结构中TaO_x层充当串联电阻的作用,在编程期间抑制溢出电流,从而实现自限流,抑制过冲现象。实验结果表明,由于抑制了过冲现象,高阻态和低阻态的电阻分布得到改善。此外,由于阻变层中缺陷在退火过程中得到了修复,CBRAM的LRS的保持特性明显提高。这项工作不仅提供了一种简单而经济的方法来提高CBRAM的可靠性,而且使用的材料完全兼容CMOS工艺。(2)器件使用不同的脉冲操作方式对提高阻变存储器可靠性有很大的影响。本项工作中,我们提出了一种脉冲编程方案改善了 TaO_y/Ta_2O_5/TaO_x叁层结构的耐久性和高低阻态的均一性。首先使用了TEM,EDS元素分析对器件进行表征,验证了器件的结构。根据器件耐久性的失效行为,分析了器件的失效的的物理机制是复位操作时能量过高,导致细丝与电极之间的间隙逐渐增大,从而致使器件失效。使用低能量的优化脉冲方案后,器件的耐久性得到改善,同时,器件的高低阻态的稳定性增强。本工作不仅对器件可靠性做了改进,而且完全兼容在硬件电路系统上基本脉冲发送电路的设计,可间接性降低外围电路系统设计成本。本文的工作旨在为RRAM产业化做了工作铺垫,基于以上器件设计及脉冲下操作实验,确定了RRAM器件演变方向。从工艺角度和脉冲算法的角度对器件进行优化和改进,确保合适的编程脉冲从而保证RRAM存储器存储信息的真正能力。(本文来源于《安徽大学》期刊2019-02-01）
台路[9]（2019）在《基于28nm逻辑工艺的阻变存储器工艺优化及可靠性研究》一文中研究指出近年来,随着集成电路技术的快速发展,非易失存储器的应用场景和需求市场都飞速的扩大,科研领域中新型非易失存储器的研究也得到了快速的发展。其中主要因素是目前主导非易失存储器市场二十多年的基于电荷存储的闪存虽然有很多优点,但是在新的应用场景和应用需求下任然有如下的缺点。例如耐久性差(<106个周期)、编程速度慢(>10 μs)和高工作电压(>10 V)。并且在微缩性越来越重要下降也越来越快的今天基于电荷存储的闪存也会很快的到达其物理微缩的极限。新型非易失存储器在此因素下得到了市场广泛的关注。其中电阻转换存储概念的阻变存储器(RRAM)相比较于电荷存储的闪存有着微缩化的潜力,同时又结构简单、数据保持特性好、读写速度快,又可应用于神经计算的多值存储,工艺上兼容于当前传统互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,是新型非易失存储器中的热门研究方向之一近些年来,随着工艺节点的进一步微缩,在新一代非易失存储器中阻变存储器得到了快速的发展。但是在把完整的产品推给客户之前任然需要提升阻变存储器的可靠性以适应市场对其的要求。比如:器件的耐受性,保持特性和短时效问题等。本文先是在现有实验环境进行部分探索性实验再在基于28 nm先进的工艺节点上探索可以与标准CMOS平台兼容的非挥发存储器,是新型非挥发存储器在产业化之路上的突破。创新的有以下两点:(1)利用实验室实验平台对1Mb存储器氧化工艺进行先期摸索,使用含N20等离子氧气氧化Ta制备TaON为阻变层的RRAM,使其forming电压降至2V以内。并提出与CMOS工艺兼容的氧化方式,先对W栓进行氧化,制备WOx/W的下电极。改善器件在循环之间以及器件之间的波动性以及读取过程的波动性。提高器件参数的均一性。(2)利用1Mb阻变存储器阵列对RRAM阵列可靠性进行了研究工作,提出高温预处理方案,该方案降低器件的forming电压值变小,且阻值分布更加均一,在高温预处理下,结合模特卡洛仿真分析出高温预处理改善拖尾效应。使得存储阵列高温预处理后的低阻值拖尾效应明显改善。并分析高温预处理后的常温reset后的高阻和常温forming常温reset的高阻之间的影响,使用高温预处理后常温reset的高阻的拖尾现象明显减少。因此高温预处理使存储阵列的保持特性有明显提升。(本文来源于《安徽大学》期刊2019-02-01）
薛镭[10]（2018）在《基于NAND Flash存储器的页映射Chiang算法优化》一文中研究指出Chiang算法将逻辑地址映射到(物理块号,物理页号),可以通过映射表直接找到对应的物理页。这种方法映射速度很快,空间利用率很高,同时也支持页的随机读写,但映射表的体积过大,需要消耗大量的系统资源。论文提出了一种基于伙伴系统算法的方式用于优化地址映射表,映射速度快、空间用率高,同时降低系统资源利用率和无效页的回收频率。(本文来源于《舰船电子工程》期刊2018年12期）
存储器优化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
现场可编程门阵列(FPGA)在计算机视觉应用领域有着广阔的前景,然而FPGA有限的片上存储器资源难以满足应用场景下性能、尺寸和功率的需求。针对这个问题,研究片上存储器的资源分配,在最小化片上资源使用和整体功耗的前提下提出一种易于实现的分区平衡算法。实验结果表明,与商用FPGA高级综合工具相比,本文算法的利用率提高达60%,且动态功耗降低了约70%。在高级算法MeanShift跟踪的实验中,实验结果显示,分区算法可以在不影响关键性能的前提下降低总功耗高达30%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
存储器优化论文参考文献
[1].周益春.Hf0.5Zr0.5O2基FeFET存储器的制备及性能优化[C].第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集.2019
[2].陈凯峰,梁鉴如.用于图像处理的FPGA存储器优化分配[J].计算机工程与科学.2019
[3].薛镭.基于NANDFlash存储器的磨损均衡DP算法优化[J].计算机应用与软件.2019
[4].唐昊,韩东洪.非易失性存储器缺点及优化角度[J].计算机产品与流通.2019
[5].王微.钙钛矿CH_3NH_3PbI_3阻变存储器的可靠性优化及多功能化研究[D].东北师范大学.2019
[6].闫禹.TaO_x基阻变存储器性能及低功耗特性优化[D].天津理工大学.2019
[7].艾青.嵌入式系统中基于非易失性存储器的数据分布优化研究[D].重庆邮电大学.2019
[8].余杰.基于氧化钽阻变存储器可靠性优化研究[D].安徽大学.2019
[9].台路.基于28nm逻辑工艺的阻变存储器工艺优化及可靠性研究[D].安徽大学.2019
[10].薛镭.基于NANDFlash存储器的页映射Chiang算法优化[J].舰船电子工程.2018
标签：存储器; 存储窗口; FeFET; Hf0.5Zr0.5O2;