中频磁场论文-何云鹏,毕诗博,张家乐,孙飞,王磊

中频磁场论文-何云鹏,毕诗博,张家乐,孙飞,王磊

导读:本文包含了中频磁场论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:中频溅射,靶材利用率,作用机理研究

中频磁场论文文献综述

何云鹏,毕诗博,张家乐,孙飞,王磊[1](2019)在《磁场对中频溅射阴极刻蚀作用机理研究》一文中研究指出军事、医学和航空航天等诸多领域对光学薄膜的需求与日俱增,而光学薄膜大多为氧化膜,中频磁控技术是制备氧化物光学薄膜的主要方法。中频溅射阴极作为核心部件,其刻蚀状态对膜层质量具有至关重要的作用。靶材的刻蚀与很多因素有关,包括真空室气体压力、温度及靶功率等。研究表明,磁场是控制靶材刻蚀的关键因素,直接关系到靶材利用率和沉积薄膜的特性。本文利用可移动式磁铁结构研究磁场对中频溅射阴极的影响机制。首先对靶材表面的磁场分布进行了仿真,然后利用高斯计对靶材表面的磁场分布进行了测量,最后对靶材的刻蚀剖面进行了表征,与仿真结果进行了比较研究。在本实验中,特别设计了可移动圆柱形磁铁结构,通过改变其位置控制弯道的刻蚀行为。研究发现:圆柱磁铁的运动控制靶面弯道处(距离靶材边缘15 mm-25 mm)的磁场,靶材表面其他位置的磁场基本不发生变化。进一步研究发现:在垂直磁场分量为零的地方,靶材刻蚀最深,该位置等离子体密度最大。此外,对靶材表面水平磁场进行分析,结合刻蚀形貌,发现水平磁场影响靶材刻蚀跑道的深度和宽度,水平磁场越大,刻蚀越剧烈,刻蚀宽度相应减小。垂直磁场和水平磁场均对靶材刻蚀有一定作用,本文提出靶材刻蚀角(空间磁场与靶面的夹角)作为衡量刻蚀情况的预测性指标。由于刻蚀弯道处磁场受圆柱磁铁的影响,因此通过仿真可以预测靶材的刻蚀位置。本文的研究结果可为阴极结构设计和提高靶材利用率的镀膜工艺开发提供参考。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15)

栗辉,蒋原,李擎,武建文,罗晓武[2](2019)在《中频真空开关纵向磁场特性分析:实验仿真平台设计》一文中研究指出本文研究了400~800Hz条件下纵磁真空灭弧室内的磁场特性。首先根据麦克斯韦方程组和磁场的合成矢量关系,分析了纵向磁场的变化滞后于电流和频率增加时涡流效应更明显的原因,然后利用ANSYS MAXWELL求解了叁维瞬态纵向磁场分布。由计算结果可知:在电流变化的过程中,中心区域磁场的变化明显滞后于其他区域。电流峰值时在触头片开槽交错放置的位置有磁场峰值区域,电流过零时中心区域有明显剩磁。当频率增加时,涡流效应更明显,使纵向磁场的磁感应强度值减弱。对中心点,频率提高导致过零时剩磁增加,磁场滞后相位更明显,影响电弧扩散。增加触头片开槽数可以减弱涡流效应,而增加触头杯座槽旋转角,触头中间平面磁感应强度的最大值近似线性增加。并通过实验验证了磁场滞后对真空灭弧室的开断能力的影响。(本文来源于《真空电子技术》期刊2019年05期)

林方家,李骜,刘文博,石亚军,费舟[3](2018)在《中频交变磁场对大鼠F98胶质瘤细胞的体外生物效应》一文中研究指出目的:观察中频交变磁场对大鼠F98胶质瘤细胞增殖能力的影响,初步探讨中频交变磁场抑制肿瘤细胞增殖的生物学机制。方法:体外培养大鼠F98胶质瘤细胞,使其暴露于场强为5 m T的恒定磁场中,并分别加载频率为0、50、100、200、300、400、500、600、700 KHz的不同磁场。磁场暴露24至72小时后,采用MTT法检测细胞增殖、计算抑制率并筛选出抑制胶质瘤细胞生长的最佳磁场频率,应用染色技术和流式细胞术对细胞形态、细胞凋亡、细胞周期进行验证。结果:MTT检测数据表明,100、200、300KHz组细胞增殖抑制率明显高于其他组(P<0.05),并且200 KHz组细胞增殖抑制最为显着,抑制率为17%;HE染色显示磁场干预后细胞生长欠佳;Hoechst染色显示细胞核染色质浓缩聚集、核碎裂、核边集,表现出细胞凋亡的典型变化。流式细胞术显示:200 KHz组细胞凋亡率高于对照组(P<0.05);各组细胞周期无显着差异。结论:200 KHz的中频交变磁场有抑制大鼠F98胶质瘤细胞增殖的作用,促使肿瘤细胞凋亡,但其具体机制仍待继续研究。(本文来源于《现代生物医学进展》期刊2018年13期)

林方家[4](2018)在《中频交变磁场对胶质瘤细胞的生物学效应及作用机制研究》一文中研究指出[背景]胶质瘤是中枢神经系统最常见的恶性肿瘤,临床上主要以手术治疗为主,并辅助放射治疗和化学治疗。然而令人遗憾的是,对于高级别胶质瘤,手术难以完全切除肿瘤组织,术后极易复发,预后差。此外,脑功能区肿瘤及多次术后复发的胶质瘤不满足手术适应证,即使辅助放、化疗等综合治疗措施,仍然预后差、生存期短、并发症多,严重影响病人生存质量。在传统治疗的基础上,学者们一直致力于寻求副作用更小、适用性更广的治疗手段。随着科学技术的飞速发展,跨学科合作、跨领域联合研究变得更加广泛和深入,物理学与医学的交叉发展极大地推动了物理学手段联合生物学手段在医学领域的应用。尤其在利用磁场治疗恶性肿瘤研究领域,国内外研究人员已经取得一些研究进展。研究显示特定参数的磁场有抑制肿瘤细胞增殖的作用,同时磁场还可以增强化疗药物杀灭肿瘤细胞的敏感性,协同化疗药抑制肿瘤生长~([1-3])。但是由于磁场参数的复杂性、多维度性及作用方式的多样性,目前尚未能明确可抑制肿瘤生长和便于临床应用的合适磁场参数,对其抑制肿瘤细胞增殖的作用机制未能取得关键性突破。本课题针对交变磁场对胶质瘤细胞生长影响展开研究,希望为寻找和筛选抑制胶质瘤细胞增殖的适宜磁场参数奠定工作基础。[目的和方法]本实验拟通过检测交变磁场(由频率和强度等参数复合分组)暴露处理的胶质瘤细胞和对照组细胞在细胞增殖、凋亡、克隆球形成、迁移能力等生物学方面的差异,寻找和筛选出抑制胶质瘤细胞增殖的适宜磁场参数;通过流式细胞术、Hoechst染色、Annexin V-FITC和PI双标染色等方法定性和定量研究胶质瘤细胞凋亡情况;利用蛋白印迹法检测磁场暴露处理的胶质瘤细胞凋亡相关蛋白表达情况;利用流式细胞术检测交变磁场对胶质瘤细胞周期的影响;利用荷瘤动物模型研究交变磁场对荷瘤动物生存期及肿瘤生长的影响。[结果]细胞增殖实验(MTT法检测)、克隆球形成实验证实磁场强度5mT、10mT,频率为100KHz、200KHz、300KHz组交变磁场抑制胶质瘤细胞增殖;HE染色形态学观察发现磁场强度5mT、10mT,频率为100KHz、200KHz、300KHz组交变磁场暴露处理的胶质瘤细胞生长状态较对照组差,细胞密度减少,贴壁性差,漂浮细胞多;磁场强度为5mT、10mT,磁场频率为100KHz、200KHz、300KHz组交变磁场暴露处理的胶质瘤细胞与对照组相比凋亡率升高;经Hoechst染色、Annexin V-FITC和PI双标染色涂片等方法检测,磁场强度为5mT、10mT,磁场频率为100KHz、200KHz、300KHz组交变磁场暴露的胶质瘤细胞,部分细胞形态改变,如出现核边集、核碎裂等,表现出细胞凋亡的典型改变;蛋白印迹法证实强度为10mT,频率为200KHz组交变磁场暴露后,胶质瘤细胞凋亡相关蛋白Bax/Bcl-2、Caspase 1、Caspase 3、Cleaved Caspase 3表达增加;此外,各磁场强度和频率的交变磁场暴露对胶质瘤细胞的迁移能力无显着影响;各磁场强度和频率的交变磁场暴露对胶质瘤细胞周期无显着影响;强度为10mT,频率为200KHz组交变磁场暴露对荷瘤大鼠的生存时间无显着影响,对肿瘤体积和体积百分比无显着影响。[结论]强度为5 mT、频率为200KHz,强度为10mT、频率为200KHz的交变磁场可抑制大鼠胶质瘤F98细胞的增殖,诱导细胞凋亡。(本文来源于《中国人民解放军空军军医大学》期刊2018-05-01)

李杨[5](2016)在《结合中频交变磁场提高氧化铁纳米颗粒磁学性能的研究》一文中研究指出磁性氧化铁纳米颗粒因具有超顺滋性和较好的生物相容性,在生物医学领域中已获得了广泛的应用。如何大规模制备可临床使用的磁性纳米颗粒成为了一个关键问题,我们基于磁性氧化铁纳米颗粒在交变磁场中可以产热的特点,提出了通过交变磁场辅助共沉淀法制备氧化铁纳米颗粒,使其具有更好的磁学性质。本论文主要研究内容包括如下叁点:1.以已上市的FerahemeTM (ferumoxytol)纳米药物的制备方法作为参考对象。实验证明,相比于标准方法合成的ferumoxytol,交变磁场辅助制备的氧化铁纳米颗粒具有更窄的粒径分布、更好的单分散性以及更优的磁学性能。MTT及巨噬细胞吞噬实验证明,交变磁场辅助制备的氧化铁纳米颗粒具有和ferumoxytol同样好的生物相容性,也可用于临床生物医学应用;2.针对磁性氧化铁纳米颗粒作为载药系统应用的需求,本论文在前述制备水动力尺寸为30nm的单分散性磁性纳米颗粒基础上,进一步利用交变磁场辅助共沉淀法制备了具有较大粒径的磁性纳米颗粒团簇,并与普通共沉淀法合成的同样大小的氧化铁纳米颗粒团簇进行比较,发现交变磁场辅助制备的氧化铁纳米颗粒团簇具有更高的饱和磁化强度以及更好的磁热性能;3.进一步针对磁性组织工程支架的临床应用需求,我们将交变磁场辅助合成的纳米颗粒团簇与水凝胶进行复合,利用旋转磁场组装制备了具有特定叁维结构的磁性复合水凝胶。并初步研究了氧化铁纳米颗粒叁维组装结构的调控,并在此基础上对磁性复合水凝胶的磁学性质及磁热性能进行了初步探究。(本文来源于《东南大学》期刊2016-08-30)

孙兴龙,许长军,胡小东,赵红阳,李静[6](2016)在《中频磁场作用下矩形冒口内部钢液磁场分布的模拟研究》一文中研究指出通过数值模拟的方法对中频磁场作用下矩形冒口内部钢液的磁场分布规律进行测定,探究了电源频率,感应电流及线圈作用位置对其内部磁场分布的影响。模拟结果表明:钢液内部磁感应强度沿Z向呈"两边小,中间大"分布趋势,磁感应强度峰值出现在中心偏上位置,拐角C处磁感应强度值最大,窄边中心D和宽边中心B次之,钢液中心A位置的磁感应强度值最小;随电源频率的增加,钢液中心位置的磁感应强度峰值不断减小,且频率越高磁感应强度衰减的越严重,但磁场均匀性却不断得到提升;随感应电流的增加,钢液中心位置的磁感应强度峰值几乎呈线性增加,但整体磁感应强度均匀性却在不断降低;随感应线圈位置的上移,钢液中心位置的磁感应强度峰值也随之上移,但其值却略有减少。(本文来源于《铸造技术》期刊2016年04期)

蒋原,武建文,唐伟[7](2015)在《中频电流开断实验的外施纵向磁场励磁系统》一文中研究指出设计一种应用于中频真空电弧实验的外施纵向磁场励磁系统。该系统由中频电流互感器感应主回路电流,产生二次电流为亥姆霍兹线圈励磁,从而在线圈轴线中心处产生与主电流同相位的纵向磁场,模拟纵向磁场线圈触头产生的磁场,且磁场通过变比可调。首先从理论出发,建立亥姆霍兹线圈轴线中心处磁感应强度与二次电流的关系,详细介绍系统重要参数的设计过程。其次针对电流互感器铁心磁导率高且漏感小的特点,简化其等效电路,并经计算证明实验电流为最大时电流互感器的铁心未饱和,一次电流与二次电流的相位差满足设计要求。最后对励磁系统性能进行测试实验,在交流实验中,假设了回路电流的数学模型并根据实验数据求解磁感应强度,B/I值计算结果与理论值一致,验证了设计方法的有效性和实用性。(本文来源于《电工技术学报》期刊2015年09期)

蒋原,武建文[8](2015)在《纵向磁场中触头材料和直径对中频真空电弧特性的影响》一文中研究指出利用振荡回路在杯状纵磁灭弧室中产生频率400 Hz的中频真空电弧,在开距为3mm的条件下,选取触头材料为纯Cu、Cu-W-WC合金和Cu Cr50合金,直径为41 mm和58 mm的灭弧室进行不同电流等级的实验,对比分析电弧电压和电弧形态的变化。实验结果表明:中频真空电弧的特性和真空灭弧室的开断性能,与触头材料和直径有密切的关系;对直径相同的触头,Cu Cr50合金触头的开断能力强于纯Cu和Cu-W-WC合金;随着触头直径的增大,电弧电压减小,电弧扩散均匀且更稳定,灭弧室的开断能力更强。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2015年20期)

黎杰[9](2013)在《基于波形数据采样的中频磁场测量系统研究》一文中研究指出随着交变磁场广泛应用,磁场测量有了很大发展,磁场测量技术已经广泛应用于地球物理、空间技术、军事工程、工业、生物学、医学、考古学等许多领域。目前市场上已经有了很多关于磁场测量的仪器和产品,基于磁场传感器的约束,大多数产品测量都是测量较大空间区域中心点的平均值,存在分辨率低、测量范围大、不能实现连续测量和显示空间点磁场测量等问题。本课题来源于国家自然基金项目“交变磁场中金属离子诱导肿瘤热疗新方法的研究”项目的后续研究。本文以波形数据采样为核心,以单片ARM微处理器和FIFO存储器完成数据处理和磁场强度的测量,解决了因整流滤波带来的非线性误差、反应不够灵敏等问题;通过信号重构理论,对采集到的波形数据进行信号波形重构显示,在时域上直观、形象地反映了被测点磁场的变化特性。本文首先阐述了课题的研究背景和意义,综述了交变磁场测量的国内外研究现状;讨论了目前交变磁场的测量方法,确定了系统测量的理论依据;分析了基于整理滤波原理的中频磁场测量装置存在的问题,为克服整流滤波带来的非线性误差,提出了基于波形数据采集的中频磁场测量系统的设计方案;详细叙述了系统的信号调理模块、数据采集模块、电源模块、频率检测整形电路、USB设备接口电路等硬件电路设计和软件实现流程以及信号重构理论与波形显示算法;最后对系统进行了相关测试,分析了系统的测量精度与波形显示以及存在的问题和改进方法。本文所研究的系统采用基于ARM(?) CortexTM-M3内核的微控制器LM3S1958,引入μC/OS-II嵌入式实时操作系统,根据系统硬件电路模块创建不同的用户任务,由μC/OS-II来完成系统各个任务的调度,充分利用LM3S1958的片上资源。μC/OS-II的抢占式任务调度策略,保证了任务的实时性。实验表明,基于波形数据采集的中频磁场测量系统具有很好的测量精度和测量一致性,系统稳定性好,波形显示采用软件同步触发,在波形显示无明显失真,实时性强,满足中频磁场测量要求。(本文来源于《广东工业大学》期刊2013-05-01)

郑培良[10](2012)在《中频矩形结晶器内部磁场分布的实验研究》一文中研究指出钢的凝固往往发生在结晶器或铸模内,为实现凝固可控这一目的,经常在钢的凝固过程中引入电磁场,然而结晶器多为铜质,其透磁问题成为实现电磁控制凝固过程的瓶颈。为解决此问题,多在结晶器铜板上开不同形式的切缝,或引入硅钢片磁轭,然而改变结晶器和感应器结构以后,其内部磁场分布也随之发生变化。因此,有必要研究中频感应结晶器内部磁场分布规律,目的在于为感应器优化设计以及结晶器结构参数的优化设计提供一定的理论依据。电磁场控制凝固过程中,感应线圈产生的磁场是在液态金属内部产生的感应热和电磁力的根本原因。本实验采用铝质结晶器代替铜质结晶器对其内部磁场进行测量。实验时改变电源的功率频率以及感应器和结晶器的结构,应用数字特斯拉仪对各个实验条件之下结晶器内部的磁感应强度进行了测量,试验获得如下结果:(1)矩形感应器内部磁场分布不均匀,矩形感应器夹角处磁感应强度最大,中心轴线处最小,实验条件下夹角处磁感应强度比中心轴线处大多达10倍;两处磁感应强度分布规律也不相同。(2)电源功率增大,结晶器内部磁场增强,功率由80W增为240W时,测试点位(6,3,250)处磁感应强度由3.93mT增大为6.17mT,增大了约50%。(3)电源频率增大,结晶器内部磁场减弱。(4)硅钢片所制的磁轭可以增加结晶器内部磁感应强度,实验条件下置磁轭后测试点位(6,0,150)处磁感应强度由9.72mT增加为10.64mT,增大了约10%。(5)结晶器对磁场具有明显的屏蔽作用,通过对结晶器开缝的方法可以改善其内部磁感应强度,开缝宽度对结晶器内部磁感应强度影响不明显,增加开缝长度和开缝条数利于磁场的透入。通过如上实验结果可以得出以下结论:通过给感应器合理布置磁轭,可以使结晶器内部磁感应强度加强,并使得周向磁场分布均匀;为了获得更大的磁透率,保证结晶器刚度的前提下应该给结晶器开长缝,多开缝。(本文来源于《辽宁科技大学》期刊2012-12-17)

中频磁场论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文研究了400~800Hz条件下纵磁真空灭弧室内的磁场特性。首先根据麦克斯韦方程组和磁场的合成矢量关系,分析了纵向磁场的变化滞后于电流和频率增加时涡流效应更明显的原因,然后利用ANSYS MAXWELL求解了叁维瞬态纵向磁场分布。由计算结果可知:在电流变化的过程中,中心区域磁场的变化明显滞后于其他区域。电流峰值时在触头片开槽交错放置的位置有磁场峰值区域,电流过零时中心区域有明显剩磁。当频率增加时,涡流效应更明显,使纵向磁场的磁感应强度值减弱。对中心点,频率提高导致过零时剩磁增加,磁场滞后相位更明显,影响电弧扩散。增加触头片开槽数可以减弱涡流效应,而增加触头杯座槽旋转角,触头中间平面磁感应强度的最大值近似线性增加。并通过实验验证了磁场滞后对真空灭弧室的开断能力的影响。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

中频磁场论文参考文献

[1].何云鹏,毕诗博,张家乐,孙飞,王磊.磁场对中频溅射阴极刻蚀作用机理研究[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019

[2].栗辉,蒋原,李擎,武建文,罗晓武.中频真空开关纵向磁场特性分析:实验仿真平台设计[J].真空电子技术.2019

[3].林方家,李骜,刘文博,石亚军,费舟.中频交变磁场对大鼠F98胶质瘤细胞的体外生物效应[J].现代生物医学进展.2018

[4].林方家.中频交变磁场对胶质瘤细胞的生物学效应及作用机制研究[D].中国人民解放军空军军医大学.2018

[5].李杨.结合中频交变磁场提高氧化铁纳米颗粒磁学性能的研究[D].东南大学.2016

[6].孙兴龙,许长军,胡小东,赵红阳,李静.中频磁场作用下矩形冒口内部钢液磁场分布的模拟研究[J].铸造技术.2016

[7].蒋原,武建文,唐伟.中频电流开断实验的外施纵向磁场励磁系统[J].电工技术学报.2015

[8].蒋原,武建文.纵向磁场中触头材料和直径对中频真空电弧特性的影响[J].中国电机工程学报.2015

[9].黎杰.基于波形数据采样的中频磁场测量系统研究[D].广东工业大学.2013

[10].郑培良.中频矩形结晶器内部磁场分布的实验研究[D].辽宁科技大学.2012

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