本文主要研究内容
作者龚凯,周海,黄传锦,韦嘉辉,王晨宇（2019）在《新型研磨垫对单晶氧化镓研磨的实验研究》一文中研究指出：为抑制氧化镓晶片在研磨过程中的解理现象,通过NAKAMURA的方法,重新设计、研制一种黏弹性固着磨料新型研磨垫对氧化镓晶片进行研磨实验研究,对比分析其与传统铸铁研磨盘对单晶氧化镓研磨的材料去除率和表面质量的影响规律,结果表明:在同一研磨参数下,采用铸铁盘研磨时,晶片材料去除率较高,为358 nm/min,研磨后晶片表面粗糙度Ra由初始的269 nm降低到117 nm,降幅仅为56. 5%;而采用新型研磨垫研磨时,其材料去除率虽较低,为263nm/min,但研磨后晶片表面粗糙度Ra却降低至58 nm,降幅达到78. 4%,晶片表面质量得到明显提高,为后续氧化镓晶片的抛光奠定了良好的基础,因而新型研磨垫更适合对氧化镓进行研磨。同时,也为氧化镓晶片研磨提供了参考依据。
Abstract
wei yi zhi yang hua jia jing pian zai yan mo guo cheng zhong de jie li xian xiang ,tong guo NAKAMURAde fang fa ,chong xin she ji 、yan zhi yi chong nian dan xing gu zhao mo liao xin xing yan mo dian dui yang hua jia jing pian jin hang yan mo shi yan yan jiu ,dui bi fen xi ji yu chuan tong zhu tie yan mo pan dui chan jing yang hua jia yan mo de cai liao qu chu lv he biao mian zhi liang de ying xiang gui lv ,jie guo biao ming :zai tong yi yan mo can shu xia ,cai yong zhu tie pan yan mo shi ,jing pian cai liao qu chu lv jiao gao ,wei 358 nm/min,yan mo hou jing pian biao mian cu cao du Rayou chu shi de 269 nmjiang di dao 117 nm,jiang fu jin wei 56. 5%;er cai yong xin xing yan mo dian yan mo shi ,ji cai liao qu chu lv sui jiao di ,wei 263nm/min,dan yan mo hou jing pian biao mian cu cao du Raque jiang di zhi 58 nm,jiang fu da dao 78. 4%,jing pian biao mian zhi liang de dao ming xian di gao ,wei hou xu yang hua jia jing pian de pao guang dian ding le liang hao de ji chu ,yin er xin xing yan mo dian geng kuo ge dui yang hua jia jin hang yan mo 。tong shi ,ye wei yang hua jia jing pian yan mo di gong le can kao yi ju 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自现代制造工程的龚凯,周海,黄传锦,韦嘉辉,王晨宇，发表于刊物现代制造工程2019年05期论文，是一篇关于研磨垫论文,单晶氧化镓论文,研磨论文,材料去除率论文,表面质量论文,现代制造工程2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自现代制造工程2019年05期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。