本文主要研究内容
作者胡浩威,井津域,李钦,宋忠孝（2019）在《SiN_X覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究》一文中研究指出：采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200 nm的非晶In-Ga-Zn-O（IGZO）薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20 nm、50 nm、60 nm、70 nm、90 nm的SiNX薄膜覆盖层,于350℃条件下N2气氛中退火1 h。采用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、能量色散谱仪（EDS）对IGZO薄膜的微观结构及成分进行研究。研究结果表明,退火后无覆盖层的IGZO膜层仍为非晶状态,70 nm以上SiNX覆盖层下的IGZO薄膜不发生晶化。与此不同,20～60 nm的SiNX覆盖层下IGZO膜层与SiNX覆盖层的界面处存在纳米凸起柱,使IGZO薄膜与SiNX覆盖层的接触界面脱离,此厚度的SiNX覆盖层具有诱导非晶IGZO薄膜晶化的作用,IGZO膜层内部的晶粒直径约10 nm。成分分析结果表明,结晶处In原子含量增加,IGZO薄膜中In原子的局域团聚是IGZO薄膜发生晶化的原因。
Abstract
cai yong she pin ci kong jian she zai er yang hua gui chen de shang chen ji yi ceng hou du 200 nmde fei jing In-Ga-Zn-O（IGZO）bao mo ,bing zai IGZOmo ceng shang chen ji hou du fen bie wei 20 nm、50 nm、60 nm、70 nm、90 nmde SiNXbao mo fu gai ceng ,yu 350℃tiao jian xia N2qi fen zhong tui huo 1 h。cai yong Xshe xian yan she （XRD）、gao fen bian tou she dian zi xian wei jing （HRTEM）、neng liang se san pu yi （EDS）dui IGZObao mo de wei guan jie gou ji cheng fen jin hang yan jiu 。yan jiu jie guo biao ming ,tui huo hou mo fu gai ceng de IGZOmo ceng reng wei fei jing zhuang tai ,70 nmyi shang SiNXfu gai ceng xia de IGZObao mo bu fa sheng jing hua 。yu ci bu tong ,20～60 nmde SiNXfu gai ceng xia IGZOmo ceng yu SiNXfu gai ceng de jie mian chu cun zai na mi tu qi zhu ,shi IGZObao mo yu SiNXfu gai ceng de jie chu jie mian tuo li ,ci hou du de SiNXfu gai ceng ju you you dao fei jing IGZObao mo jing hua de zuo yong ,IGZOmo ceng nei bu de jing li zhi jing yao 10 nm。cheng fen fen xi jie guo biao ming ,jie jing chu Inyuan zi han liang zeng jia ,IGZObao mo zhong Inyuan zi de ju yu tuan ju shi IGZObao mo fa sheng jing hua de yuan yin 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自人工晶体学报的胡浩威,井津域,李钦,宋忠孝，发表于刊物人工晶体学报2019年05期论文，是一篇关于非晶薄膜论文,退火晶化论文,退火论文,人工晶体学报2019年05期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自人工晶体学报2019年05期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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