导读:本文包含了暗特性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:固体物理学,太阳电池,P-N结,暗I-V特性曲线
暗特性论文文献综述
张翠丽,胡建民,王月媛,王秀英[1]（2017）在《P-N结太阳电池暗特性的数值分析》一文中研究指出以Ga As/Ge太阳电池为例使用PC1D太阳电池模拟程序分析P-N结太阳电池的串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和品质因子对其暗I-V特性曲线影响的基本规律.研究结果表明,串联电阻的变化对开启电压没有影响,而随串联电阻的增大,在正向电压高于开启电压的范围内暗I-V特性曲线斜率减小;在正向电压低于开启电压范围内I-V特性曲线斜率随并联电阻的减小逐渐增大并接近纯电阻电路的I-V特性;随二极管反向饱和电流的增大,P-N结的开启电压明显减小,而随品质因子的增大开启电压基本不变.(本文来源于《哈尔滨师范大学自然科学学报》期刊2017年06期）
陆晓东,宋扬,赵洋,王泽来,张金晶[2]（2016）在《非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响》一文中研究指出利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10~(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成叁个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10~(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年12期）
苗狄[3]（2015）在《高效率Ga0.5In0.5p/GaAs/Ge太阳电池暗特性研究》一文中研究指出以Matlab为软件仿真平台,建立了具有暗特性的空间高效叁结太阳电池模型。不同的光照及温度下太阳电池电气输出特性仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。分析了光伏组件模型各个参数对光伏电池输出特性的影响,对模型的参数提取和实际光伏组件设计具有指导意义。利用太阳电池的暗特性,分析了热斑效应形成原因、条件及旁路二极管对热斑效应影响进行了仿真分析。通过光伏组件部分遮挡情况下的多极值功率特性,验证了旁路二极管对光伏组件的保护作用。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2015年14期）
岳龙,吴宜勇,张延清,胡建民,孙承月[4]（2014）在《质子辐射损伤对单结GaAs/Ge太阳电池暗特性参数的影响》一文中研究指出基于p-n结暗特性双指数模型,对经质子辐射后的单结GaAs/Ge太阳电池的暗特性I-V曲线进行数值拟合,确定了单结GaAs/Ge太阳电池在辐射前后的四个暗特性特征参数,即串联电阻R_s、并联电阻R_(sh)、扩散电流I_(s1)和复合电流I_(s2).研究结果表明,质子辐射后单结GaAs/Ge太阳电池的R_s,R_(sh),I_(s1)和I_(s2)四个暗特性参数均发生显着变化.经低能质子辐射后,单结GaAs/Ge太阳电池的R_(sh)随位移损伤剂量的增加而减小,而R_s,I_(s1)和I_(s2)叁个参数随位移损伤剂量的增加而增大,其中串联电阻随位移损伤剂量线性增加而与辐射质子能量无关.理论分析表明,上述参数的变化与质子辐射损伤区域分布有关.基区和发射区的损伤主要引起单结电池串联电阻和扩散电流的增加;结区的损伤导致并联电阻减小,复合电流增大.(本文来源于《物理学报》期刊2014年18期）
岳龙[5]（2008）在《带电粒子辐照后砷化镓太阳电池的暗特性及其退火效应》一文中研究指出本文利用光照和暗条件下太阳电池电学特性的测量和数值模拟的方法,研究了带电粒子辐照下单结及叁结GaAs太阳电池的电性能的变化规律。并揭示了辐照对太阳电池本征参数的影响机制。在此基础上,深入研究了辐照损伤后太阳电池的退火恢复效应和机制。通过对太阳电池p-n结双指数暗特性的深入分析,使用自编的MATLAB数值模拟程序对测量得到的单结GaAs/Ge和叁结GaInP/GaAs/Ge太阳电池的暗特性I-V曲线进行数值拟合。结果表明可以通过这种方法计算出太阳电池的四个暗特性本征参数,即串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1和复合电流Is2。在此基础上,对经低能质子和高能电子辐照前后单结太阳电池的暗特性进行了详尽的研究,研究结果表明,低能质子辐照的单结GaAs/Ge电池,暗特性中Rs、Is1、Is2随注量的增加而增大,Rsh随注量的增加而减小。四个参数随能量的变化,会因根据损伤区域的不同而不同,结合SRIM程序的模拟结果分析,可知基区和发射区的损伤主要导致单结电池串联电阻和扩散电流的增加;结区的损伤会导致并联电阻减小,复合电流增大。低能质子辐照后叁结砷化镓电池的等效Is1、Is2变化很小,且由于叁结电池不同电池的损伤趋势不同致使各电池产生限流作用,因而对工程指导无意义。对低能质子辐照单结太阳电池的退火研究表明单结砷化镓电池可以在高于120℃的温度下退火,性能得到恢复。180℃退火效果好于在更低的温度下退火。对低能质子辐照叁结太阳电池的退火研究表明,叁结砷化镓电池只在高于150℃温度下退火,性能得到恢复。等效的电性能在180℃退火恢复的程度高于150℃下退火。特别注意的是对不同注量的高能电子辐照的单结砷化镓电池的退火研究表明,退火后电池性能转好,并且在相同时间内这些电池的性能以相同的程度恢复。对不同注量的高能电子辐照的叁结砷化镓电池的退火研究表明,退火可使Pmax和Isc得到恢复,但开路电压没有测量到明显的恢复,并且随温度升高,开路电压衰降更大。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2008-07-01）
冯良桓,郑家贵,刘援,夏太和[6]（1983）在《太阳电池暗特性过渡过程的研究》一文中研究指出太阳电池暗特性普遍存在着过渡过程,因其变化幅度大,持续时间长,而值得注意.该过程呈现线性复合的特征,并同太阳电池的性能有关。因此,对它进行研究有助于理解太阳电池的行为.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊1983年04期）
暗特性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响。结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×10~(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成叁个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×10~(17)时,暗Ⅰ～Ⅴ特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小。此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
暗特性论文参考文献
[1].张翠丽,胡建民,王月媛,王秀英.P-N结太阳电池暗特性的数值分析[J].哈尔滨师范大学自然科学学报.2017
[2].陆晓东,宋扬,赵洋,王泽来,张金晶.非对称电极和绒面结构对晶硅电池暗Ⅰ～Ⅴ特性的影响[J].人工晶体学报.2016
[3].苗狄.高效率Ga0.5In0.5p/GaAs/Ge太阳电池暗特性研究[J].电子技术与软件工程.2015
[4].岳龙,吴宜勇,张延清,胡建民,孙承月.质子辐射损伤对单结GaAs/Ge太阳电池暗特性参数的影响[J].物理学报.2014
[5].岳龙.带电粒子辐照后砷化镓太阳电池的暗特性及其退火效应[D].哈尔滨工业大学.2008
[6].冯良桓,郑家贵,刘援,夏太和.太阳电池暗特性过渡过程的研究[J].四川大学学报(自然科学版).1983