本文主要研究内容
作者袁大超,郭双,郝建军,马跃进,王淑芳（2019）在《脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能》一文中研究指出：利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BiCuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。
Abstract
li yong mai chong ji guang chen ji ji shu zai SrTiO3chan jing ji pian shang zhi bei le BiCuSeObao mo bing xiang xi yan jiu le chen ji wen du dui bao mo jing ti jie gou 、wei guan xing mao ji re dian shu yun xing neng de ying xiang 。zai zui jia chen ji wen du (330℃)xia ,suo zhi bei de BiCuSeObao mo bu han ren he za xiang ju yan czhou qu xiang wai yan sheng chang ,yu ji pian de wai yan guan ji wei [010]SrTiO3∥[010]BiCuSeOhe [001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。dian xue xing neng ce shi biao ming gai bao mo zai 20～350 Knei jun biao xian chu jin shu dao dian te xing ,shi wen dian zu lv jin wei 12.5 mΩ·cm,yuan di yu xiang ying de duo jing kuai ti cai liao 。ji suan suo de de shi wen gong lv yin zi PFyao wei 3.3μW·cm-1·K-2,gao yu xiang ying de duo jing kuai ti cai liao ,biao ming czhou qu xiang BiCuSeOwai yan bao mo zai bao mo re dian qi jian ling yu ju you chong yao de ying yong qian jing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自材料导报的袁大超,郭双,郝建军,马跃进,王淑芳，发表于刊物材料导报2019年01期论文，是一篇关于铋铜硒氧外延薄膜论文,轴取向论文,热电性能论文,脉冲激光沉积论文,材料导报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自材料导报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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