本文主要研究内容
作者马越,夏蔡娟（2019）在《基于缺陷结构的石墨烯纳米带电输运特性研究》一文中研究指出：采用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理方法,研究具有缺陷结构的锯齿型石墨烯纳米带电输运性质。系统地分析不同形状(菱形和正方形)以及不同边长的缺陷对其电输运性质影响,为石墨烯分子器件电输运特性的调控设计提供有效的理论支持。研究表明,缺陷对石墨烯纳米带的电输运性质能起到明显的调制作用。在低偏压下完美的石墨烯纳米带的电流高于具有缺陷结构的石墨烯纳米带,而在高偏压下具有缺陷结构的石墨烯纳米带的电流则高于完美的石墨烯纳米带。对于菱形缺陷,边长越大电流越大;对于正方形缺陷,边长越大电流越小。同时,四原子边缘菱形缺陷结构在偏压区间1.0～1.5 V内显示出了负微分电阻效应。
Abstract
cai yong mi du fan han li lun yu fei ping heng ge lin han shu xiang jie ge de di yi xing yuan li fang fa ,yan jiu ju you que xian jie gou de ju chi xing dan mo xi na mi dai dian shu yun xing zhi 。ji tong de fen xi bu tong xing zhuang (ling xing he zheng fang xing )yi ji bu tong bian chang de que xian dui ji dian shu yun xing zhi ying xiang ,wei dan mo xi fen zi qi jian dian shu yun te xing de diao kong she ji di gong you xiao de li lun zhi chi 。yan jiu biao ming ,que xian dui dan mo xi na mi dai de dian shu yun xing zhi neng qi dao ming xian de diao zhi zuo yong 。zai di pian ya xia wan mei de dan mo xi na mi dai de dian liu gao yu ju you que xian jie gou de dan mo xi na mi dai ,er zai gao pian ya xia ju you que xian jie gou de dan mo xi na mi dai de dian liu ze gao yu wan mei de dan mo xi na mi dai 。dui yu ling xing que xian ,bian chang yue da dian liu yue da ;dui yu zheng fang xing que xian ,bian chang yue da dian liu yue xiao 。tong shi ,si yuan zi bian yuan ling xing que xian jie gou zai pian ya ou jian 1.0～1.5 Vnei xian shi chu le fu wei fen dian zu xiao ying 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自纺织高校基础科学学报的马越,夏蔡娟，发表于刊物纺织高校基础科学学报2019年01期论文，是一篇关于石墨烯纳米带论文,缺陷结构论文,电子输运论文,非平衡格林函数论文,纺织高校基础科学学报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自纺织高校基础科学学报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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