本文主要研究内容
作者刘妍,彭艳,郭经纬,徐朝鹏,喇东升（2019）在《生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响》一文中研究指出：低维半导体材料因其超常的物理性能而受到了广泛关注和研究。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,利用金作催化剂制备了InAs/GaAs横向异质结构纳米线,并讨论了不同生长温度情况下InAs横向异质材料对纳米线形貌及晶体结构的影响。提高InAs材料的生长温度,可以有效地抑制纳米线的纵向生长,使其实现横向异质结构的生长。在异质结构纳米线横向生长时发生了侧面晶面旋转的现象,这是纳米线表面重构后侧面趋向能量更低的晶面的结果。本文的研究工作为推动微纳技术的发展提供了相应的理论基础和科学依据。
Abstract
di wei ban dao ti cai liao yin ji chao chang de wu li xing neng er shou dao le an fan guan zhu he yan jiu 。ben wen cai yong jin shu you ji wu hua xue qi xiang chen ji (MOCVD)ji shu ,li yong jin zuo cui hua ji zhi bei le InAs/GaAsheng xiang yi zhi jie gou na mi xian ,bing tao lun le bu tong sheng chang wen du qing kuang xia InAsheng xiang yi zhi cai liao dui na mi xian xing mao ji jing ti jie gou de ying xiang 。di gao InAscai liao de sheng chang wen du ,ke yi you xiao de yi zhi na mi xian de zong xiang sheng chang ,shi ji shi xian heng xiang yi zhi jie gou de sheng chang 。zai yi zhi jie gou na mi xian heng xiang sheng chang shi fa sheng le ce mian jing mian xuan zhuai de xian xiang ,zhe shi na mi xian biao mian chong gou hou ce mian qu xiang neng liang geng di de jing mian de jie guo 。ben wen de yan jiu gong zuo wei tui dong wei na ji shu de fa zhan di gong le xiang ying de li lun ji chu he ke xue yi ju 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自复合材料学报的刘妍,彭艳,郭经纬,徐朝鹏,喇东升，发表于刊物复合材料学报2019年10期论文，是一篇关于纳米线论文,气液固论文,金属有机化合物气相沉积论文,复合材料学报2019年10期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自复合材料学报2019年10期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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