导读:本文包含了双离子束论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:双离子束溅射,SiO_2薄膜,退火,力学及热力学特性
双离子束论文文献综述
冷健,季一勤,刘华松,庄克文,刘丹丹[1]（2018）在《热处理对双离子束溅射SiO_2薄膜力学及热力学特性的影响（英文）》一文中研究指出光学薄膜的力学及热力学特性决定了光学系统性能的优劣。采用双离子束溅射的方法在硅<110>和肖特石英Q1基底上制备了SiO_2薄膜,并对制备的膜层进行退火处理。系统研究了热处理前后SiO_2薄膜的力学及热力学特性。研究结果表明,750℃退火条件下SiO_2薄膜的弹性模量(Er)增加到72 GPa,膜层硬度增加到10 GPa。镀完后未经退火处理的SiO_2薄膜表现为压应力,但是应力值在退火温度达到450℃以上时急剧降低,说明热处理有助于改善SiO_2薄膜内应力。经退火处理的SiO_2薄膜泊松比(vf)为0.18左右。退火前后SiO_2薄膜的杨氏模量(Ef)都要比石英块体材料大,并且750℃退火膜层杨氏模量增加了50 GPa以上。550℃退火的SiO_2薄膜热膨胀系数(αf)从6.78×10~(-7)℃~(-1)降到最小值5.22×10~(-7)℃~(-1)。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2018年06期）
唐兵,王鲁闽,马瑞刚,李宁,陈立华[2]（2018）在《用于双离子束注入器的杂质消除系统》一文中研究指出研制了一套用于双离子束注入器的杂质消除系统,该系统由两台速度选择器、1台单透镜和1台双孔选束光阑组成,可实现不同荷质比的两种离子束在同时传输过程中消除杂质离子。该技术已用于1台H_2~+和He~+两种离子束同时传输的50keV双离子束注入器,实现了1台加速器同时产生、传输两种离子束,并同轴注入靶内,离子束纯度好于99.9%。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2018年02期）
唐兵,崔保群,马鹰俊,马瑞刚,陈立华[3]（2015）在《一台用于材料辐照损伤研究的双离子束注入器的研制》一文中研究指出随着反应堆技术的发展,材料的辐照损伤研究越来越受到人们的重视。采用现有反应堆开展中子辐照的方法要达到先进核能系统所需的剂量值,至少需要几年甚至几十年的时间。采用离子辐照模拟中子辐照的方法可将辐照时间缩短两到叁个数量级,有利于开展大规模的反应堆材料的实验研究。本工作研制了一台氢氦双离子束注入器,可实现氢和氦两种粒子的同轴注入,用于模拟(本文来源于《中国原子能科学研究院年报》期刊2015年00期）
胡晓宇,何华云[4]（2014）在《双离子束溅射镀膜机的维修性分配和预计》一文中研究指出分析了双离子束溅射镀膜机的设备原理、功能层次,参照《GJB/Z57维修性分配与预计手册》中的相关要求,根据各部件的故障率和维修经验数据,对双离子束溅射镀膜机进行维修性分配与预计。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2014年10期）
张恒,马蒋,张莹,刘应开[5]（2013）在《双离子束溅射沉积Cu纳米薄膜表面的研究》一文中研究指出以(100)硅片为衬底,通过双离子束溅射生长不同厚度的Cu纳米薄膜。利用原子力显微镜及椭偏仪对样品进行分析和研究。结果表明:离子束在斜入射45°的条件下溅射,原子通量的峰值与法线夹角约为15.1°,膜厚度按照余弦五次方分布,并给出了法线两边对称分布薄膜的表面粗糙度变化公式。研究表明双离子束溅射制备的薄膜优于其他方法生长的薄膜,膜的表面平整度、厚度均匀性更好。(本文来源于《材料导报》期刊2013年S2期）
董尧君,余涛,金成刚,诸葛兰剑[6]（2012）在《退火对双离子束沉积的HfTaO薄膜结构和电学性质的影响》一文中研究指出利用双离子束沉积系统沉积了HfTaO薄膜,并研究了退火对HfTaO薄膜的结构和电学性质的影响.将HfTaO薄膜分别在900℃和1 000℃下进行真空退火.利用SEM,EDXS,XPS,XRD和AFM对退火前后HfTaO薄膜的成分和结构进行分析;并对退火前后的电学特性C-V,G-V和I-V进行研究.高温退火后发现:由于Ta的掺入,HfTaO薄膜的结晶温度提高1 000℃左右.退火后HfTaO薄膜虽然积累区电容有所减小,但是薄膜的氧化层固定电荷Qf,氧化层陷阱电荷Qot和界面缺陷电荷密度Dit(Hill-Coleman方法得到)都有所减小;此外薄膜的漏电流在退火后也相应的减小.(本文来源于《苏州大学学报(自然科学版)》期刊2012年03期）
钱大憨,贾嘉,汤亦聃,乔辉,李向阳[7]（2010）在《基于正交试验的双离子束溅射沉积系统参数优化设计》一文中研究指出离子束溅射沉积薄膜技术广泛用于高质量半导体薄膜和光学薄膜的制备工艺,在制备过程中生长条件的选取决定了薄膜的质量和性能。本文采用LDJ-2A-F150双离子束溅射系统在宝石衬底上沉积Au膜,通过正交试验设计优化Au膜沉积参数,重点研究了离子束能量,束流和加速电压叁个因素。通过对Au膜归一化电阻和室温、低温电阻变化率的正交分析得到:离子束流对归一化电阻和电阻变化率影响最大,并获得了最佳的生长条件。这表明:正交试验设计可以作为双离子束溅射系统参数的有效优化方法,该方法也可用于对光学薄膜制备的参数进行优化。(本文来源于《第九届全国光电技术学术交流会论文集（下册）》期刊2010-05-29）
杨旭敏,吴雪梅,诸葛兰剑[8]（2009）在《辅源气体含量的改变对双离子束溅射沉积制备的硼碳氮薄膜性质的影响》一文中研究指出B-C-N相的特殊性质引起了人们浓厚的兴趣,以高纯B_4C(99.99%)靶所制备的BCN薄膜由于具有优异的力学性质和耐磨性,可望在某些领域替代类金刚石膜(DLC)。BCN薄膜的制备方法很多,如化学气相沉积及物理气相沉积等。(本文来源于《第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集》期刊2009-07-20）
张文杰,彭玉峰,王建成,程祖海[9]（2007）在《双离子束溅射沉积HfO_2光学薄膜的研究》一文中研究指出用双离子束溅射沉积氧化铪光学薄膜,并对此工艺下制备的氧化铪薄膜进行了光学性质、残余应力、结构特性以及激光损伤特性的研究。实验结果表明,用双离子束溅射沉积的氧化铪薄膜不仅结构均匀,膜层致密,无定形结构,而且具有极低的散射和吸收,均匀的非晶结构,杂质缺陷少,激光损伤阈值高。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2007年09期）
金成刚,吴雪梅,诸葛兰剑[10]（2007）在《双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜》一文中研究指出SiC作为一种优秀的微电子材料,以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。工艺上又可以与集成电路兼容,被期待作为新型的光电材(本文来源于《第十叁届全国等离子体科学技术会议论文集》期刊2007-08-20）
双离子束论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研制了一套用于双离子束注入器的杂质消除系统,该系统由两台速度选择器、1台单透镜和1台双孔选束光阑组成,可实现不同荷质比的两种离子束在同时传输过程中消除杂质离子。该技术已用于1台H_2~+和He~+两种离子束同时传输的50keV双离子束注入器,实现了1台加速器同时产生、传输两种离子束,并同轴注入靶内,离子束纯度好于99.9%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双离子束论文参考文献
[1].冷健,季一勤,刘华松,庄克文,刘丹丹.热处理对双离子束溅射SiO_2薄膜力学及热力学特性的影响（英文）[J].红外与激光工程.2018
[2].唐兵,王鲁闽,马瑞刚,李宁,陈立华.用于双离子束注入器的杂质消除系统[J].原子能科学技术.2018
[3].唐兵,崔保群,马鹰俊,马瑞刚,陈立华.一台用于材料辐照损伤研究的双离子束注入器的研制[J].中国原子能科学研究院年报.2015
[4].胡晓宇,何华云.双离子束溅射镀膜机的维修性分配和预计[J].电子工业专用设备.2014
[5].张恒,马蒋,张莹,刘应开.双离子束溅射沉积Cu纳米薄膜表面的研究[J].材料导报.2013
[6].董尧君,余涛,金成刚,诸葛兰剑.退火对双离子束沉积的HfTaO薄膜结构和电学性质的影响[J].苏州大学学报(自然科学版).2012
[7].钱大憨,贾嘉,汤亦聃,乔辉,李向阳.基于正交试验的双离子束溅射沉积系统参数优化设计[C].第九届全国光电技术学术交流会论文集（下册）.2010
[8].杨旭敏,吴雪梅,诸葛兰剑.辅源气体含量的改变对双离子束溅射沉积制备的硼碳氮薄膜性质的影响[C].第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会会议摘要集.2009
[9].张文杰,彭玉峰,王建成,程祖海.双离子束溅射沉积HfO_2光学薄膜的研究[J].强激光与粒子束.2007
[10].金成刚,吴雪梅,诸葛兰剑.双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜[C].第十叁届全国等离子体科学技术会议论文集.2007