导读:本文包含了等离子刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:大气压等离子体射流,单环电极,双环电极,聚合物薄膜刻蚀
等离子刻蚀论文文献综述
胡明山,王涛,奚野,刘景全[1]（2019）在《对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究》一文中研究指出研究了使用两种大气压等离子体射流(APPJ)刻蚀Parylene-C薄膜所产生刻蚀区域的形貌和成分之间的差异。两种APPJ分别由单环电极装置和双环电极装置产生。由单环电极APPJ刻蚀的Parylene-C表面是非均匀的,从刻蚀区域的中心到边缘可分为叁部分:区域(I)是中心区域,此处Si衬底严重受损;区域(II)是有效的刻蚀区域;区域(III)是刻蚀边界。与单环电极APPJ相比,双环电极APPJ刻蚀的Parylene的形貌要好得多。特别是在区域(I)中,Si片受到轻微损坏。X射线光电子能谱分析(XPS)结果表明:单环电极APPJ刻蚀区域的O元素原子含量多于双环电极。此外,还研究了两种APPJ的刻蚀速率,相比于双环电极APPJ,单环电极APPJ具有较高的刻蚀速率。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年12期）
李国荣,赵馗,严利均,Hiroshi,Iizuka,刘身健[2]（2019）在《等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化》一文中研究指出由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
魏育才[3]（2019）在《CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究》一文中研究指出探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°～65°。(本文来源于《集成电路应用》期刊2019年07期）
毕明浩[4]（2019）在《金属催化氢等离子体刻蚀制备3D金刚石日盲探测器的方法研究》一文中研究指出目前世界上使用的紫外探测器大多为传统的硅基材料紫外探测器,虽然硅基探测器发展较为成熟,但是其有紫外/可见光选择度较低、辐射硬度低、工作寿命短等缺点,导致其无法在深空探测、导弹羽烟探测等工作环境较恶劣的环境中工作,金刚石相比硅除了可以在恶劣环境中正常工作之外,同时金刚石具有非常宽的禁带宽度(5.5eV)可以良好的消除可见光的干扰,提升日盲探测器的性能。然而,传统使用的金刚石平面电极结构探测器的性能由于受到电极结构的限制,造成了金刚石优点难以发挥。针对这一问题,我们进行了金属催化氢等离子体刻蚀制备3D金刚石日盲探测器的方法研究。本文研究了金属在MPCVD装置产生的氢等离子体气氛中对金刚石的催化刻蚀现象,进行了大量的实验,对刻蚀后金刚石的表面粗糙度进行了改善,得到了可行的高效的金刚石刻蚀方法,相比其他刻蚀金刚石的方法具有工艺简单、成本低、安全性高等优点。在实验过程中使用SEM、LSCM、XPS等表征工具对刻蚀后金刚石表面的物质成分、刻蚀后表面形成的颗粒的成分进行了表征,进行了刻蚀过程的物理图像模拟,对金属催化氢等离子体刻蚀金刚石的机理进行了探讨。运用晶体学知识解释了刻蚀后金刚石形成的不同表面形貌的现象。之后我们使用金属催化氢等离子体刻蚀工艺制作了3D金刚石日盲探测器,并且在同样条件下制作了传统的平面电极金刚石探测器,对两种探测器进行了性能测试,并且分析了金属刻蚀3D结构探测器的增益机制,认为是刻蚀金刚石过程中引入了表面态导致电极金属与金刚石接触界面的势垒高度降低,最终在紫外光响应中产生增益。测试结果表明,3D探测器相比平面电极探测器明显具有更好的性能,其各种性能参数相比平面电极探测器的性能数值会提升一到二个数量级。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
周腾[5]（2019）在《米量级光刻胶光栅的等离子体刻蚀》一文中研究指出随着米量级光栅在高功率激光装置、大型光刻机设备等各大系统中的广泛引用,对米量级光栅的制作技术也提出了更高的要求。针对米量级光栅的制作,中国科学技术大学与苏州大学等单位已经发展出一套较为成熟的全息-离子束刻蚀工艺。但是,全息光刻制备的米量级光刻胶光栅槽底仍极易残留有多余的光刻胶,这将直接影响离子束刻蚀后光栅的槽深及均匀性,进而影响到光栅质量。本文针对米量级光刻胶光栅制备过程中的残余光刻胶问题,使用输出口径Φ40 mm的等离子体源,设计并制作了一个梯形扩散结构,取得了以下的研究成果:1、针对等离子体源,设计并制作了一种新的梯形扩散结构。该结构包含有两个部分:a.梯形中空扩散结构,主要起到扩散作用;b.可以调整间距的石墨栅栏结构,目的是将扩散后的等离子体进行二次调制,使其均匀分布。2、利用Fluent软件对梯形扩散结构进行仿真模拟,理论上验证了梯形扩散结构的可行性。仿真模拟结果表明,等离子体经过梯形扩散结构调制后能够扩散至600 mmX 40 mm的区域,且在500 mmX 40 mm分布均匀。3、设计了一系列等离子体刻蚀实验,利用小尺寸光栅阵列模拟米量级光栅,对梯形扩散结构的实际扩散匀化等离子体的效果进行验证。实验结果证明输出口径仅为Φ40 mm的等离子体源产生的等离子体,经过梯形扩散结构的调制后,能够在尺寸为450 mm×40 mm大小区域内均匀分布。光刻胶光栅线条的等离子体刻蚀深度均匀性误差保持在±5%范围内。研究结果表明,本文提出的梯形扩散结构可以实现等离子体的均匀扩散,将输出口径仅为40 mm的等离子体源产生的等离子体均匀扩散至450 mm X 40 mm的区域内。利用此梯形扩散结构,通过一维扫描刻蚀的方式,可以使用小型等离子源完成米量级光刻胶光栅的等离子体刻蚀,且光栅线条刻蚀均匀性误差保持在±5%,满足光栅制作要求。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-01）
孙祁,汪建华,程翀,陈祥磊,吴荣俊[6]（2019）在《(100)/(111)面金刚石膜抗氧等离子刻蚀能力》一文中研究指出使用微波等离子体技术(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)对膜厚100μm的(100)和(111)晶面金刚石膜进行刻蚀处理,研究其抗氧等离子体的行为。结果表明:(100)晶面刻蚀首先发生在晶棱晶界处,而(111)晶面金刚石的刻蚀首先发生在晶面处;30 min刻蚀后,(100)面金刚石有明显晶面显现,(111)面金刚石膜晶面不明显;60 min刻蚀后,(100)和(111)晶面金刚石膜的择优取向消失;(100)晶面金刚石特征峰的半高宽值(full width at the half maximum,FWHM)由刻蚀前的8.51 cm~(–1)上升至刻蚀后的12.48 cm~(–1),(111)晶面金刚石FWHM值由8.74 cm~(–1)上升至148.49 cm~(–1);(100)晶面金刚石膜刻蚀速率在40 min时为0.35μm/min,60 min时上升至1.34μm/min;刻蚀前期,(100)晶面金刚石膜具有更好的抗氧等离子体刻蚀能力,刻蚀后期其抗刻蚀能力与(111)晶面金刚石膜相似。(本文来源于《航空材料学报》期刊2019年02期）
罗童,陈强[7]（2019）在《微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究》一文中研究指出采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体装置,对用原子层沉积(ALD)方法在阳极氧化铝模板(AAO)上制备的HfO_2薄膜进行了纳米图案化研究。用CF_4、Ar和O_2等离子体,对HfO_2薄膜进行了反应离子束刻蚀,以移除HfO_2。采用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能量色散X射线光谱显微(EDX)分析,对样品刻蚀前后的形貌、结构和化学成分进行了表征。实验表明,HfO_2的刻蚀具有定向性,利于高深宽比微机械结构的加工。在其他参数固定的情况下,深宽比高达10∶1的结构中HfO_2的刻蚀速率是微波功率、负脉冲偏压、CF_4/Ar/O_2混合比(Ar含量在0～100%)和工作气压的函数。在0.3 Pa气压、600 W微波功率、100 V偏置电压下,HfO_2拥有0.36 nm/min的可控刻蚀速率,利于HfO_2的精准图案化。刻蚀形貌表明,在CF_4/Ar/O_2等离子体刻蚀之后,刻蚀面非常光滑,具有0.17 nm的均方根线粗糙度。(本文来源于《真空与低温》期刊2019年01期）
高博[8]（2019）在《国产刻蚀机很棒，但造芯片只是“配角”》一文中研究指出近来有网络媒体称，“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。中微公司的刻蚀机的确水平一流，但夸大阐述其战略(本文来源于《科技日报》期刊2019-02-13）
孟天旭,郭麒,席雯,丁文强,于盛旺[9]（2019）在《刻蚀对高碳马氏体不锈钢表面等离子渗铬层结合强度的影响》一文中研究指出目的研究等离子体刻蚀工艺对高碳马氏体不锈钢表面渗铬层组织和结合强度的影响。方法首先利用微波等离子体化学气相沉积方法对8Cr17马氏体不锈钢表面进行四种不同工艺参数的刻蚀处理,然后利用双层辉光等离子体表面渗铬技术在刻蚀处理后的8Cr17不锈钢表面制备铬合金层。用扫描电子显微镜、激光共聚焦、辉光放电光谱仪和X射线衍射仪分别表征刻蚀表面形貌和渗铬层组织,用划痕仪测试渗铬层与基体的结合强度。结果氢和氢+氩等离子体刻蚀后,8Cr17不锈钢基体表面粗糙度增加,且含碳量减少。渗铬层由表面富Cr层、Cr_xC_y扩散层、基体组成,其物相主要包括Cr、Cr_(23)C_6、Cr_7C_3。表面经氢气刻蚀1 h和2 h后,形成的渗铬层厚度分别为7、7.5μm,氢气+氩气刻蚀1 h和2 h后,渗铬层厚度分别为8.1、9μm,其中氢气+氩气刻蚀1 h的基材表面渗铬层较致密,与基体结合牢固。结论等离子体刻蚀预处理可通过改变8Cr17钢表面的组织形貌,降低表面含碳量,增加扩散层厚度,提高渗层与基体的结合强度。(本文来源于《表面技术》期刊2019年01期）
马宏潇,厉渊,徐旻[10]（2019）在《一种优化等离子体刻蚀工艺去静电步骤的方式》一文中研究指出该文研究并优化了等离子体刻蚀后、去静电过程中等离子体辅助晶片去静电的工艺步骤。通过数据模拟和实验设计,研究了极板间距、反应室压力、射频电源功率和射频电源关闭方式对晶片残存电荷的影响。首先,采用基于蒙特卡罗随机数方法的应用软件Pegasus对去静电过程中反应室内的等离子体分布进行了模拟,研究了等离子体能量分布图并分析了极板间距与等离子体分布均一性的关系,得到最佳极板间距范围。其次,以反应室压力、射频电源功率与极板间距为实验变量,通过实验设计得到残余电荷量最少的实验组。最后,以该实验组为基础,对射频电源的关闭方式进行优化,通过检测晶片脱离吸附装置时的电势差,得到最优射频电源关闭方式。该文研究结果可用于优化晶片去静电步骤,进而提高工艺可靠性和产品良率。(本文来源于《集成技术》期刊2019年02期）
等离子刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子刻蚀论文参考文献
[1].胡明山,王涛,奚野,刘景全.对大气压低温等离子体刻蚀聚合物薄膜的工艺研究[J].传感器与微系统.2019
[2].李国荣,赵馗,严利均,Hiroshi,Iizuka,刘身健.等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化[J].北京大学学报(自然科学版).2019
[3].魏育才.CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究[J].集成电路应用.2019
[4].毕明浩.金属催化氢等离子体刻蚀制备3D金刚石日盲探测器的方法研究[D].哈尔滨工业大学.2019
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[6].孙祁,汪建华,程翀,陈祥磊,吴荣俊.(100)/(111)面金刚石膜抗氧等离子刻蚀能力[J].航空材料学报.2019
[7].罗童,陈强.微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究[J].真空与低温.2019
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