导读:本文包含了界面阻挡层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:SAC305,石墨烯,微观组织,界面反应
界面阻挡层论文文献综述
李胜利[1]（2019）在《基于石墨烯扩散阻挡层的SAC305微焊点界面演变行为》一文中研究指出随着微电子行业无铅化进程的推进,Sn-Ag-Cu(SAC)系无铅钎料获得越来越多的认可。由于传统Sn-Pb钎料不能满足行业的要求,无铅钎料Sn-3.0Ag-0.5Cu(SAC305)的出现取代了Sn-Pb钎料并且应用于实际中。尽管SAC305无钎钎料具有良好的可焊性和力学性能,但是钎料与基板之间所形成界面金属间化合物(IMC)的粗化极大的降低了微焊点的可靠性。为了抑制界面IMC在焊接与时效过程中的过度生长,本文以熔炼的方式将Ni元素添加到SAC305钎料中,并使其在普通铜板(Cu)、高温处理铜板(H-Cu)和石墨烯铜板(G-Cu)叁种基板上进行润湿铺展形成微焊点。对无铅焊点的界面IMC层演变规律和体钎料的力学性能进行研究分析,为其进一步的实际运用提供充分的理论依据。分析了SAC305-Ni钎料在Cu、H-Cu和G-Cu叁种基板上焊点的可焊性。探讨了钎料合金中Ni元素的含量对微焊点润湿性的影响;并且分析了微焊点在不同焊接基板上的可焊性。结果表明:随着钎料合金中Ni元素的增加,微焊点在Cu、H-Cu和G-Cu基板上的铺展面积均表现出先升高后降低的趋势;SAC305-Ni微焊点在G-Cu基板上的铺展面积明显高于SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu。通过焊点体钎料微观组织的演变行为分析了钎料中Ni元素以及焊接基板种类对其产生的影响。在G-Cu基板上焊点体钎料中,β-Sn的晶粒尺寸小于SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu焊点体钎料中β-Sn的晶粒尺寸,这一现象表明G-Cu基板表面上的石墨烯镀层对焊点体钎料的微观组织也产生了细化的作用。这种影响在Ni添加后更加突出。随着钎料中Ni含量的增加,SAC305-Ni/G-Cu焊点体钎料中的β-Sn数量急剧上升,共晶组织的面积减小。研究了钎料合金中Ni元素的添加对焊点界面IMC形貌的影响以及界面处IMC层在不同焊接基板的演变行为。钎料中Ni元素的添加导致界面IMC由Cu_6Sn_5转变为(Cu,Ni)_6Sn_5,并且(Cu,Ni)_6Sn_5的晶粒尺寸小于Cu_6Sn_5的晶粒尺寸。随着钎料合金中Ni含量的增加,SAC305-Ni焊点在Cu、H-Cu和G-Cu基板上的界面IMC层厚度呈先减小后增加的变化趋势。相比于SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu焊点,SAC305-Ni/G-Cu焊点界面IMC层的厚度最小。从微焊点体钎料的纳米硬度研究出发,分析了钎料合金Ni元素的添加和基板种类分别对微焊点体钎料硬度的影响。结果表明:钎料合金中Ni元素的添加对SAC305-Ni/Cu和SAC305-Ni/H-Cu焊点体钎料的硬度影响很小。但是对于G-Cu基板上焊点体钎料的硬度而言,其值随Ni含量的增加而下降。此外,在SAC305-Ni/G-Cu焊点体钎料的硬度要小于SAC305-Ni在Cu和H-Cu基板上焊点体钎料的硬度。在等温时效的条件下,对微焊点界面IMC层和体钎料微观组织的演变进行了研究。探讨了焊点体钎料微观组织的演变对硬度产生的影响。SAC305-Ni钎料在Cu、H-Cu和G-Cu基板上焊点界面IMC层的总厚度随着时效时间的增加而增加。在时效过程中SAC305-Ni在叁种基板上焊点体钎料的微观组织都呈现出相同的变化规律,即β-Sn数量增加并且分布均匀,共晶组织的面积减小。由于在时效过程中界面处IMC的生长开始向体钎料中进行扩散,使体钎料中IMC相的数量明显增加,导致叁种基板上焊点体钎料的硬度得到提高。SAC305-Ni在G-Cu基板上焊点体钎料的硬度低于SAC305-Ni在Cu和H-Cu基板上焊点体钎料的硬度。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
李博研,刘芳芳,孙云,林列[2]（2018）在《新型CIGS阻挡层多横向界面Mo的特性及对器件性能的影响》一文中研究指出采用磁控溅射方法,在不锈钢箔上制备多横向界面Mo(M-Mo,multi-transverse interface Mo)和单横向界面Mo(S-Mo)薄膜,并利用共蒸发叁步法分别在M-Mo和S-Mo薄膜上制备Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜及器件。通过二次离子质谱仪(SIMS)、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同结构的Mo薄膜对CIGS影响。通过I-V测试,表征M-Mo和S-Mo作为背电极的CIGS电池电学性能。XRD结果显示,M-Mo和S-Mo薄膜均以(110)为择优取向。SEM结果显示,M-Mo薄膜相对于S-Mo,薄膜晶粒较小,粗糙度较大。J-V测试结果显示,M-Mo薄膜作为背电极的电池的开路电压Voc、短路电流Jsc和填充因子(FF)均有所提高。(本文来源于《光电子·激光》期刊2018年02期）
李月[3]（2017）在《GLSI铜布线阻挡层CMP界面腐蚀研究》一文中研究指出在大规模集成电路制造过程中,化学机械平坦化(CMP)是关键工艺技术之一。钽(Ta)由于具有高稳定性、高导电性以及对铜的惰性等优势,被广泛用作铜互连阻挡层材料。铜(Cu)的化学反应活性强于Ta,Cu/Ta界面存在较大的电化学腐蚀电位差(ΔE_(corr))。在阻挡层CMP过程中,铜钽在抛光液中接触形成电偶腐蚀,严重影响器件的可靠性、良率及完整性,制约微电子技术的进一步发展。因此,本文针对当前界面腐蚀中影响最严重的电偶腐蚀问题进行研究,研究内容如下:论文首先根据CMP实验得出的铜钽去除速率确定出一种不含氧化剂以及抗蚀剂的碱性抛光液的基本配比。通过静态与动态相结合的电化学方法,分别研究抛光液pH值及抛光液成分,包括FA/O I型螯合剂、FA/O II型螯合剂和非离子表面活性剂,对Cu/Ta界面腐蚀的影响。结合动态以及静态电化学极化曲线分析铜钽表面的钝化及腐蚀状态。根据抛光液pH值及各成分对铜钽表面钝化和腐蚀程度的影响,调整pH或抛光液配比,实现了对铜钽自腐蚀电位的控制,降低了铜钽之间的自腐蚀电位差,从而抑制铜钽电偶腐蚀。实验结果表明,当I型FA/O螯合剂为5vol%,II型FA/O螯合剂为0.2vol%,非离子表面活性剂为6vol%时,Cu的去除速率达到245?/min,Ta的去除速率达到260?/min,两者的去除速率选择比接近1:1,对碟形坑、蚀坑具有很强的修正能力;静态腐蚀速率较小,同时Cu、Ta的腐蚀电位差接近0mV,电偶腐蚀电流密度为7.86μA·cm~(-2),实现了对Cu、Ta电偶腐蚀的有效控制。研究成果对铜钽电偶腐蚀的研究具有很大的指导意义,进一步促进了65nm FA/O碱性阻挡层抛光液的产业化进程。(本文来源于《河北工业大学》期刊2017-05-01）
李伟洲,王启民,宫骏,孙超,姜辛[4]（2010）在《一步法制备含扩散阻挡层的多层体系及其界面结合强度》一文中研究指出为抑制合金元素的互扩散,在Ni-Cr-Al-Y-Si涂层和DSM11基体间通过电弧离子镀技术一步制备了含扩散阻挡层(DB)和黏结层(BC)的多层体系Ni-Cr-Al-Y-Si/DB/BC/DSM11.由恒温氧化、循环氧化和粘胶拉伸实验考察了涂层的抗氧化性、DB阻挡元素扩散能力和体系的界面结合强度.结果表明,含扩散阻挡层的多层能很好地保护基体材料,经过1050℃恒温氧化100 h后,试样表面形成连续致密的Al_2O_3膜,外层中仅检测到微量的来自基体的合金元素;经过1050℃(?)室温(RT)循环氧化100 cyc后,DB与两侧材料的结合保持良好.退火多层体系的界面结合强度达到63.6 MPa,比不连续法制备的Ni-Cr-Al-Y/Cr-O-N/DSM11体系提高了约20 MPa.一步法制备能提高含扩散阻挡层多层体系的界面结合强度,DB在恒温和循环氧化过程中能保持很好的抑制元素扩散的能力.(本文来源于《金属学报》期刊2010年05期）
杨春晓,张驰,徐赛生,丁士进,张卫[5]（2010）在《ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究》一文中研究指出对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附性能。400℃退火后,除受表面氧化作用干扰的O和N元素外,未观察到界面中其他元素Zr,Si和C有新的扩散,说明界面稳定性很好。(本文来源于《半导体技术》期刊2010年02期）
程新红,何大伟,宋朝瑞,俞跃辉,沈达身[6]（2009）在《具有Al_2O_3阻挡层的HfO_2栅介质膜的界面和电学性能的表征(英文)》一文中研究指出研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明,退火后,界面层中的SiOx转化为化学当量的SiO2,而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物。由电学测试提取出等效栅氧厚度为2.5nm,固定电荷密度为–4.5×1011/cm2。发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜,进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2009年02期）
张晓囡,张华芳,李庆芬,郑玉峰[7]（2008）在《热障涂层界面扩散阻挡层研究进展》一文中研究指出介绍了热障涂层体系陶瓷层/粘结层界面的氧化过程和粘结层/基体界面金属元素的互扩散现象,重点综述了采用阻挡层控制界面氧化和金属元素互扩散的国内外研究进展。氧化扩散阻挡层都含有Al元素,目的是在界面处形成致密的Al2O3保护膜;金属元素扩散阻挡层的选择要同时考虑它对元素扩散的阻挡作用和对界面结合力的影响。(本文来源于《材料导报》期刊2008年04期）
界面阻挡层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用磁控溅射方法,在不锈钢箔上制备多横向界面Mo(M-Mo,multi-transverse interface Mo)和单横向界面Mo(S-Mo)薄膜,并利用共蒸发叁步法分别在M-Mo和S-Mo薄膜上制备Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜及器件。通过二次离子质谱仪(SIMS)、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同结构的Mo薄膜对CIGS影响。通过I-V测试,表征M-Mo和S-Mo作为背电极的CIGS电池电学性能。XRD结果显示,M-Mo和S-Mo薄膜均以(110)为择优取向。SEM结果显示,M-Mo薄膜相对于S-Mo,薄膜晶粒较小,粗糙度较大。J-V测试结果显示,M-Mo薄膜作为背电极的电池的开路电压Voc、短路电流Jsc和填充因子(FF)均有所提高。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
界面阻挡层论文参考文献
[1].李胜利.基于石墨烯扩散阻挡层的SAC305微焊点界面演变行为[D].哈尔滨理工大学.2019
[2].李博研,刘芳芳,孙云,林列.新型CIGS阻挡层多横向界面Mo的特性及对器件性能的影响[J].光电子·激光.2018
[3].李月.GLSI铜布线阻挡层CMP界面腐蚀研究[D].河北工业大学.2017
[4].李伟洲,王启民,宫骏,孙超,姜辛.一步法制备含扩散阻挡层的多层体系及其界面结合强度[J].金属学报.2010
[5].杨春晓,张驰,徐赛生,丁士进,张卫.ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究[J].半导体技术.2010
[6].程新红,何大伟,宋朝瑞,俞跃辉,沈达身.具有Al_2O_3阻挡层的HfO_2栅介质膜的界面和电学性能的表征(英文)[J].稀有金属材料与工程.2009
[7].张晓囡,张华芳,李庆芬,郑玉峰.热障涂层界面扩散阻挡层研究进展[J].材料导报.2008