导读:本文包含了铜单晶论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:综合化学实验,谷氨酸,配合物,晶体结构
铜单晶论文文献综述
万菲菲,张蕊,周红英,张栋,任时[1]（2018）在《综合实验——谷氨酸铜单晶的制备及其晶体结构分析》一文中研究指出介绍了一个综合化学实验:谷氨酸铜单晶的制备及其晶体结构分析。该实验以碱式碳酸铜和谷氨酸为原料,通过水热合成方法合成了谷氨酸铜单晶。对单晶进行了X射线单晶衍射,实验结果表明,谷氨酸铜配合物属正交晶系,P212121空间群。并对其晶体结构进行了分析。本实验原料无毒或低毒,合成方法简单,合成条件宽泛,是一个值得推荐的综合实验。(本文来源于《广州化工》期刊2018年12期）
孙鹏[2]（2016）在《铜单晶衬底上GaN薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究》一文中研究指出氮化镓(GaN)基半导体发光二极管(LED)的绝大多数衬底为蓝宝石(α-Al2O3),而α-Al2O3衬底具有价格昂贵、绝缘、导热性差、尺寸小(直径仅为2~4英寸)的缺点。与α-Al2O3衬底相比,一些金属衬底具有廉价、导电、导热、大面积且反射率高的优点,金属衬底不但能够直接作为LED的电极使用,而且有助于提升芯片散热性能和光反射作用,从而大大提升LED亮度。在自支撑的全金属衬底上,制备垂直导电结构的GaN基LED,能彻底解决在α-Al2O3等绝缘衬底上制备的横向导电结构GaN基LED中存在的电流拥挤问题,提高LED的功率,大大降低LED的生产成本。因而在金属上制备GaN薄膜具有重要的研究意义。从国内外的进展来看,在自支撑的金属衬底上直接生长GaN薄膜的报导很少。其主要原因是常规金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的生长温度高达1050℃左右,这使得很多金属衬底与GaN薄膜产生有害的界面反应,高温沉积会加速金属粒子扩散至GaN薄膜中,难以生长高质量的GaN薄膜。因此在金属上制备GaN薄膜需要一种低温的生长方法。本文使用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)低温生长设备,在自支撑的单晶Cu金属衬底上低温外延生长单一c轴取向的高质量GaN薄膜。实验以叁甲基镓(TMGa)为镓源,氮气(N2)等离子体为活性氮源,通过氮等离子体与TMGa反应在单晶Cu衬底上生成GaN薄膜,重点研究控制缓冲层和生长层的TMGa流量对外延生长Ga N薄膜性能的影响,并给出优化的生长参数。用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)光致发光谱(PL谱)以及电流—电压测试(I-V测试)等表征方法分析了GaN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能以及电学特性。其中,缓冲层沉积温度为300℃,其TMGa流量为1.1 sccm,生长时间30分钟,生长层沉积温度为450℃,其TMGa流量为1 sccm,生长时间3小时,GaN薄膜的质量最好,具有较好的晶体质量和较强的紫外发光峰;且GaN薄膜与金属Cu之间的接触特性为良好的欧姆接触。(本文来源于《大连理工大学》期刊2016-12-10）
王卫伟,谷宇,胡晓艳,唐帅,颜佳伟[3]（2016）在《锂电池电解液中铜单晶电极表面的原位AFM研究》一文中研究指出锂电池在首次充放电过程中,电解液在电极表面发生反应,生成一层固体电解质界面膜(Solid Electrolyte Interface,SEI)。SEI膜对电池的寿命、循环稳定性及不可逆容量等都有重要影响,但目前对SEI膜的形成机理及组成结构的认识仍不是非常清楚,且SEI膜的力学性质较少被研究。原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)可用于电极表面SEI膜生成过程的原位研究,对SEI膜的力学性质进行原位分析。本文利用原位AFM技术,在锂电池电解液(Li PF_6/EC-DMC)中进行了铜单晶电极表面的原位研究,分析了Cu单晶电极/电解液界面在不同电位下SEI膜的层状结构和力学性质的变化。图1a为0.2 V时电极表面的力曲线,该图表明SEI膜具有层状结构。图1b为该电位下SEI膜厚度-杨氏模量统计图,图中可以看出1、2层的杨氏模量均小于1 Gpa,说明该层为有机层;而3、4层的杨氏模量均大于1 Gpa,表明其为无机层,且有机层的厚度大于无机层。更为详尽的工作正在开展之中。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第一分会：表面物理化学》期刊2016-07-01）
蒋卫斌,孔庆平,王先平,方前锋[4]（2015）在《纯铜单晶、双晶和多晶的内耗温度谱》一文中研究指出本实验利用Bridgman方法生长出叁个[001]转轴不同取向差的纯铜双晶,在多功能内耗仪上采用强迫振动方法,从室温到0.8T_M范围内对比测量了纯铜单晶、双晶和多晶试样的内耗温度谱。结果表明,真正的纯铜单晶中没有内耗峰出现。在升降温测量过程中,单、双晶试样棱角处非常容易生成新的小晶粒,从而在内耗曲线上产生微弱的内耗峰。这进一步证明了多晶中出现的内耗峰是大量不同类型晶界内耗峰的迭加。小角度晶界双晶和大角度晶界双晶的弛豫参量存在明显差别,这种差别是晶界微观结构的差异引起的,但其内耗峰的基本机制都可归因于晶界原子的扩散。(本文来源于《第十一届全国固体内耗与力学谱及其应用学术会议论文集》期刊2015-08-24）
塔力哈尔·夏依木拉提[5]（2013）在《酞菁铜单晶微纳场效应晶体管在气体传感器中的应用基础研究》一文中研究指出有机半导体场效应晶体管气体传感器相比于电阻式器件，由于具有灵敏度高、室温工作、易于集成以及独立的多参数等优点在气体传感器领域一直倍受人们关注。目前国际上报道的薄膜或微纳单晶场效应晶体管气体传感器都采用固体绝缘层。因此，半导体/绝缘层接触界面上不可避免的发生载流子束缚、电荷掺杂、分子（或原子）重构、偶极子的形成以及一些可能的化学相互作用，从而降低传感器的性能及稳定性。更主要的是固体绝缘层遮蔽了大部分对吸附分子最为敏感的导电沟道界面，影响了场效应晶体管气体传感器灵敏度的进一步提高。因此，如果把固态绝缘层用空气间隙来替代构筑器件，开展研究，不仅能保证半导体和绝缘层的良好的接触界面，提高器件性能、稳定性以及成功率，同时提供被测气体分子直接影响场效应晶体管最为敏感的导电沟道的通道。有望在灵敏度、响应速度和检测极限上获得突破。并且，采用微纳单晶材料有利于工作机理的探讨，为推动场效应晶体管型气体传感器的进一步发展和应用提供理论指导。酞菁铜不仅具有良好的化学、热稳定性，同时具有卓越的气敏特性，在有机气体传感器研究中倍受关注。本论文以酞菁铜为代表开展了酞菁铜单晶微纳场效应晶体管在气体传感器中的应用基础研究。主要内容如下：1.进行了酞菁铜单晶微纳场效应晶体管气体传感器在SO_2检测中的应用基础研究。成功构筑了具有高灵敏度、低检测极限、快速响应及在室温工作条件下完全恢复等优点的空气间隙为绝缘层的酞菁铜单晶微纳场效应晶体管SO_2传感器。其检测极限为0.5ppm，灵敏度和分辨率分别为119%和100ppb。对0.5ppm SO_2的响应-恢复时间分别为3min和8min。据我们所知，这是首次采用有机场效应晶体管作为SO_2气体传感器的报道，并且器件有些传感性能可与商用的化学传感器媲美；通过理论计算与实验结果相结合，研究了此类器件的响应机理。2．研究了空气间隙绝缘层酞菁铜单晶微纳场效应晶体管的多参数在气体甄别中的应用及其响应机理。提出了利用多参数和真值表结合，利用单个器件甄别NO_2、NO以及SO_2叁种有毒有害气体的简单明了的方法。根本原理上提高了半导体气体传感器的选择性。3.发展了一种提高基于有机单晶场效应晶体管性能的简单、有效的“气体增强法”。通过方法调控场效应晶体管的迁移率，开关闭以及阈值电压等参数。通过实验证实该方法具有一定的普适性。(本文来源于《东北师范大学》期刊2013-05-01）
马朝晖[6]（2012）在《提拉法生长铜单晶与铜单晶衬底制备研究》一文中研究指出铜以其良好的导电性、导热性、延展性、耐腐蚀性，被广泛用于电子信息、电力传输、国防装备、机械制造等领域，特别的具有单晶结构的铜在激光核聚变靶材等高新科技领域具有更广泛的应用前景。同时，单晶铜具有面心立方结构，其密排面晶面间距小、相干度大，单晶铜可以作为X射线衍射和中子衍射的单色器材料。与多晶铜相比，单晶铜由于不受晶界的影响而具有更加优异的力学和电学性能，是良好的衬底材料。铜单晶衬底在薄膜制备、表面基础科学、微电子技术等领域有重要的应用，衬底的质量直接影响薄膜和电子器件的性能，因此制备高质量的单晶衬底可以为后续器件的制备与研究提供可靠保障。针对铜单晶以及衬底制备过程中遇到的主要问题，本文研究主要结论如下：1.研究了提拉法制备铜单晶的工艺，并对提拉法制备铜单晶过程中的传热传质过程进行分析，并以此为依据对提拉工艺进行改进。提拉工艺参数为：在引晶、放肩和等径阶段晶体的自转速度为10~30r/min。提拉速度控制在0.01~10mm/min，通过调整生长参数，制备最大的单晶尺寸为Φ25×60mm~3。2.设计采用低压力抛光方法对铜单晶进行抛光，避免了抛光过程对铜单晶表面造成的损伤。抛光之后的样品表面粗糙度Ra可达1.7nm。化学机械抛光所使用的抛光液配方为：SiO_2溶胶1~5%wt，H_2O_20.3~1%wt，乙醇10~40%vt，甘油1~5%vt，其余部分为去离子水。3.研究铜单晶的浸蚀工艺，并通过浸蚀对铜单晶中的晶体缺陷进行分析。表面缓蚀法所使用的浸蚀液配方为：3%wt硝酸乙醇溶液或5%wt的稀盐酸。金相浸蚀所使用的浸蚀液配方为：A：硝酸50%vt，醋酸28%vt，磷酸22%vt；B：盐酸10%vt，氯化铁7%wt，乙醇50%vt，水50%vt。位错浸蚀液的最佳配方为： HNO_310%wt和(质量比)H_2O：HCl：FeCl3：KBr=80：10：3：1。通过对位错密度的分析得出：在抛光之前晶体表面位错密度为108~109个/cm~2，抛光后为1010~1011个/cm~2。4.研究了塑性变形之后的铜单晶在退火过程中多晶化现象。发生多晶化现象的最小压强为5.46×10~7Pa。多晶化转变的起始温度在300℃和400℃之间。500℃退火1h可以使应力损伤的储能能量完全释放。同时研究了晶界和“暗点”列在退火过程中的变化行为。研究认为为：退火过程中的位错运动是晶粒长大的动力之一。(本文来源于《辽宁大学》期刊2012-05-01）
娄有信,王继扬,张怀金,李强,严清峰[7]（2011）在《提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究》一文中研究指出采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为15 mm×60 mm。采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2011年06期）
石艳柯,张克实[8]（2011）在《铜单晶拉伸试样表面滑移带痕迹的晶体塑性分析》一文中研究指出采用建立在晶体塑性理论基础上的晶体塑性有限变形计算方法,针对铜单晶试样单轴拉伸过程中晶体滑移在试样表面留下的滑移带痕迹进行了数值研究.作者利用叁维有限元模拟不同取向铜单晶试样的拉伸变形,通过晶体塑性滑移面与试样表面交线的几何分析,得到了试样在不同晶向拉伸下不同滑移系启动造成的试样表面滑移痕迹,并对数值计算的试样表面滑移痕迹作了初步讨论.所得结果表明晶体塑性理论能够用于单晶试样拉伸试验的表面滑移带痕迹形成的分析.(本文来源于《固体力学学报》期刊2011年06期）
娄有信,王继扬,张怀金,李强[9]（2011）在《提拉法制备铜单晶研究》一文中研究指出采用提拉法生长出大尺寸(111)铜单晶,晶体尺寸为Ф (12~19)mm×85 mm。通过XRD、金相显微分析讨论了铜单晶的晶体结构与生长缺陷,并采用双臂电桥测定(111)铜单晶的电阻率。结果表明:晶体具有(111)取向、强度高,表明晶体取向良好;蚀坑呈典型叁角锥形,位错密度在105~106cm-2之间;在室温下,(111)铜单晶电阻率为1.289×10-8Ω·m。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2011年03期）
唐世红,赵北君,朱世富,肖怀安,姚超[10]（2011）在《铜单晶的定向方法研究》一文中研究指出采用改进的垂直布里奇曼法生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体,报道了一种铜单晶定向的新方法。将生长出的铜晶锭在浓度为40%的硝酸溶液中浸蚀10 min左右,晶锭表面出现取向一致的反光面,用激光正反射法对其表面的反光面进行初步定向,再参照X射线衍射回摆谱对晶面进行修正,得到了铜晶体的(111)、(200)和(220)晶面,进而得到任意所需的晶面。该方法对于制作铜单晶器件具有重要参考价值。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2011年02期）
铜单晶论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氮化镓(GaN)基半导体发光二极管(LED)的绝大多数衬底为蓝宝石(α-Al2O3),而α-Al2O3衬底具有价格昂贵、绝缘、导热性差、尺寸小(直径仅为2~4英寸)的缺点。与α-Al2O3衬底相比,一些金属衬底具有廉价、导电、导热、大面积且反射率高的优点,金属衬底不但能够直接作为LED的电极使用,而且有助于提升芯片散热性能和光反射作用,从而大大提升LED亮度。在自支撑的全金属衬底上,制备垂直导电结构的GaN基LED,能彻底解决在α-Al2O3等绝缘衬底上制备的横向导电结构GaN基LED中存在的电流拥挤问题,提高LED的功率,大大降低LED的生产成本。因而在金属上制备GaN薄膜具有重要的研究意义。从国内外的进展来看,在自支撑的金属衬底上直接生长GaN薄膜的报导很少。其主要原因是常规金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的生长温度高达1050℃左右,这使得很多金属衬底与GaN薄膜产生有害的界面反应,高温沉积会加速金属粒子扩散至GaN薄膜中,难以生长高质量的GaN薄膜。因此在金属上制备GaN薄膜需要一种低温的生长方法。本文使用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)低温生长设备,在自支撑的单晶Cu金属衬底上低温外延生长单一c轴取向的高质量GaN薄膜。实验以叁甲基镓(TMGa)为镓源,氮气(N2)等离子体为活性氮源,通过氮等离子体与TMGa反应在单晶Cu衬底上生成GaN薄膜,重点研究控制缓冲层和生长层的TMGa流量对外延生长Ga N薄膜性能的影响,并给出优化的生长参数。用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)光致发光谱(PL谱)以及电流—电压测试(I-V测试)等表征方法分析了GaN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能以及电学特性。其中,缓冲层沉积温度为300℃,其TMGa流量为1.1 sccm,生长时间30分钟,生长层沉积温度为450℃,其TMGa流量为1 sccm,生长时间3小时,GaN薄膜的质量最好,具有较好的晶体质量和较强的紫外发光峰;且GaN薄膜与金属Cu之间的接触特性为良好的欧姆接触。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铜单晶论文参考文献
[1].万菲菲,张蕊,周红英,张栋,任时.综合实验——谷氨酸铜单晶的制备及其晶体结构分析[J].广州化工.2018
[2].孙鹏.铜单晶衬底上GaN薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究[D].大连理工大学.2016
[3].王卫伟,谷宇,胡晓艳,唐帅,颜佳伟.锂电池电解液中铜单晶电极表面的原位AFM研究[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第一分会：表面物理化学.2016
[4].蒋卫斌,孔庆平,王先平,方前锋.纯铜单晶、双晶和多晶的内耗温度谱[C].第十一届全国固体内耗与力学谱及其应用学术会议论文集.2015
[5].塔力哈尔·夏依木拉提.酞菁铜单晶微纳场效应晶体管在气体传感器中的应用基础研究[D].东北师范大学.2013
[6].马朝晖.提拉法生长铜单晶与铜单晶衬底制备研究[D].辽宁大学.2012
[7].娄有信,王继扬,张怀金,李强,严清峰.提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究[J].人工晶体学报.2011
[8].石艳柯,张克实.铜单晶拉伸试样表面滑移带痕迹的晶体塑性分析[J].固体力学学报.2011
[9].娄有信,王继扬,张怀金,李强.提拉法制备铜单晶研究[J].人工晶体学报.2011
[10].唐世红,赵北君,朱世富,肖怀安,姚超.铜单晶的定向方法研究[J].人工晶体学报.2011