导读:本文包含了输运测量论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:中国散裂中子源,输运线,束测,束流位置测量
输运测量论文文献综述
孟鸣,徐韬光,李芳,徐智虹,杨涛[1]（2019）在《中国散裂中子源直线输运线束流位置测量系统》一文中研究指出介绍了针对中国散裂中子源(CSNS)的直线到环输运线(LRBT)所设计的条带式束流位置测量(BPM)系统,探头方案以条带式电极为基础进行物理设计及参数优化,并通过机械标定减少机械加工误差,电子学选用商用数据处理方案。此系统在加速器实际运行中有效提供位置信息,对在线测量数据采用奇异值分解(SVD)进行分析,根据分析结果,对束流轨道测量的精度达到预期设计目的,满足物理调束需求。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年06期）
王震[2]（2019）在《新型拓扑半金属及二维量子材料的输运测量》一文中研究指出新奇物性材料的发现往往会为基础研究的突破和电子器件的应用带来契机,对推动凝聚态物理学的发展有非常重要的作用。电输运以及热输运测量技术是凝聚态研究材料性质的最基本,也是最常用的方法。本篇博士论文采用电和热输运技术,结合其它辅助手段,研究了凝聚态物理领域前沿的两种新奇材料的量子输运性质,分别为:半金属磷化铌(NbP)中受自旋螺旋性保护的外尔费米子;新型热电材料锡化硒(SnSe)的电子结构和空穴掺杂的起源。狄拉克、外尔以及马拉约那费米子是狭义相对论框架下的叁种基本费米子。但迄今为止,除了狄拉克费米子,高能物理实验上仍然没有发现另外两种费米子。凝聚态物理为研究这种相对论性粒子提供了一条捷径。理论和第一性原理计算预言,在一些特殊的固体材料里面,准粒子的集体模式可以模拟这些费米子的行为。我们通过量子输运、热电势和能斯特效应研究发现,在磷化铌这种半金属材料里面的确存在外尔费米子。对于无质量外尔费米子,自旋螺旋性将自旋和动量的方向锁定,这种锁定会显着降低载流子的背散射几率,所以NbP在低温下的迁移率可以高达107cm2V-1S-1。我们发现,这些外尔费米子对磁性杂质非常敏感。非磁性杂质比如Zn和Cu的掺杂对输运几乎没有影响,但磁性杂质比如Fe或者Cr显着降低了 NbP的迁移率。我们的研究首次证实了固体中自旋螺旋性对外尔费米子的保护作用。给固体施加温度梯度时,沿着梯度方向会产生热电势。我们可以用这种效应来直接将热能转换为电能,也可以利用它的逆效应来制冷。我们用热电优值(ZT=S2σT/k)来衡量热电材料的性能。一个良好的热电材料既要有高热电势(S),高电导率(σ)也要有低热导率(K)。一个热电材料只有当ZT高于2以上时,其转换效率才可以提高到具备大范围应用的价值。锡化硒(SnSe)是最近发现了一种新型的热电材料,沿特定方向其ZT在973K可以达到2.6。但到目前为止,关于其电子结构以及p型导电的起源仍然缺乏足够认识。我们通过量子振荡结合角分辨光电子能谱研究,首次发现了 SnSe中存在准线性色散关系的pudding形费米面。这种pudding形费米面对SnSe中高电导和高热电势起到了决定性的作用。此外,我们发现SnSe晶体层间广泛存在SnSe2微畴,这些微畴和SnSe之间形成了载流子转移,导致了 SnSe中的空穴型导电。转角量子振荡发现SnSe存在叁维的费米面,这和其二维黑磷结构以及理论预言的弱层间耦合作用不一致,我们发现在SnSe中存在一种特殊的相间层间点位移,这些缺陷将具有相同铁电极化场的相间层间连接起来,增强了层与层之间的耦合作用。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-05-30）
彭红花,涂传火,王帅,秦强,朱贵凤[3]（2018）在《放射性气溶胶测量腔室内颗粒输运沉积模拟研究》一文中研究指出核设施运行过程中,需要对放射性气溶胶进行连续监测,以保护工作人员的辐射安全。本文利用流体力学仿真软件Fluent,以放射性气溶胶监测仪的测量腔室作为研究对象,采用离散相模型(Discrete Phase Model, DPM)对其内的气溶胶粒子进行输运沉积模拟与分析。结果表明:气溶胶颗粒输运沉积受到粒子尺寸、流速及流动空间等影响。一定范围内,颗粒的流速越大、尺寸越小,则在测量腔室内透过率越高,即到达腔室出口测量滤膜上被探测到的气溶胶粒子数目越多。当气溶胶粒径在1~2μm,入口流速为1.85~3.18 m·s-1时,颗粒穿透率在80%~60%。模拟结果可为后续相关放射性气溶胶颗粒输运沉积、处理、探测效率等提供参考。(本文来源于《核技术》期刊2018年11期）
王源道[4]（2018）在《NaFe_(1-x)Cu_xAs的单晶生长及输运性质的测量》一文中研究指出简单描述了铁基超导体的结构并且介绍了其中可能包含的轨道区分的莫特相变。最近,人们发现在NaFeAs体系中,Cu的掺杂除了在材料中诱导出超导,还可能引入新的绝缘态,并且这一绝缘态很可能跟人们长期寻找的轨道区分的莫特相变有关。为了对这一可能性进行验证,我们发展了111体系单晶生长方法,生长出了一系列Na Fe_(1-x)Cu-_xAs单晶并进行了磁化率与电阻的测量。我们发现Cu的掺杂可以压制NaFeAs母体中的正交/反铁磁相变,并且诱导出超导电性。在掺杂浓度为0.022左右体系为最佳掺杂。随着Cu掺杂的进一步增加,超导会被压制,并且材料表现出一定的绝缘性。这一绝缘性与掺杂浓度为50%的绝缘行为是一致的。我们的结果将有助于我们进一步理解NaFe_(1-x)Cu_xAs中可能存在的莫特转变并将为理解铁基超导中的磁性和超导机制提供进一步的实验证据。(本文来源于《中学课程辅导(教师通讯)》期刊2018年02期）
王庆林,王文军,高春晓[5]（2017）在《超高压下物质电输运性质的精确测量——薄膜与图形化技术的应用》一文中研究指出金刚石对顶砧(DAC)是目前唯一能够产生百万大气压以上静态压力的科学装置,在高压科学研究中不可替代。基于DAC的高压下原位物理量探测的技术创新,决定了现代高压科学研究的主要特征。随着科学技术的快速发展,常压下能够测量的物理量,在高压下也被逐次突破,使高压下物质科学研究更加广泛和深入。每次高压下原位测量手段的突破,都会拓展和丰富高压科学研究的内涵。高压电输运测量不仅在高压基础研究中占有重要的地位,起着推动高压实验技术发展的作用,还可以在实践中为人们提供重要的参考信息,有很大的实用价值。在高压电学研究技术的最初发展过程中,绝大多数DAC上的电学实验都采用手工布置电极的引线方式。得益于薄膜沉积技术和微加工技术的发展,金属电极现在也可以直接沉积在金刚石砧面上,从而发展出一种全新的引线方式——集成法,即电极是被沉积在金刚石砧面上的,电极形状和位置事先可以精确地设计好,在高压下电极几乎不发生形变,位置也不随压力改变,从而为高压下原位精确测量各种电输运参量提供了可能~(1-5)。(本文来源于《TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2017-08-19）
张旭[6]（2017）在《La_（2-x）Ce_xCuO_（4±δ）热输运特性研究与测量杆设计》一文中研究指出通过热输运的研究可以得到超导体的费米面结构、量子临界点、磁通动力学性质以及超导涨落等相关信息,但其对测量精度的高要求一直制约着热输运的实验进展。为了实现热输运的基础测量,本文致力于对新型热输运测量杆的设计,并对La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)热输运实验数据做了深入分析。其具体研究如下:(1)我们基于综合物性测量系统(PPMS)设计了新型热输运测量杆,该测量杆采用双屏蔽层、双热沉设计,成功减小了冷端温度漂移和热端热涨落。在建立最大限度的温度梯度下,热涨落小于2%。测量线为一体化设计,最大程度地减少了导线的节点数量,降低噪声对测量信号的影响。该测量杆的测量曲线平滑,可实现对微小信号的精确测量。(2)我们通过对不同掺杂La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)样品Seebeck数据的分析,验证了该体系费米面的结构变化—从欠掺杂区的电子带,到最佳掺杂附近的电子-空穴带共存,再到过掺杂区形成空穴带的演化过程。在x=0.15时,通过低温正常态S-T曲线不过原点的现象,我们推测在过掺杂区(至少x≤0.15)可能有电子带的存在。声子对电子的曳引作用存在于很广的掺杂区域,其特征温度在80K左右。在外加磁场的测量中发现,不同掺杂样品的正常态Seebeck信号均不随磁场变化。(3)通过对x=0.11和x=0.15的La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)样品的Nernst测试,我们得到以下3个结论:1)最佳掺杂La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)(x=0.11)样品的正常态Nernst信号与磁场呈线性关系;2)在高于Tc的温度区域,最佳掺杂La_(2-x)Ce_xCuO_(4±δ)样品存在高斯型的超导振幅涨落,由该涨落引起的Nernst特征场H*(Nernst的极大值所对应的磁场)随着温度的升高而增大。3)我们利用USH理论成功解释了在振幅涨落区Nernst信号随温度、磁场的变化规律,以及在低磁场下/SCN B不随磁场变化的实验现象。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2017-05-01）
石弼钊[7]（2016）在《磁性薄膜的有效垂直磁各向异性场的全输运测量》一文中研究指出采用磁控溅射方法,通过金属掩膜板制备了霍尔棒形状"CoFeB/MgO"体系薄膜样品,其中CoFeB层厚度为1.0nm、1.1nm、1.2nm,利用垂直温度梯度的反常能斯特效应和反常霍尔效应对其相关磁输运特性进行了测量,所得结果可分别等效为常规面内和垂直方向的磁滞回线,并由此获得了薄膜的有效垂直各向异性场.(本文来源于《物理实验》期刊2016年11期）
魏素敏,宋国芳,李明,卢晓通,李世强[8]（2015）在《串列升级工程束流输运系统南向开关磁铁磁场测量》一文中研究指出串列升级工程质子束流管道系统在加速器南向有叁条质子管道,加速器引出的束流先传输到公共质子管道中,在经过一台南向开关磁铁后,被分配到不同的质子管道中。其中南向开关磁铁需将质子束偏转45°、27°;在使用前需进行磁场测量,利用叁维平台及Group3测磁仪进行垂直方向上磁场测量。测量结果显示电流值为210 A时,磁铁中心最高磁场可达1.3T。(本文来源于《中国原子能科学研究院年报》期刊2015年00期）
李旭瑞[9]（2016）在《磁电输运测量系统及透明导电氧化物半导体特性研究》一文中研究指出随着芯片特征尺寸的不断减小,传统半导体技术正在逼近物理极限,业界开始寻找新的方案来替换目前流行的硅工艺技术。宽禁带半导体以及自旋电子器件等技术的崛起让业界看到了新的希望。其中,宽禁带半导体也被称为第叁代半导体。相对前两代半导体,它们具有更大的带宽、更高的击穿电压以及更大的饱和电子漂移率等特性,更适于构造性能良好的高频高速器件、功率器件、发光器件以及高密度集成器件等,在集成电路、电子通信以及光电等领域都存在了很大的市场潜力。而当芯片特征尺寸与电子的de Broglie波长相比拟时,就会出现一系列的量子效应,这些效应如果考虑不周,可能会给当前的电子线路带来危害。但是反过来,如果能够掌控并利用这些效应,构造出相应的量子自旋器件,则能使得器件工作于更低功耗、更高集成密度的场景,这必将大大提高集成电路的信息处理能力。透明导电氧化物(TCO)半导体是宽禁带半导体中的一大分支,有望在场效应晶体管(FET)、隐形电子器件以及平板显示等多方面发挥巨大的作用。然而相对于传统的n型TCO半导体,p型TCO较低的导电性及透过率在一定程度上阻碍了TCO器件的发展。CuCr1-xMgxO2(CCMO)是同类型结构中电导性能最好的p型半导体。同时,其独特的磁电特性让它在自旋电子器件领域也有非常光明的应用前景,因此近年来成为了一大研究热点。本文对CCMO样品的多种特性进行了表征分析及模型建立,并利用这些获得的特征参数构造出性能良好的TCO异质结器件,有望加速其在新一代室温电子器件方面的应用。当然,随着半导体器件向着低功耗、高频率等特性方向发展的同时,其特征信号的捕获也变得越来越具有挑战。传统的测量技术已经越来越难以满足精密性和速度等方面的需求,尤其是在新型半导体器件研发过程中经常伴随的高频、强磁场以及极限温度等复杂环境下,如何准确获取器件参数是业界正在考虑的问题。本研究工作针对以上提出的一些技术挑战,研发了兼具精度、速度、稳定易用等特性的输运数据采集分析系统,以便在研发新型半导体器件的过程中起到一定的推动作用。本文的主要工作和创新点包括以下几点：1.研发了基于数字锁相放大技术的输运数据实时测量系统以及复杂环境下自动化半导体电学特性采集分析系统。其中数字锁相输运实时测量系统的主要创新点如下：(a)利用数字锁相技术采集交流信号,采用了独立的编程可控信号源,并引进相位标记技术给锁相放大器提供参考信号。整个系统能够实现良好的噪声抑制,兼具测量精度与速度,并能研究交流输运特性。(b)测量由程序控制自动进行,速度相对于其他传统方法提高了数十倍。信号实时采集,测量结果准确并且密集。(c)程序架构设计合理,主体使用状态机以及生产者消费者等设计模式,稳定性和可扩展性强。而半导体电学特性采集分析系统主要创新点如下：(a)本系统可进行深低温、强磁场等复杂环境下的多种半导体电学参数的测量,经过后台算法对数据进行处理后,最终结果将自动保存为设定的数据格式。(b)程序控制自动化进行变磁场、变温输运的测量。前面板拥有良好的人机交互界面,可实时显示特性曲线及特征参数。各项功能利用事件结构中的动态调用,实现良好的解耦特性,增强了程序架构的稳定性。(c)整个系统屏蔽措施良好,测量结果精确。可精确提供皮安级别的恒定电流以及获得纳伏级别的电阻电压和霍尔电压,能够精确测量超低或者超高电阻值样品的磁电特性。测量技术主要采用范德堡法,对样品形状要求低。程控自动切换引脚,增强了系统的稳定性及速度。(d)能研究复杂环境下不同光照对样品各种输运特性的影响及复杂环境下的光生载流子特性。并且样品与光源完全隔离,可以忽略光源发热对样品的影响。2.结合太赫兹反射谱与霍尔测试,深入研究了CCMO样品的载流子动力学。研究结果表明：(a)CCMO样品的太赫兹反射谱在15 THz左右的峰位被识别为特征峰,并且该特征峰中心随温度升高而出现红移。在低于6 THz的频率范围内,其自由载流子吸收效应变得更加突出。(b)对于x=0.02,0.06,和0.10的样品,霍尔系数的温度依赖趋势分别在220,206和194 K下显示了一个转折点。该现象可以归因于载流子输运机制从热激活模式转变为叁维变程跃迁模式。(c)通过使用Lorentz-Drude模型对太赫兹谱进行拟合计算,能够获得与电学表征手段得到的基本一致的电学特性,该方法为在电学测量出现困难的时候提供另一种获得样品电学参数的路径。3.通过对CCMO的光电磁等多项特性进行表征和拟合计算,详细分析了其能带结构、跃迁模型以及振动模式等。研究结果表明：(a)结合Tauc-Lorentz模型对CCMO的变温透射谱进行拟合计算,证明其价带顶由Cr 3d特性主导。Cr离子的自旋-轨道相互作用使CCMO的3d态更加分散,从而可以导致比较高的导电特性。(b)在荧光谱1.8 eV附近发现了强烈的激子激发,这是由CCMO天然低维度结构引起的,并且可通过温度和空穴浓度调制。(c)对于x=0.02和0.04的样品,发现了异常的带隙温度依赖特性。在低温区,随着温度的减小,带隙显示红移。这是由Cr-O-Cu在价带的上半部分强烈的相互作用引起的。该相互作用同样也导致了拉曼振子Eg的异常温度依赖特性。这个效应可以通过增大Mg组分而削弱。(d)通过结合极低温度下低频太赫兹谱及磁阻震荡的研究,建立了考虑自旋反转效应修正的跃迁能级模型。(e)在20 K左右CCMO会经历连续两个磁相变过程。在相变过程中,其内在结构由平面转为螺旋立体结构,这使得x=0.06和0.10的样品在最低的温度范围内Eg和Eu振动模式随温度下降重新出现红移模式。4.设计了基于CCMO的异质结器件,通过研究其电流-电压(I-V)特征曲线及磁场下的电学特性,详细讨论了其内在输运机制,探讨了该类器件室温应用的前景。研究成果如下：(a)成功研制了以p型半导体CCMO为基础的异质结器件,该器件具有良好的电学特性。(b)磁场下界面附近的自旋向下载流子和远离界面区域的自旋向上的载流子的反平行自旋极化之间的散射导致了的该异质结样品的正磁阻效应。(c)在低偏压区域,该器件的电流是由隧穿效应支配的,并且在室温下存在可控的磁阻效应,表明其非常适合于构造低功耗隧穿电子器件。(本文来源于《华东师范大学》期刊2016-05-01）
张超,方粮,隋兵才,徐强,王慧[10]（2014）在《基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量》一文中研究指出利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小.当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时,纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系.同时利用低温聚焦电子束刻蚀,在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量.通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应,发生了电子隧穿现象;而300 K时,热扰动提供的能量使这种现象消失.(本文来源于《物理学报》期刊2014年24期）
输运测量论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
新奇物性材料的发现往往会为基础研究的突破和电子器件的应用带来契机,对推动凝聚态物理学的发展有非常重要的作用。电输运以及热输运测量技术是凝聚态研究材料性质的最基本,也是最常用的方法。本篇博士论文采用电和热输运技术,结合其它辅助手段,研究了凝聚态物理领域前沿的两种新奇材料的量子输运性质,分别为:半金属磷化铌(NbP)中受自旋螺旋性保护的外尔费米子;新型热电材料锡化硒(SnSe)的电子结构和空穴掺杂的起源。狄拉克、外尔以及马拉约那费米子是狭义相对论框架下的叁种基本费米子。但迄今为止,除了狄拉克费米子,高能物理实验上仍然没有发现另外两种费米子。凝聚态物理为研究这种相对论性粒子提供了一条捷径。理论和第一性原理计算预言,在一些特殊的固体材料里面,准粒子的集体模式可以模拟这些费米子的行为。我们通过量子输运、热电势和能斯特效应研究发现,在磷化铌这种半金属材料里面的确存在外尔费米子。对于无质量外尔费米子,自旋螺旋性将自旋和动量的方向锁定,这种锁定会显着降低载流子的背散射几率,所以NbP在低温下的迁移率可以高达107cm2V-1S-1。我们发现,这些外尔费米子对磁性杂质非常敏感。非磁性杂质比如Zn和Cu的掺杂对输运几乎没有影响,但磁性杂质比如Fe或者Cr显着降低了 NbP的迁移率。我们的研究首次证实了固体中自旋螺旋性对外尔费米子的保护作用。给固体施加温度梯度时,沿着梯度方向会产生热电势。我们可以用这种效应来直接将热能转换为电能,也可以利用它的逆效应来制冷。我们用热电优值(ZT=S2σT/k)来衡量热电材料的性能。一个良好的热电材料既要有高热电势(S),高电导率(σ)也要有低热导率(K)。一个热电材料只有当ZT高于2以上时,其转换效率才可以提高到具备大范围应用的价值。锡化硒(SnSe)是最近发现了一种新型的热电材料,沿特定方向其ZT在973K可以达到2.6。但到目前为止,关于其电子结构以及p型导电的起源仍然缺乏足够认识。我们通过量子振荡结合角分辨光电子能谱研究,首次发现了 SnSe中存在准线性色散关系的pudding形费米面。这种pudding形费米面对SnSe中高电导和高热电势起到了决定性的作用。此外,我们发现SnSe晶体层间广泛存在SnSe2微畴,这些微畴和SnSe之间形成了载流子转移,导致了 SnSe中的空穴型导电。转角量子振荡发现SnSe存在叁维的费米面,这和其二维黑磷结构以及理论预言的弱层间耦合作用不一致,我们发现在SnSe中存在一种特殊的相间层间点位移,这些缺陷将具有相同铁电极化场的相间层间连接起来,增强了层与层之间的耦合作用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
输运测量论文参考文献
[1].孟鸣,徐韬光,李芳,徐智虹,杨涛.中国散裂中子源直线输运线束流位置测量系统[J].强激光与粒子束.2019
[2].王震.新型拓扑半金属及二维量子材料的输运测量[D].浙江大学.2019
[3].彭红花,涂传火,王帅,秦强,朱贵凤.放射性气溶胶测量腔室内颗粒输运沉积模拟研究[J].核技术.2018
[4].王源道.NaFe_(1-x)Cu_xAs的单晶生长及输运性质的测量[J].中学课程辅导(教师通讯).2018
[5].王庆林,王文军,高春晓.超高压下物质电输运性质的精确测量——薄膜与图形化技术的应用[C].TFC’17全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2017
[6].张旭.La_（2-x）Ce_xCuO_（4±δ）热输运特性研究与测量杆设计[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2017
[7].石弼钊.磁性薄膜的有效垂直磁各向异性场的全输运测量[J].物理实验.2016
[8].魏素敏,宋国芳,李明,卢晓通,李世强.串列升级工程束流输运系统南向开关磁铁磁场测量[J].中国原子能科学研究院年报.2015
[9].李旭瑞.磁电输运测量系统及透明导电氧化物半导体特性研究[D].华东师范大学.2016
[10].张超,方粮,隋兵才,徐强,王慧.基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量[J].物理学报.2014