硬开关论文-Jordi,Everts,Pieter,Jacqmaer,Ratmir,Gelagaev,Johan,Driesen,Jeroen,Van,den,Keybus

硬开关论文-Jordi,Everts,Pieter,Jacqmaer,Ratmir,Gelagaev,Johan,Driesen,Jeroen,Van,den,Keybus

导读:本文包含了硬开关论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:硬开关,新标准,新型设计,MOSFET

硬开关论文文献综述

[1](2015)在《OptiMOS~(TM) 300V提高硬开关应用的效率,支持新型设计》一文中研究指出英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出OptiM OSTM 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300 V OptiM OSTM的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源(UPS)、电机控制、工业电源、和DC/AC逆变器等领域的市场领导地位。新推出的OptiM OS 300 V有助于提高功率密度,降低系统成本,并提供更高的可靠性。而对于最终用户,这意味着节省能源成本。譬如,在AC/DC变换器的硬开关应用中,OptiM OS 300 V可以将电能损耗降低50%。这可让设计人员提高开关频率,因(本文来源于《电子设计工程》期刊2015年12期)

谭果[2](2013)在《一种硬开关全桥输出带预偏电压启动的方案》一文中研究指出为了防止带有同步整流的硬开关全桥在预偏置启动时出现反灌电流的现象,提出了一种实现简单、性能优越的带预偏电压启动的方案。该方法是在电源启动前,先检测输入输出电压,然后将参考值与环路的输出设置成与输出电压相对应值,最后使输出电压在预偏电压处单调上升。在输入电压为48V,输出电压为12V/20A的电源模块上验证了该方法。通过实验证明,新的方法无需增加硬件成本,并且具有可靠性高、实现简单、效率高的优点。(本文来源于《通信电源技术》期刊2013年06期)

Jordi,Everts,Pieter,Jacqmaer,Ratmir,Gelagaev,Johan,Driesen,Jeroen,Van,den,Keybus[3](2011)在《用硬开关VIENNA Boost转换器描述AlGaN/GaN/AlGaN功率双异质结场效应晶体管》一文中研究指出一种高频、硬开关boost转换器(VIENNA拓扑)被用来描述新型AlGaN/GaN/A1GaN功率双异质结场效应晶体管(DHEFTs)在运行状态下的特性。这种变换器可以让我们精确地测量出功率电路设计中最重要的器件参数(动态开通电阻R_(dyn),门极漏极电荷Q_(gd),密勒电荷Q_(gd),开通电压V_(th),开关时间t_(on)和t_(off),质品因数FOM……)。通过采用正确的测量手段和自行开发的精确度/分辨率改进电路可以实现高度准确性。在A1GaN/GaN/AIGaN DHEFTs样品上进行的动态开通电阻和门极电荷的测量得到了很好的结果。(本文来源于《电力电子》期刊2011年01期)

G.Aloise,M.-A.Kutschak,D.Zipprick,H.Kapels,A.Ludsteck-Pechloff,查祎英[4](2010)在《一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件》一文中研究指出新型CoolMOS~(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Q_(rr)和t_(rr)的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这种具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。(本文来源于《电力电子》期刊2010年05期)

张振松[5](2010)在《计算机控制多功能IGBT硬开关型逆变焊机开发》一文中研究指出随着计算机控制技术的进步和新型开关器件的推出,弧焊逆变电源朝着多功能化、数字化方向发展,对所配置的电源系统静态和动态性能指标提出了更严格要求:具有良好的外特性和动特性控制,以满足各种焊接工艺方法和不同场合的要求;具有相当宽的输出量连续调节范围和优良的动态响应指标,来保证电弧过程的持续稳定;为满足这些要求,本课题研制开发计算机控制的多功能IGBT逆变弧焊电源。本系统选用全桥式拓扑结构作为主电路的形式,以IGBT管为功率开关器件,中频变压器使用微晶磁心;结合DSP芯片自身的特点,设计了以TMS320LF2407为核心的控制系统,焊接电压、电流的调节特性和外特性形状控制,采用PWM调制;借助输出电压采样和霍尔元件,设计了电流、电压反馈电路,形成了闭环控制系统。并针对焊接过程中可能出现的过电流、过热、过/欠电压等故障,设计了相应的保护电路和报警电路;为了实现本设计逆变电源多种电气的输出特性,专门设计了相应的软件系统;同时对控制系统的抗干扰措施进行了研究。最后进行了焊机的安装与调试,组装整机,进行焊接工艺试验。试验表明,本课题所研制的多功能IGBT逆变焊机焊接产品具有很好的一致性、性能稳定可靠、控制精度高、功能丰富,达到了预期的效果。(本文来源于《太原科技大学》期刊2010-07-01)

范子超,刘文华,宋强,李建国[6](2008)在《适于硬开关变流器的IGCT/二极管综合模型》一文中研究指出随着装置可靠性要求的不断提高,在大功率变流器中考虑器件特性具有重要意义。本文给出了在硬开关条件下应用器件功能模型的一般化方法,并以当前研究较少的IGCT为例,阐述了开通电压和关断电流的确定方法。在此基础上,提出了一种将全控器件与其反并联二极管综合考虑的功能模型,可用于仿真变流器器件电压电流波形、估算装置损耗。此模型应用于H桥链节的背靠背等价试验中,试验结果与仿真波形吻合,实测损耗与估算结果一致,验证了其可行性和正确性。(本文来源于《电工技术学报》期刊2008年03期)

周吉鹏,曹允,孙伟峰,吴建辉[7](2007)在《PDP能量恢复电路硬开关问题的研究》一文中研究指出等离子显示器在没有能量恢复电路的情况下,功耗很大,不能广泛实用,因此能量恢复电路是驱动电路中至关重要的部分.能量恢复电路中的高压开关MOSFET的硬开关问题,会导致PDP电路中的较大的放电电流,增大电磁干扰(EMI),影响整机性能.硬开关问题是近年来PDP电路研究的重点之一.本文通过对经典能量恢复电路及其寄生效应进行理论分析,指出电路及其元件中的寄生效应是电路中主要MOSFET产生硬开关问题的主要原因,由此分析了研究了改进这一问题的几种方法.(本文来源于《电子器件》期刊2007年02期)

王汝锡,李锦,刘进军[8](2007)在《一种零电流转换软开关逆变器的损耗分析及其与硬开关逆变器的效率比较》一文中研究指出通过在理论上对硬开关逆变器和一种零电流转换软开关逆变器的损耗分析,并且对软开关以及硬开关逆变器分别在不同功率等级,不同开关频率下进行了效率的比较,最终得到了零电流软开关逆变器与硬开关逆变器在效率方面的比较结果,最后给出了提高软开关逆变器效率的可能性。(本文来源于《电源技术应用》期刊2007年01期)

Gerald,Deboy,Fanny,Dahlquist,Tobias,Reimann,Marco,Scherf,亢宝位[9](2006)在《最新超结功率MOSFET使大功率硬开关拓扑电路的使用成为可能》一文中研究指出无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开关速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。(本文来源于《电力电子》期刊2006年04期)

Folker,Renken[10](2005)在《用于不间断电源的硬开关和软开关逆变器》一文中研究指出为了减少滤波成本,人们不断提高不间断电源中逆变器的脉冲调制频率。在这类逆变器中,有一部分固定损耗是由开关过程引起的。应用软开关技术可以显着减少这些损耗。本文将描述用于不间断电源中具有硬开关和软开关的逆变器。首先,给出逆变器的效率曲线。然后,在实际测量的基础上,分析逆变器的总损耗,开关损耗被分成开关损耗和导通损耗两部分。最后,互比两者的结果。(本文来源于《电力电子》期刊2005年03期)

硬开关论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

为了防止带有同步整流的硬开关全桥在预偏置启动时出现反灌电流的现象,提出了一种实现简单、性能优越的带预偏电压启动的方案。该方法是在电源启动前,先检测输入输出电压,然后将参考值与环路的输出设置成与输出电压相对应值,最后使输出电压在预偏电压处单调上升。在输入电压为48V,输出电压为12V/20A的电源模块上验证了该方法。通过实验证明,新的方法无需增加硬件成本,并且具有可靠性高、实现简单、效率高的优点。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

硬开关论文参考文献

[1]..OptiMOS~(TM)300V提高硬开关应用的效率,支持新型设计[J].电子设计工程.2015

[2].谭果.一种硬开关全桥输出带预偏电压启动的方案[J].通信电源技术.2013

[3].Jordi,Everts,Pieter,Jacqmaer,Ratmir,Gelagaev,Johan,Driesen,Jeroen,Van,den,Keybus.用硬开关VIENNABoost转换器描述AlGaN/GaN/AlGaN功率双异质结场效应晶体管[J].电力电子.2011

[4].G.Aloise,M.-A.Kutschak,D.Zipprick,H.Kapels,A.Ludsteck-Pechloff,查祎英.一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件[J].电力电子.2010

[5].张振松.计算机控制多功能IGBT硬开关型逆变焊机开发[D].太原科技大学.2010

[6].范子超,刘文华,宋强,李建国.适于硬开关变流器的IGCT/二极管综合模型[J].电工技术学报.2008

[7].周吉鹏,曹允,孙伟峰,吴建辉.PDP能量恢复电路硬开关问题的研究[J].电子器件.2007

[8].王汝锡,李锦,刘进军.一种零电流转换软开关逆变器的损耗分析及其与硬开关逆变器的效率比较[J].电源技术应用.2007

[9].Gerald,Deboy,Fanny,Dahlquist,Tobias,Reimann,Marco,Scherf,亢宝位.最新超结功率MOSFET使大功率硬开关拓扑电路的使用成为可能[J].电力电子.2006

[10].Folker,Renken.用于不间断电源的硬开关和软开关逆变器[J].电力电子.2005

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