导读:本文包含了单刀单掷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:K波段,单刀单掷开关,阻抗提取
单刀单掷论文文献综述
朱贵德[1]（2018）在《K波段单刀单掷开关研制》一文中研究指出文中介绍了一种K波段(20GHz~33GHz)宽带单刀单掷开关的设计方法。整个设计过程使用HFSS软件完成,通过提取二极管精确的阻抗参数设计出了K波段宽带单刀单掷开关。最终加工测试开关在20~33GHz频段内差损小于0.8dB,隔离度大于25dB,并且开关时间在2ns左右。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(下册)》期刊2018-05-06）
苏斌,朱建立,姚常飞[2]（2016）在《76～85GHz集成单刀单掷开关研究》一文中研究指出为了解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,基于0.1 mm厚2英寸熔制石英薄膜电路工艺,研制出了应用于W波段PIN二极管单刀单掷开关。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了3个SPST开关作了测试,测试结果为,在76~85 GHz频率范围内,开关插损小于1.3 d B,不一致性小于0.5 d B;开关隔离度大于20 d B;开关响应时间、导通时间、关断时间小于20 ns;开关尺寸3.2 mm×3.2 mm。结果表明,该开关可作为接收保护开关和发射调制开关应用于W波段收发组件中。(本文来源于《微波学报》期刊2016年04期）
周勇涛,凡守涛,许春良,魏绍仁[3]（2016）在《Ka波段高隔离单刀单掷开关设计》一文中研究指出pin二极管具有导通电阻小、响应速度快及截止频率高等特点,在微波控制电路中常用于制作微波开关。基于pin二极管,研究了具有高隔离特性的Ka波段微带型单刀单掷开关。通过采用多级开关芯片统一馈电的新型电路结构,在Ka波段实现了优于90 dB的开关隔离。采用ADS和HFSS软件对设计的电路进行联合仿真,并进行了实物加工。实测结果表明,在设计的频段内(f_0±1 GHz)开关电路的输入和输出回波损耗均不小于10 dB,插入损耗不大于3.5 dB,隔离度不小于90 dB以及开关时间(上升沿和下降沿)不大于2 ns。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年08期）
姚常飞,罗运生,周明,赵博[4]（2015）在《91～98GHz集成单刀单掷开关设计》一文中研究指出为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2015年06期）
王海波,郭青华,赵晖[5]（2015）在《Ka波段单刀单掷反射式波导开关的设计》一文中研究指出本文通过Al Ga As材料的反射式并联PIN二极管开关,设计了一种Ka波段单刀单掷反射式波导开关。首先用高频分析软件HFSS对波导微带过渡进行仿真设计,提出在绝缘子上加载阶梯型圆柱金属套筒作为同轴耦合探针来实现Ka波段波导微带过渡;然后研究传输线与开关连接处在小信号时的电路等效模型,分析寄生参数和键合金丝电感,设计开关的输入输出匹配。实物验证结果表明:在27.5GHz~36GHz范围内,插入损耗小于1.4d B,回波损耗优于-10d B,关断隔离度大于-37d Bc。(本文来源于《2015年全国微波毫米波会议论文集》期刊2015-05-30）
刘聪,周翼鸿,李天明[6]（2012）在《一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关》一文中研究指出射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于上述需求,利用了射频开关模块设计的基本原理,并结合了PCB上微带线的特性阻抗分析,且设计了合适的开关驱动电路,最终设计出一种高隔离度,低插入损耗,高速射频开关,开关控制电压为(0,-5V)。在频率2～4GHz的条件下,插入损耗小于1.7dB,隔离度大于48dB,结果满足设计要求。(本文来源于《现代电子技术》期刊2012年02期）
贾玉伟,许春良,魏洪涛,喻梦霞,高学邦[7]（2009）在《一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片》一文中研究指出采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线。该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构。工作频率8～10GHz,整个带内插入损耗小于0.7dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9GHz点频下测得1dB压缩点输入功率大于31dBm,芯片内部集成偏置电路,采用+5V/-5V供电,在+5V工作条件下,电流20mA。该芯片面积为2.0mm×1.4mm。(本文来源于《半导体技术》期刊2009年07期）
蒋东铭,陈新宇,蒋幼泉,黄子乾,冯欧[8]（2009）在《基于GaAs PIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片》一文中研究指出采用3英寸圆片GaAs PIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAs PIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点,工作频段25～40GHz,输入端在关断态下采用非反射设计。在片测试表明,导通态下开关插损小于1.2dB,驻波优于1.5,关断态下隔离度大于20dB,驻波优于2.5。开关在导通态下1dB功率压缩点P_(-1)大于1W。(本文来源于《2009年全国微波毫米波会议论文集（下册）》期刊2009-05-23）
吴茹菲,张健,尹军舰,张海英[9]（2008）在《C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关(英文)》一文中研究指出基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5 ~7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年05期）
周立衡[10]（2007）在《八毫米波段PIN管单刀单掷开关的研究》一文中研究指出毫米波开关是毫米波控制电路的重要组成部分，是雷达和测试系统中的关键部件之一。本文对基于PIN管的Ka(26.5-40GHz)波段单刀单掷开关进行了研究，在分析了PIN管特性及单刀单掷(SPST)开关原理的基础上，做了以下几个方面工作：(1)利用MATLAB软件对鳍线的传输特性、鳍线到波导的过渡段进行了仿真设计，采用HFSS软件对鳍线PIN管单刀单掷开关进行了研究，所设计的鳍线开关具有平坦的插入衰减和高隔离度特性，满足设计要求。(2)采用ADS软件对微带线PIN管单刀单掷开关进行了仿真设计，仿真结果表明在33.5—36GHz的范围内，开关的插损小于1dB，隔离度大于30dB，具有良好的开关特性。(3)研制出微带线PIN管单刀单掷开关，测试结果表明开关的插损大约2.5dB，开关的隔离度大于20dB，并将测量结果与仿真结果进行了比较，分析了实物开关性能下降的原因。(4)介绍了几种改进开关性能的方法，分析了宽带滤波器型开关原理并利用ADS软件仿真，仿真结果表明该种开关能够展宽传输状态下的频带。(本文来源于《南京理工大学》期刊2007-06-01）
单刀单掷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,基于0.1 mm厚2英寸熔制石英薄膜电路工艺,研制出了应用于W波段PIN二极管单刀单掷开关。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了3个SPST开关作了测试,测试结果为,在76~85 GHz频率范围内,开关插损小于1.3 d B,不一致性小于0.5 d B;开关隔离度大于20 d B;开关响应时间、导通时间、关断时间小于20 ns;开关尺寸3.2 mm×3.2 mm。结果表明,该开关可作为接收保护开关和发射调制开关应用于W波段收发组件中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单刀单掷论文参考文献
[1].朱贵德.K波段单刀单掷开关研制[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(下册).2018
[2].苏斌,朱建立,姚常飞.76～85GHz集成单刀单掷开关研究[J].微波学报.2016
[3].周勇涛,凡守涛,许春良,魏绍仁.Ka波段高隔离单刀单掷开关设计[J].半导体技术.2016
[4].姚常飞,罗运生,周明,赵博.91～98GHz集成单刀单掷开关设计[J].固体电子学研究与进展.2015
[5].王海波,郭青华,赵晖.Ka波段单刀单掷反射式波导开关的设计[C].2015年全国微波毫米波会议论文集.2015
[6].刘聪,周翼鸿,李天明.一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关[J].现代电子技术.2012
[7].贾玉伟,许春良,魏洪涛,喻梦霞,高学邦.一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片[J].半导体技术.2009
[8].蒋东铭,陈新宇,蒋幼泉,黄子乾,冯欧.基于GaAsPIN工艺的非反射型毫米波单刀单掷开关单片[C].2009年全国微波毫米波会议论文集（下册）.2009
[9].吴茹菲,张健,尹军舰,张海英.C波段GaAsPIN二极管单片单刀单掷开关(英文)[J].半导体学报.2008
[10].周立衡.八毫米波段PIN管单刀单掷开关的研究[D].南京理工大学.2007