导读:本文包含了背金工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:DMOS,Vfsd超上限,背面减薄,背面硅腐蚀,表面活性剂
背金工艺论文文献综述
陈定平,张忠华,李理,赵圣哲[1]（2014）在《DMOS Vfsd之背金工艺窗口研究》一文中研究指出一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低,这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求,在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关键参数对Vfsd的影响。比较减薄机研磨轮目数后发现,研磨轮目数决定背面粗糙度,进而影响背面SI与背面金属的接触电阻和Vfsd;比较硅腐蚀有、无活性剂后发现,加了活性剂的背面硅腐蚀速率温和、均匀性好,可减缓切入式减薄机的Vfsd扇形分布、Vfsd均匀性明显改善。背注能量拉偏后发现,降低背注能量可降低Vfsd的Mean值。综合以上机理分析和实验结果,找到了背面最佳工艺条件,大大拓宽了背金工艺窗口。在最佳背面工艺条件下,这些特殊的DMOS产品Vfsd超上限几率从1.5%下降到0.1%以下、良率平均上升4%,此背金最佳工艺可以成为DMOS生产的标准工艺。(本文来源于《现代电子技术》期刊2014年08期）
刘瑜[2]（2008）在《0.35μm垂直沟道功率芯片背金工艺优化和缺陷改善》一文中研究指出0.35μm垂直沟道UMOS功率器件的硅片制造工艺流程中,背金工艺是一步独特和关键的工艺步骤。在传统的背金工艺中,因为超薄硅片的过度研磨,金属附着面的粗糙度不匹配,单层金属蒸镀等问题直接降低了背面金属与硅片背面的粘附性,造成了硅片的早期失效。本文以提高背金工艺的可靠性和良率为课题,就硅片背面粗糙化和背面金属蒸镀工艺进行深入探讨,设置了改善工艺的条件。就背金工艺中产生的缺陷,提出了相应的解决方法。本文首先设置硅片背面粗糙化工艺,分别研究了酸液刻蚀和碱液刻蚀两套执行方案。得出:酸液中,体积配比为7:1的33% H F和70% HNO3再加水10%的腐蚀液中,硅片浸泡15分钟能得到最佳形貌的粗糙面,又具有易控制的刻蚀速度,适合于生产;碱液中,选择30% KOH水溶液,反应15分钟获得的硅片表面形貌较好,蚀坑大小深度适中,分布均允,适合下一步的金属沉积;把这两种配比的反应液体应用于大生产,实验数据证明酸液的解决方案优于碱液。然后设定了硅片背面粗糙化后重要的工艺步骤:背面金属蒸镀。通过多层金属(Ti,Ni,Ag)的系统选择,重新设定了工艺参数:预热到200℃再进行蒸镀的硅片比不预热直接蒸镀的硅片的背面金属层粘附性要好;当加入金属预熔的时间(Ti需1分钟,Ni需7分钟,Ag需3分钟),可以基本解决造成品质缺陷的金属颗粒的问题。最后总结了硅片背金工艺产生中发生的硅片弯曲,正面色差,背面金属剥落等各种缺陷,分析了形成原因,提出了相应的解决方法。本文构建与完善出了的一套完整硅片制造背金工艺流程。应用这个工艺流程和设定的参数生产的0.35μm硅基垂直沟道功率器件可靠性得到保障,产品合格率大大提高。达到了预期的目标。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-12-01）
背金工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
0.35μm垂直沟道UMOS功率器件的硅片制造工艺流程中,背金工艺是一步独特和关键的工艺步骤。在传统的背金工艺中,因为超薄硅片的过度研磨,金属附着面的粗糙度不匹配,单层金属蒸镀等问题直接降低了背面金属与硅片背面的粘附性,造成了硅片的早期失效。本文以提高背金工艺的可靠性和良率为课题,就硅片背面粗糙化和背面金属蒸镀工艺进行深入探讨,设置了改善工艺的条件。就背金工艺中产生的缺陷,提出了相应的解决方法。本文首先设置硅片背面粗糙化工艺,分别研究了酸液刻蚀和碱液刻蚀两套执行方案。得出:酸液中,体积配比为7:1的33% H F和70% HNO3再加水10%的腐蚀液中,硅片浸泡15分钟能得到最佳形貌的粗糙面,又具有易控制的刻蚀速度,适合于生产;碱液中,选择30% KOH水溶液,反应15分钟获得的硅片表面形貌较好,蚀坑大小深度适中,分布均允,适合下一步的金属沉积;把这两种配比的反应液体应用于大生产,实验数据证明酸液的解决方案优于碱液。然后设定了硅片背面粗糙化后重要的工艺步骤:背面金属蒸镀。通过多层金属(Ti,Ni,Ag)的系统选择,重新设定了工艺参数:预热到200℃再进行蒸镀的硅片比不预热直接蒸镀的硅片的背面金属层粘附性要好;当加入金属预熔的时间(Ti需1分钟,Ni需7分钟,Ag需3分钟),可以基本解决造成品质缺陷的金属颗粒的问题。最后总结了硅片背金工艺产生中发生的硅片弯曲,正面色差,背面金属剥落等各种缺陷,分析了形成原因,提出了相应的解决方法。本文构建与完善出了的一套完整硅片制造背金工艺流程。应用这个工艺流程和设定的参数生产的0.35μm硅基垂直沟道功率器件可靠性得到保障,产品合格率大大提高。达到了预期的目标。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
背金工艺论文参考文献
[1].陈定平,张忠华,李理,赵圣哲.DMOSVfsd之背金工艺窗口研究[J].现代电子技术.2014
[2].刘瑜.0.35μm垂直沟道功率芯片背金工艺优化和缺陷改善[D].上海交通大学.2008