本文主要研究内容
作者袁秀芳（2019）在《掺杂浓度对Y掺杂HfO2铁电薄膜的畴反转过程的调控作用》一文中研究指出：铁电存储器是铁电材料的最重要的应用,而铁电存储器一个非常重要的指标就是其运行速度,影响其运行速度的主要是铁电材料内铁电畴的极化反转速度。HfO2铁电材料作为未来铁电存储器的理想材料,了解其畴反转过程非常重要。掺杂是使HfO2薄膜产生铁电性的一个非常重要的方法,掺杂浓度对HfO2铁电薄膜的铁电性能影响非常大,因此了解掺杂浓度对HfO2铁电薄膜的畴反转过程（即极化反转速度）的影响对我们更好利用HfO2铁电薄膜为基础的铁电存储器非常重要。在本文中,我们利用PLD制备了Y掺杂HfO2铁电薄膜（HYO）,发现了Y掺杂浓度对HYO铁电薄膜的铁电性能的影响,我们在经过测试后也发现掺杂浓度可以影响HYO铁电薄膜畴反转过程,发现了随着掺杂浓度的增加HYO铁电薄膜中铁电畴的极化反转速度增加。
Abstract
tie dian cun chu qi shi tie dian cai liao de zui chong yao de ying yong ,er tie dian cun chu qi yi ge fei chang chong yao de zhi biao jiu shi ji yun hang su du ,ying xiang ji yun hang su du de zhu yao shi tie dian cai liao nei tie dian chou de ji hua fan zhuai su du 。HfO2tie dian cai liao zuo wei wei lai tie dian cun chu qi de li xiang cai liao ,le jie ji chou fan zhuai guo cheng fei chang chong yao 。can za shi shi HfO2bao mo chan sheng tie dian xing de yi ge fei chang chong yao de fang fa ,can za nong du dui HfO2tie dian bao mo de tie dian xing neng ying xiang fei chang da ,yin ci le jie can za nong du dui HfO2tie dian bao mo de chou fan zhuai guo cheng （ji ji hua fan zhuai su du ）de ying xiang dui wo men geng hao li yong HfO2tie dian bao mo wei ji chu de tie dian cun chu qi fei chang chong yao 。zai ben wen zhong ,wo men li yong PLDzhi bei le Ycan za HfO2tie dian bao mo （HYO）,fa xian le Ycan za nong du dui HYOtie dian bao mo de tie dian xing neng de ying xiang ,wo men zai jing guo ce shi hou ye fa xian can za nong du ke yi ying xiang HYOtie dian bao mo chou fan zhuai guo cheng ,fa xian le sui zhao can za nong du de zeng jia HYOtie dian bao mo zhong tie dian chou de ji hua fan zhuai su du zeng jia 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自科技风的袁秀芳，发表于刊物科技风2019年16期论文，是一篇关于铁电存储器论文,铁电薄膜论文,掺杂论文,极化反转速度论文,科技风2019年16期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自科技风2019年16期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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