导读:本文包含了浅施主杂质论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:纳米线,浅施主杂质,束缚能
浅施主杂质论文文献综述
朱立坤,白占国,咸立芬,白志明[1]（2009）在《外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质》一文中研究指出在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好。(本文来源于《河北科技大学学报》期刊2009年01期）
刘建军,张红[2]（2007）在《浅施主杂质在对称GaAs/Al_xGa_(1-x)As双量子阱中的束缚能》一文中研究指出为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值．(本文来源于《北京工业大学学报》期刊2007年01期）
王少伟[3]（2006）在《压力对GaAs-Ga_（1-x）Al_xAs对称双量子点中浅施主杂质性质的影响》一文中研究指出在有效质量近似下,本文采用数学形式简单物理意义明确的尝试波函数,利用变分法数值计算了有限深对称GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs矩形双量子点中浅施主杂质体系的束缚能。在计算过程中我们研究了不同的压力下、量子点的尺寸、垒宽以及施主离子的位置对浅施主杂质束缚能的影响,并就压力与体系束缚能的变化关系进行了讨论,对各种因素的影响作了较为详细的分析,得到了较好的结果。 首先,本文讨论了施主离子分别处于垒中心和量子点中心位置时施主杂质中的电子几率分布,并通过对不同压力下电子几率分布图的比较,可较好地分析压力对电子几率分布的影响。 接着,我们对在不同的压力下,点的尺寸相同而垒宽不同时,施主杂质束缚能随施主离子位置沿量子点的生长轴X轴的变化情况进行了计算和讨论。 然后,我们采用有效质量近似并考虑在两种材料中电子有效质量失配性的情况下,通过变分法计算了施主离子分别在垒心、垒边、量子点中心、点边时体系束缚能随对称双量子点尺度的变化曲线。同时,我们还计算了施主杂质束缚能随中心势垒宽度的变化情况。 另外,本文还计算了施主离子在量子点中心时与电子的平均距离随量子点尺度的变化关系,并和束缚能的变化情况进行对照,也得到了比较好的结果。 最后,我们计算了施主杂质束缚能随压力的变化关系,就不同的施主离子位置进行了讨论,并在L_y、L_z(量子点沿y、z方向的宽度)达到30a_B时的极限情况下将其束缚能的值与前人量子阱的结果进行比较,符合得很好。(本文来源于《河北师范大学》期刊2006-04-25）
李红,孔小均,陈红叶[4]（2001）在《分数维近似方法研究:矩形量子阱线中浅施主杂质结合能探》一文中研究指出采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等效维数α应用在量子阶线中来考察矩形横截面量子饼线中浅施主杂质的结合能，并对等横截面积矩形横截面量子陕线中杂质的等效维数和结合能受量子阶线形状的影响进行了详细的讨论．(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2001年03期）
李士玉[5]（1997）在《施加平行磁场的多量子阱中浅施主杂质态的理论计算》一文中研究指出本文的目的是要推导关于平行磁场中浅施主杂质能级计算的精确理论，这本身又能使我们提高隧道效应电流计算的精确度(本文来源于《半导体杂志》期刊1997年02期）
钱家骏,陈涌海,孙明方,王占国,林兰英[6]（1997）在《高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究》一文中研究指出利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污．(本文来源于《半导体学报》期刊1997年04期）
郑国珍,韦亚一,郭少令,汤定元[7]（1995）在《浅施主杂质态在n－Hg_（1－x）Cd_xTe磁致金属－绝缘体相变中的作用》一文中研究指出在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔系数．观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹＂ＨａｌｌｄｉＰ＂．基于电子在浅施主杂质态上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和＂Ｈａｌｌｄｉｐ＂的起因．(本文来源于《半导体学报》期刊1995年07期）
江炳熙,周必忠,胡志萍[8]（1980）在《汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度》一文中研究指出本文描述了制备Hg—n-GaP表面势垒结构的工艺方法。采取真空(2×10~(-4)乇)烘烤(120℃)GaP晶体的方法,消除了样品表面吸附的水分子和其它沾污。研究了肖特基二极管负偏压的容压特性,从它求得扩散电势等于1.26±0.06伏特。势垒高度测定值(φ_b=1.3(±0.06电子伏特)基本上符合于按文献经验公式的计算值;因而,按本文的工艺方法可以准确测定GaP晶体中浅施主杂质浓度。为了简化实验数据的处理,建议在一定负偏压下测量恒定面积的肖特基二极管的电容值来测定浅施主杂质浓度。(本文来源于《发光与显示》期刊1980年04期）
浅施主杂质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值．
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
浅施主杂质论文参考文献
[1].朱立坤,白占国,咸立芬,白志明.外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质[J].河北科技大学学报.2009
[2].刘建军,张红.浅施主杂质在对称GaAs/Al_xGa_(1-x)As双量子阱中的束缚能[J].北京工业大学学报.2007
[3].王少伟.压力对GaAs-Ga_（1-x）Al_xAs对称双量子点中浅施主杂质性质的影响[D].河北师范大学.2006
[4].李红,孔小均,陈红叶.分数维近似方法研究:矩形量子阱线中浅施主杂质结合能探[J].河北师范大学学报.2001
[5].李士玉.施加平行磁场的多量子阱中浅施主杂质态的理论计算[J].半导体杂志.1997
[6].钱家骏,陈涌海,孙明方,王占国,林兰英.高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究[J].半导体学报.1997
[7].郑国珍,韦亚一,郭少令,汤定元.浅施主杂质态在n－Hg_（1－x）Cd_xTe磁致金属－绝缘体相变中的作用[J].半导体学报.1995
[8].江炳熙,周必忠,胡志萍.汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度[J].发光与显示.1980